产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 37A 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 120V 37A（Tc） 66W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC240N12NS3 G
仓库库存编号：
BSC240N12NS3 GCT-ND
别名：BSC240N12NS3 GCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 13A WDSON-2
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 13A（Ta），56A（Tc） 2.2W（Ta），38W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
型号：
BSF077N06NT3GXUMA1
仓库库存编号：
BSF077N06NT3GXUMA1CT-ND
别名：BSF077N06NT3 GCT
BSF077N06NT3 GCT-ND
BSF077N06NT3G
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 2.9A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP320SL6433HTMA1
仓库库存编号：
BSP320SL6433HTMA1CT-ND
别名：BSP320S L6433CT
BSP320S L6433CT-ND
BSP320SL6433
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 90A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 90A（Tc） 167W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB023N04NGATMA1
仓库库存编号：
IPB023N04NGATMA1CT-ND
别名：IPB023N04N GCT
IPB023N04N GCT-ND
IPB023N04NG
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 140A TO263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 140A（Tc） 214W（Tc） PG-TO263-7
型号：
IPB023N06N3GATMA1
仓库库存编号：
IPB023N06N3GATMA1CT-ND
别名：IPB023N06N3 GCT
IPB023N06N3 GCT-ND
IPB023N06N3G
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Tc） 94W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB041N04NGATMA1
仓库库存编号：
IPB041N04NGATMA1CT-ND
别名：IPB041N04N GCT
IPB041N04N GCT-ND
IPB041N04NG
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 70A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 70A（Tc） 79W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB052N04NGATMA1
仓库库存编号：
IPB052N04NGATMA1CT-ND
别名：IPB052N04N GCT
IPB052N04N GCT-ND
IPB052N04NG
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 27A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 27A（Tc） 36W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB260N06N3GATMA1
仓库库存编号：
IPB260N06N3GATMA1CT-ND
别名：IPB260N06N3 GCT
IPB260N06N3 GCT-ND
IPB260N06N3G
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 6.8A（Tc） 66W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB60R520CPATMA1
仓库库存编号：
IPB60R520CPATMA1CT-ND
别名：IPB60R520CPCT
IPB60R520CPCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 90A（Tc） 94W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD038N04NGBTMA1
仓库库存编号：
IPD038N04NGBTMA1CT-ND
别名：IPD038N04N GCT
IPD038N04N GCT-ND
IPD038N04NG
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 90A（Tc） 115W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD053N06N3GBTMA1
仓库库存编号：
IPD053N06N3GBTMA1CT-ND
别名：IPD053N06N3 GCT
IPD053N06N3 GCT-ND
IPD053N06N3G
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 28A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 28A（Tc） 36W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD250N06N3GBTMA1
仓库库存编号：
IPD250N06N3GBTMA1CT-ND
别名：IPD250N06N3 GCT
IPD250N06N3 GCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 8.1A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 8.1A（Tc） 66W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD60R520C6BTMA1
仓库库存编号：
IPD60R520C6BTMA1CT-ND
别名：IPD60R520C6BTMA1CT
IPD60R520C6CT
IPD60R520C6CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 6.8A（Tc） 66W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD60R520CPBTMA1
仓库库存编号：
IPD60R520CPBTMA1CT-ND
别名：IPD60R520CPCT
IPD60R520CPCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6.1A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 6.1A（Tc） 60W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD60R600CPBTMA1
仓库库存编号：
IPD60R600CPBTMA1CT-ND
别名：IPD60R600CPCT
IPD60R600CPCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD50N03S207GBTMA1
仓库库存编号：
SPD50N03S207GBTMA1CT-ND
别名：SPD50N03S2-07 GCT
SPD50N03S2-07 GCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 400MA SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 400mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP299L6327HUSA1
仓库库存编号：
BSP299L6327HUSA1CT-ND
别名：BSP299 L6327CT
BSP299 L6327CT-ND
BSP299L6327
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 100V 11A PQFN5X6
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 11A（Ta），58A（Tc） 3.6W（Ta），104W（Tc） 8-PQFN（5x6）
型号：
IRFH7110TR2PBF
仓库库存编号：
IRFH7110TR2PBFCT-ND
别名：IRFH7110TR2PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 17A（Tc） 3.8W（Ta），45W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
AUIRFZ24NSTRR
仓库库存编号：
AUIRFZ24NSTRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 79A（Tc） 110W（Tc） D2PAK
型号：
AUIRF1018ES
仓库库存编号：
AUIRF1018ES-ND
别名：SP001517308
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 202A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 75A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） D2PAK
型号：
AUIRF1404S
仓库库存编号：
AUIRF1404S-ND
别名：SP001522616
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 135A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 135A（Tc） 200W（Tc） D2PAK
型号：
AUIRF2805S
仓库库存编号：
AUIRF2805S-ND
别名：SP001519486
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 235A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 160A（Tc） 231W（Tc） D2PAK
型号：
AUIRF2903ZS
仓库库存编号：
AUIRF2903ZS-ND
别名：SP001518498
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 21A（Tc） 3.8W（Ta），94W（Tc） D2PAK
型号：
AUIRF3315S
仓库库存编号：
AUIRF3315S-ND
别名：SP001520202
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 106A（Tc） 200W（Tc） D2PAK
型号：
AUIRF3808S
仓库库存编号：
AUIRF3808S-ND
别名：SP001519466
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