产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 73A（Tc） 190W（Tc） D2PAK
型号：
AUIRFS4610
仓库库存编号：
AUIRFS4610-ND
别名：SP001522872
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 57A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 57A（Tc） 92W（Tc） D2PAK
型号：
AUIRFZ44VZS
仓库库存编号：
AUIRFZ44VZS-ND
别名：SP001517600
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 51A（Tc） 80W（Tc） D2PAK
型号：
AUIRFZ44ZS
仓库库存编号：
AUIRFZ44ZS-ND
别名：SP001518774
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 61A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 61A（Tc） 91W（Tc） D2PAK
型号：
AUIRFZ48ZS
仓库库存编号：
AUIRFZ48ZS-ND
别名：SP001518766
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 80A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 75V 80A（Tc） 140W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB3607GPBF
仓库库存编号：
IRFB3607GPBF-ND
别名：SP001577820
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 22A PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 22A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），105W（Tc） PQFN（5x6）
型号：
IRFH5204TR2PBF
仓库库存编号：
IRFH5204TR2PBFCT-ND
别名：IRFH5204TR2PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 5.0A PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 5A（Ta），27A（Tc） 3.6W（Ta），104W（Tc） PQFN（5x6）
型号：
IRFH5215TR2PBF
仓库库存编号：
IRFH5215TR2PBFCT-ND
别名：IRFH5215TR2PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 3.8A PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 3.8A（Ta），20A（Tc） 3.6W（Ta），8.3W（Tc） PQFN（5x6）
型号：
IRFH5220TR2PBF
仓库库存编号：
IRFH5220TR2PBFCT-ND
别名：IRFH5220TR2PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 75A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 75A（Tc） 105W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
BUK7Y08-40B/C,115
仓库库存编号：
BUK7Y08-40B/C,115-ND
别名：934064767115
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 35.3A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 35.3A（Tc） 59.4W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
BUK7Y25-40B/C,115
仓库库存编号：
BUK7Y25-40B/C,115-ND
别名：934064769115
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 35.2A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 100V 35.2A （Tc） 48.4W（Tc） TO-220F
型号：
PSMN013-100XS,127
仓库库存编号：
568-9499-5-ND
别名：568-9499-5
934066044127
PSMN013-100XS,127-ND
PSMN013-100XS127
PSMN013100XS127
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 32.1A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 100V 32.1A（Tc） 46.1W（Tc） TO-220F
型号：
PSMN016-100XS,127
仓库库存编号：
568-9500-5-ND
别名：568-9500-5
934066045127
PSMN016-100XS,127-ND
PSMN016-100XS127
PSMN016100XS127
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 67.5A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 100V 67.5A（Tc） 63.8W（Tc） TO-220F
型号：
PSMN5R0-100XS,127
仓库库存编号：
568-9760-5-ND
别名：568-9760-5
934066039127
PSMN5R0-100XS,127-ND
PSMN5R0-100XS127
PSMN5R0100XS127
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 61.8A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 100V 61.8A（Tc） 60W（Tc） TO-220F
型号：
PSMN5R6-100XS,127
仓库库存编号：
568-9496-5-ND
别名：568-9496-5
934066041127
PSMN5R6-100XS,127-ND
PSMN5R6-100XS127
PSMN5R6100XS127
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 55A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 100V 55A（Tc） 57.7W（Tc） TO-220F
型号：
PSMN7R0-100XS,127
仓库库存编号：
568-9497-5-ND
别名：934066042127
PSMN7R0-100XS,127-ND
PSMN7R0-100XS127
PSMN7R0100XS127
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 44.2A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 100V 44.2A（Tc） 52.6W（Tc） TO-220F
型号：
PSMN9R5-100XS,127
仓库库存编号：
568-9498-5-ND
别名：568-9498-5
934066043127
PSMN9R5-100XS,127-ND
PSMN9R5-100XS127
PSMN9R5100XS127
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 100A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3-11
型号：
IPD100N06S403ATMA1
仓库库存编号：
IPD100N06S403ATMA1TR-ND
别名：IPD100N06S4-03
IPD100N06S4-03-ND
SP000415576
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 7A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 200V 7A（Tc） 40W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
BUZ73HXKSA1
仓库库存编号：
BUZ73HXKSA1-ND
别名：BUZ73 H
BUZ73 H-ND
BUZ73H
SP000683000
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 200V 7A（Tc） 40W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
BUZ73H3046XKSA1
仓库库存编号：
BUZ73H3046XKSA1-ND
别名：BUZ73 H3046
BUZ73 H3046-ND
BUZ73H3046
SP000683002
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 200V 5.5A（Tc） 40W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
BUZ73A H
仓库库存编号：
BUZ73A H-ND
别名：BUZ73AH
BUZ73AHXKSA1
SP000683004
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 200V 5.5A（Tc） 40W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
BUZ73A H3046
仓库库存编号：
BUZ73A H3046-ND
别名：BUZ73AH3046
BUZ73AH3046XKSA1
SP000683006
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3-1
详细描述：通孔 N 沟道 40V 120A（Tc） 158W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP120N04S402AKSA1
仓库库存编号：
IPP120N04S402AKSA1-ND
别名：IPP120N04S4-02
IPP120N04S4-02-ND
SP000764734
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 90A TO220-3-1
详细描述：通孔 N 沟道 40V 90A（Tc） 150W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP90N04S402AKSA1
仓库库存编号：
IPP90N04S402AKSA1-ND
别名：IPP90N04S4-02
IPP90N04S4-02-ND
SP000646200
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 43A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 100V 43A（Tc） 47W（Tc） TO-220AB 整包
型号：
IRFI4410ZGPBF
仓库库存编号：
IRFI4410ZGPBF-ND
别名：SP001572644
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 14A 8PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 14A（Ta），75A（Tc） 3.6W（Ta），104W（Tc） 8-PQFN（5x6）
型号：
IRFH7107TR2PBF
仓库库存编号：
IRFH7107TR2PBFCT-ND
别名：IRFH7107TR2PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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