产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 120A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 75V 120A（Tc） 300W（Tc）
型号：
IPP023NE7N3 G
仓库库存编号：
IPP023NE7N3 GCT-ND
别名：IPP023NE7N3 GCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 55A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 55A（Tc） 150W（Tc） DPAK
型号：
BUK7213-40A,118
仓库库存编号：
BUK7213-40A,118-ND
别名：934058199118
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 120A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB120N04S3-02
仓库库存编号：
IPB120N04S3-02CT-ND
别名：IPB120N04S3-02CT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Tc） 79W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB70N04S3-07
仓库库存编号：
IPB70N04S3-07CT-ND
别名：IPB70N04S3-07CT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 82A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 82A（Tc） 79W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD70N04S3-07
仓库库存编号：
IPD70N04S3-07CT-ND
别名：IPD70N04S3-07CT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 12.5A TDSON-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 9.9A（Ta），12.5A（Tc） 2.5W（Ta），63W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC200P03LSGAUMA1
仓库库存编号：
BSC200P03LSGAUMA1CT-ND
别名：BSC200P03LS GINCT
BSC200P03LS GINCT-ND
BSC200P03LSG
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 12.6A（Ta） 1.79W（Ta） PG-DSO-8
型号：
BSO080P03SNTMA1
仓库库存编号：
BSO080P03SNTMA1CT-ND
别名：BSO080P03SINCT
BSO080P03SINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD60R380C6
仓库库存编号：
IPD60R380C6INCT-ND
别名：IPD60R380C6INCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD60R600C6BTMA1
仓库库存编号：
IPD60R600C6BTMA1CT-ND
别名：IPD60R600C6BTMA1CT
IPD60R600C6INCT
IPD60R600C6INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 4.4A（Tc） 37W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD60R950C6
仓库库存编号：
IPD60R950C6INCT-ND
别名：IPD60R950C6INCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 28A 8VQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 28A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），156W（Tc） PQFN（5x6）单芯片焊盘
型号：
IRFH5004TR2PBF
仓库库存编号：
IRFH5004TR2PBFCT-ND
别名：IRFH5004TR2PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 10A 8VQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 10A（Ta），56A（Tc） 3.6W（Ta），156W（Tc） PQFN（5x6）单芯片焊盘
型号：
IRFH5015TR2PBF
仓库库存编号：
IRFH5015TR2PBFCT-ND
别名：IRFH5015TR2PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 5.1A 8VQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 5.1A（Ta） 3.6W（Ta），8.3W（Tc） PQFN（5x6）单芯片焊盘
型号：
IRFH5020TR2PBF
仓库库存编号：
IRFH5020TR2PBFCT-ND
别名：IRFH5020TR2PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 55V 45A（Tc） 103W（Tc） TO-220AB
型号：
BUK7524-55,127
仓库库存编号：
BUK7524-55,127-ND
别名：934045180127
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 18A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 18A（Tc） 79W（Tc） DPAK
型号：
PHD18NQ10T,118
仓库库存编号：
PHD18NQ10T,118-ND
别名：934055700118
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 47A（Tc） 166W（Tc） D2PAK
型号：
BUK7628-100A/C,118
仓库库存编号：
BUK7628-100A/C,118-ND
别名：934060683118
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 75A（Tc） 167W（Tc） DPAK
型号：
BUK7210-55B/C1,118
仓库库存编号：
BUK7210-55B/C1,118-ND
别名：934062108118
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 120A（Tc） 188W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB120N06S402ATMA1
仓库库存编号：
IPB120N06S402ATMA1TR-ND
别名：IPB120N06S4-02
IPB120N06S4-02-ND
SP000415560
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 120A（Tc） 167W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB120N06S403ATMA1
仓库库存编号：
IPB120N06S403ATMA1TR-ND
别名：IPB120N06S4-03
IPB120N06S4-03-ND
SP000415558
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB120N06S4H1ATMA1
仓库库存编号：
IPB120N06S4H1ATMA1TR-ND
别名：IPB120N06S4-H1
IPB120N06S4-H1-ND
SP000396274
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 180A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-7-3
型号：
IPB180N06S4H1ATMA1
仓库库存编号：
IPB180N06S4H1ATMA1TR-ND
别名：IPB180N06S4-H1
IPB180N06S4-H1-ND
SP000415562
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 45A（Tc） 71W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB45N06S409ATMA1
仓库库存编号：
IPB45N06S409ATMA1TR-ND
别名：IPB45N06S4-09
IPB45N06S4-09-ND
SP000374315
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 80A（Tc） 107W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S405ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N06S405ATMA1TR-ND
别名：IPB80N06S4-05
IPB80N06S4-05-ND
SP000415566
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 80A（Tc） 79W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S407ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N06S407ATMA1TR-ND
别名：IPB80N06S4-07
IPB80N06S4-07-ND
SP000415568
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 90A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB90N06S404ATMA1
仓库库存编号：
IPB90N06S404ATMA1TR-ND
别名：IPB90N06S4-04
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