产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 100A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 75V 100A（Ta） PG-TO262-3-1
型号：
SPI100N08S2-07
仓库库存编号：
SPI100N08S2-07-ND
别名：SP000055687
SPI100N08S207
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10.3A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 100V 10.3A（Tc） 50W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI10N10
仓库库存编号：
SPI10N10-ND
别名：SP000013846
SPI10N10X
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 11A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 600V 11A（Tc） 125W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI11N60S5BKSA1
仓库库存编号：
SPI11N60S5BKSA1-ND
别名：SP000013033
SP000680992
SPI11N60S5
SPI11N60S5-ND
SPI11N60S5IN
SPI11N60S5IN-ND
SPI11N60S5X
SPI11N60S5XK
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 15A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 650V 15A（Tc） 156W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI15N60C3HKSA1
仓库库存编号：
SPI15N60C3HKSA1-ND
别名：SP000014528
SP000680998
SPI15N60C3
SPI15N60C3-ND
SPI15N60C3IN
SPI15N60C3IN-ND
SPI15N60C3X
SPI15N60C3XK
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 16A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 560V 16A（Tc） 160W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI16N50C3HKSA1
仓库库存编号：
SPI16N50C3HKSA1-ND
别名：SP000014470
SP000681004
SPI16N50C3
SPI16N50C3-ND
SPI16N50C3IN
SPI16N50C3IN-ND
SPI16N50C3X
SPI16N50C3XK
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 650V 20.7A（Tc） 208W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI20N65C3XKSA1
仓库库存编号：
SPI20N65C3XKSA1-ND
别名：SP000014525
SP000681010
SPI20N65C3
SPI20N65C3-ND
SPI20N65C3IN
SPI20N65C3IN-ND
SPI20N65C3X
SPI20N65C3XK
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 21A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 100V 21A（Tc） 90W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI21N10
仓库库存编号：
SPI21N10IN-ND
别名：SP000013843
SPI21N10-ND
SPI21N10IN
SPI21N10X
SPI21N10XK
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 35A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 100V 35A（Tc） 150W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI35N10
仓库库存编号：
SPI35N10-ND
别名：SP000013852
SPI35N10X
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 47A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 100V 47A（Tc） 175W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI47N10
仓库库存编号：
SPI47N10-ND
别名：SP000013951
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 30V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI80N03S2-03
仓库库存编号：
SPI80N03S2-03-ND
别名：SP000016262
SPI80N03S203X
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI80N04S2-04
仓库库存编号：
SPI80N04S2-04-ND
别名：SP000015085
SPI80N04S204
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI80N06S-08
仓库库存编号：
SPI80N06S-08-ND
别名：SP000054055
SP000084809
SPI80N06S08
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI80N06S2-07
仓库库存编号：
SPI80N06S2-07-ND
别名：SP000013784
SPI80N06S207
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 215W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI80N06S2-08
仓库库存编号：
SPI80N06S2-08-ND
别名：SP000013911
SPI80N06S208
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 80A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 75V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI80N08S2-07
仓库库存编号：
SPI80N08S2-07-ND
别名：SP000013954
SPI80N08S207
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 80A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 75V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI80N08S2-07R
仓库库存编号：
SPI80N08S2-07R-ND
别名：SP000013717
SPI80N08S207R
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 0.3A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 300mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
SPN01N60C3
仓库库存编号：
SPN01N60C3-ND
别名：SP000012411
SPN01N60C3T
SPN01N60C3XT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 0.4A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 400mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
SPN02N60C3
仓库库存编号：
SPN02N60C3-ND
别名：SP000101878
SPN02N60C3XT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 0.4A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 400mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
SPN02N60C3 E6433
仓库库存编号：
SPN02N60C3 E6433-ND
别名：SP000101883
SPN02N60C3E6433XT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 0.4A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 400mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
SPN02N60S5
仓库库存编号：
SPN02N60S5-ND
别名：SP000012412
SP000101880
SPN02N60S5T
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 0.7A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 700mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
SPN03N60C3
仓库库存编号：
SPN03N60C3-ND
别名：SP000014455
SP000101879
SPN03N60C3T
SPN03N60C3XT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 0.7A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 700mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
SPN03N60S5
仓库库存编号：
SPN03N60S5-ND
别名：SP000012413
SP000101881
SPN03N60S5T
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 0.8A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 800mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
SPN04N60S5
仓库库存编号：
SPN04N60S5-ND
别名：SP000012414
SP000101882
SPN04N60S5T
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 1.8A（Tc） 25W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP02N60S5HKSA1
仓库库存编号：
SPP02N60S5HKSA1-ND
别名：SP000012390
SP000681016
SPP02N60S5
SPP02N60S5-ND
SPP02N60S5IN
SPP02N60S5IN-ND
SPP02N60S5X
SPP02N60S5XK
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 4.5A（Tc） 50W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP04N60S5BKSA1
仓库库存编号：
SPP04N60S5BKSA1-ND
别名：SP000012363
SP000681026
SPP04N60S5
SPP04N60S5-ND
SPP04N60S5IN
SPP04N60S5IN-ND
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SPP04N60S5XK
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