产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 83W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI07N60C3HKSA1
仓库库存编号：
SPI07N60C3HKSA1-ND
别名：SP000013521
SPI07N60C3
SPI07N60C3IN
SPI07N60C3IN-ND
SPI07N60C3X
SPI07N60C3X-ND
SPI07N60C3XK
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 16A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 560V 16A（Tc） 160W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP16N50C3HKSA1
仓库库存编号：
SPP16N50C3HKSA1-ND
别名：SPP16N50C3
SPP16N50C3IN
SPP16N50C3IN-ND
SPP16N50C3X
SPP16N50C3XK
SPP16N50C3XTIN
SPP16N50C3XTIN-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 11.6A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 560V 11.6A（Tc） 125W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP12N50C3HKSA1
仓库库存编号：
SPP12N50C3HKSA1-ND
别名：SP000014459
SPP12N50C3
SPP12N50C3IN
SPP12N50C3IN-ND
SPP12N50C3X
SPP12N50C3XK
SPP12N50C3XTIN
SPP12N50C3XTIN-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 4.5A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 650V 4.5A（Tc） 50W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP04N60C3HKSA1
仓库库存编号：
SPP04N60C3HKSA1-ND
别名：SPP04N60C3
SPP04N60C3IN
SPP04N60C3IN-ND
SPP04N60C3X
SPP04N60C3XK
SPP04N60C3XTIN
SPP04N60C3XTIN-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 1.9A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP170PE6327
仓库库存编号：
BSP170PE6327INCT-ND
别名：BSP170PE6327INCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 1.8A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 1.8A（Tc） 25W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB02N60C3ATMA1
仓库库存编号：
SPB02N60C3ATMA1TR-ND
别名：SP000013516
SPB02N60C3
SPB02N60C3INTR
SPB02N60C3INTR-ND
SPB02N60C3XT
SPB02N60C3XT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 3.2A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 3.2A（Tc） 38W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB03N60C3ATMA1
仓库库存编号：
SPB03N60C3ATMA1CT-ND
别名：SPB03N60C3INCT
SPB03N60C3INCT-ND
SPB03N60C3XTINCT
SPB03N60C3XTINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB100N03S2-03
仓库库存编号：
SPB100N03S203INTR-ND
别名：SPB100N03S203INTR
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB100N03S2L-03
仓库库存编号：
SPB100N03S2L-INTR-ND
别名：SPB100N03S2L-INTR
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 21A（Tc） 90W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB21N10
仓库库存编号：
SPB21N10INCT-ND
别名：SPB21N10INCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 35A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB35N10
仓库库存编号：
SPB35N10INTR-ND
别名：SPB35N10INTR
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 35A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD35N10
仓库库存编号：
SPD35N10INCT-ND
别名：SPD35N10INCT
SPD35N10XTINCT
SPD35N10XTINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 1.8A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 560V 1.8A（Tc） 25W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD02N50C3
仓库库存编号：
SPD02N50C3INTR-ND
别名：SP000014476
SPD02N50C3INTR
SPD02N50C3XT
SPD02N50C3XT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 1.8A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 1.8A（Tc） 25W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD02N60C3BTMA1
仓库库存编号：
SPD02N60C3BTMA1CT-ND
别名：SPD02N60C3INCT
SPD02N60C3INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 4.5A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 4.5A（Tc） 50W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD04N60C3BTMA1
仓库库存编号：
SPD04N60C3BTMA1CT-ND
别名：SPD04N60C3INCT
SPD04N60C3INCT-ND
SPD04N60C3XTINCT
SPD04N60C3XTINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 6A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 6A（Ta） 83W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD06N80C3BTMA1
仓库库存编号：
SPD06N80C3BTMA1CT-ND
别名：SPD06N80C3INCT
SPD06N80C3INCT-ND
SPD06N80C3XTINCT
SPD06N80C3XTINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD07N60C3BTMA1
仓库库存编号：
SPD07N60C3BTMA1CT-ND
别名：SPD07N60C3INCT
SPD07N60C3INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10.5A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 10.5A（Tc） 50W（Tc） P-TO252-3
型号：
SPD11N10
仓库库存编号：
SPD11N10INTR-ND
别名：SP000013847
SPD11N10INTR
SPD11N10XT
SPD11N10XT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 30A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 30A（Tc） 125W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD30P06P
仓库库存编号：
SPD30P06PINCT-ND
别名：SPD30P06PINCT
SPD30P06PXTINCT
SPD30P06PXTINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 55V 75A（Tc） 230W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF1405Z
仓库库存编号：
IRF1405Z-ND
别名：*IRF1405Z
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 75A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 55V 75A（Tc） 230W（Tc） TO-262
型号：
IRF1405ZL
仓库库存编号：
IRF1405ZL-ND
别名：*IRF1405ZL
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 75A（Tc） 230W（Tc） D2PAK
型号：
IRF1405ZS
仓库库存编号：
IRF1405ZS-ND
别名：*IRF1405ZS
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 75A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 75V 75A（Tc） 170W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF2807Z
仓库库存编号：
IRF2807Z-ND
别名：*IRF2807Z
SP001563202
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 75A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 75V 75A（Tc） 170W（Tc） TO-262
型号：
IRF2807ZL
仓库库存编号：
IRF2807ZL-ND
别名：*IRF2807ZL
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 75A（Tc） 170W（Tc） D2PAK
型号：
IRF2807ZS
仓库库存编号：
IRF2807ZS-ND
别名：*IRF2807ZS
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