产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 75A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 75A（Tc） 90W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3704TRR
仓库库存编号：
IRFR3704TRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 13A（Tc） 66W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR5410TR
仓库库存编号：
IRFR5410TR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 13A（Tc） 66W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR5410TRL
仓库库存编号：
IRFR5410TRL-ND
别名：SP001567628
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 13A（Tc） 66W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR5410TRR
仓库库存编号：
IRFR5410TRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 9.4A（Tc） 86W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR9N20DTR
仓库库存编号：
IRFR9N20DTR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 9.4A（Tc） 86W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR9N20DTRL
仓库库存编号：
IRFR9N20DTRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 9.4A（Tc） 86W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR9N20DTRR
仓库库存编号：
IRFR9N20DTRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 16A（Tc） 3.8W（Ta），140W（Tc） D2PAK
型号：
IRFS17N20DTRL
仓库库存编号：
IRFS17N20DTRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 16A（Tc） 3.8W（Ta），140W（Tc） D2PAK
型号：
IRFS17N20DTRR
仓库库存编号：
IRFS17N20DTRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 55A（Tc） 115W（Tc） D2PAK
型号：
IRFZ44VSTRL
仓库库存编号：
IRFZ44VSTRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 55A（Tc） 115W（Tc） D2PAK
型号：
IRFZ44VSTRR
仓库库存编号：
IRFZ44VSTRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 170A SUPER247
详细描述：通孔 N 沟道 100V 170A（Tc） 580W（Tc） SUPER-247（TO-274AA）
型号：
IRFPS3810
仓库库存编号：
IRFPS3810-ND
别名：*IRFPS3810
Q1244033
SP001560530
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A TO262
详细描述：通孔 P 沟道 150V 13A（Tc） 3.8W（Ta），110W（Tc） TO-262
型号：
IRF6215L-103
仓库库存编号：
IRF6215L-103-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 900mA（Ta） 2W（Ta） Micro6?（TSOP-6）
型号：
IRF5802TR
仓库库存编号：
IRF5802TRCT-ND
别名：*IRF5802TR
IRF5802CT
IRF5802CT-ND
IRF5802TRCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 21A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 200V 21A（Tc） 125W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
BUZ30A
仓库库存编号：
BUZ30AIN-ND
别名：BUZ30AIN
BUZ30AX
BUZ30AXK
BUZ30AXTIN
BUZ30AXTIN-ND
SP000011336
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 7A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 200V 7A（Tc） 40W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
BUZ73
仓库库存编号：
BUZ73IN-ND
别名：BUZ73IN
BUZ73X
BUZ73XK
BUZ73XTIN
BUZ73XTIN-ND
SP000011372
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 800V 3.6A（Tc） 100W（Tc） TO-220AB
型号：
BUZ80A
仓库库存编号：
BUZ80AIN-ND
别名：BUZ80AIN
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 600V 3.2A（Tc） 38W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP03N60S5HKSA1
仓库库存编号：
SPP03N60S5HKSA1-ND
别名：SPP03N60S5
SPP03N60S5IN
SPP03N60S5IN-ND
SPP03N60S5X
SPP03N60S5XTIN
SPP03N60S5XTIN-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 83W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP07N60S5
仓库库存编号：
SPP07N60S5IN-ND
别名：SPP07N60S5BKSA1
SPP07N60S5IN
SPP07N60S5X
SPP07N60S5XTIN
SPP07N60S5XTIN-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-220AB
详细描述：通孔 P 沟道 60V 8.8A（Tc） 42W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
SPP08P06PBKSA1
仓库库存编号：
SPP08P06PBKSA1-ND
别名：SP000012085
SPP08P06P
SPP08P06PIN
SPP08P06PIN-ND
SPP08P06PX
SPP08P06PXK
SPP08P06PXTIN
SPP08P06PXTIN-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 650V 11A（Tc） 125W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP11N60S5HKSA1
仓库库存编号：
SPP11N60S5HKSA1-ND
别名：SPP11N60S5
SPP11N60S5IN
SPP11N60S5IN-ND
SPP11N60S5X
SPP11N60S5XTIN
SPP11N60S5XTIN-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-220AB
详细描述：通孔 P 沟道 60V 18.7A（Ta） 81.1W（Ta） PG-TO-220-3
型号：
SPP18P06PHKSA1
仓库库存编号：
SPP18P06PHKSA1-ND
别名：SP000012300
SPP18P06P
SPP18P06PIN
SPP18P06PIN-ND
SPP18P06PX
SPP18P06PXK
SPP18P06PXTIN
SPP18P06PXTIN-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 650V 20A（Tc） 208W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP20N60S5
仓库库存编号：
SPP20N60S5IN-ND
别名：SPP20N60S5BKSA1
SPP20N60S5IN
SPP20N60S5X
SPP20N60S5XTIN
SPP20N60S5XTIN-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 20A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 600V 20A（Tc） 208W（Tc） PG-TO247-3
型号：
SPW20N60S5FKSA1
仓库库存编号：
SPW20N60S5FKSA1-ND
别名：SPW20N60S5
SPW20N60S5IN
SPW20N60S5IN-ND
SPW20N60S5X
SPW20N60S5XTIN
SPW20N60S5XTIN-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD07N60S5
仓库库存编号：
SPD07N60S5INCT-ND
别名：SPD07N60S5INCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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