产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 200V 9A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 200V 9A(Tc) 17.3W(Tc) TO-220F
型号:
GP1M009A020FG
仓库库存编号:
1560-1171-5-ND
别名:1560-1171-1
1560-1171-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 9A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 9A(Tc) 158W(Tc) TO-220
型号:
GP1M009A060H
仓库库存编号:
1560-1172-5-ND
别名:1560-1172-1
1560-1172-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 900V 9A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 900V 9A(Tc) 48W(Tc) TO-220F
型号:
GP1M009A090FH
仓库库存编号:
1560-1173-5-ND
别名:1560-1173-1
1560-1173-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 900V 9.5A TO3PN
详细描述:通孔 N 沟道 900V 9.5A(Tc) 312W(Tc) TO-3PN
型号:
GP1M009A090N
仓库库存编号:
1560-1174-5-ND
别名:1560-1174-1
1560-1174-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 10A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 10A(Tc) 198W(Tc) TO-220
型号:
GP1M010A060H
仓库库存编号:
1560-1175-5-ND
别名:1560-1175-1
1560-1175-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 800V 9.5A(Tc) 48W(Tc) TO-220F
型号:
GP1M010A080FH
仓库库存编号:
1560-1176-5-ND
别名:1560-1176-1
1560-1176-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 800V 9.5A(Tc) 290W(Tc) TO-220
型号:
GP1M010A080H
仓库库存编号:
1560-1177-5-ND
别名:1560-1177-1
1560-1177-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 11A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 500V 11A(Tc) 51.4W(Tc) TO-220F
型号:
GP1M011A050FH
仓库库存编号:
1560-1178-5-ND
别名:1560-1178-1
1560-1178-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 11A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 500V 11A(Tc) 158W(Tc) TO-220
型号:
GP1M011A050H
仓库库存编号:
1560-1179-5-ND
别名:1560-1179-1
1560-1179-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 12A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 12A(Tc) 231W(Tc) TO-220
型号:
GP1M012A060H
仓库库存编号:
1560-1180-5-ND
别名:1560-1180-1
1560-1180-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 13A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 500V 13A(Tc) 183W(Tc) TO-220
型号:
GP1M013A050H
仓库库存编号:
1560-1181-5-ND
别名:1560-1181-1
1560-1181-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 14A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 500V 14A(Tc) 53W(Tc) TO-220F
型号:
GP1M015A050FH
仓库库存编号:
1560-1182-5-ND
别名:1560-1182-1
1560-1182-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 250V 16A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 16A(Tc) 93.9W(Tc) D-Pak
型号:
GP1M016A025CG
仓库库存编号:
1560-1183-1-ND
别名:1560-1183-1
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 250V 16A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 250V 16A(Tc) 30.4W(Tc) TO-220F
型号:
GP1M016A025FG
仓库库存编号:
1560-1184-5-ND
别名:1560-1184-1
1560-1184-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 250V 16A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 250V 16A(Tc) 93.9W(Tc) TO-220
型号:
GP1M016A025HG
仓库库存编号:
1560-1185-5-ND
别名:1560-1185-1
1560-1185-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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MOSFET N-CH 600V 16A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 16A(Tc) 48W(Tc) TO-220F
型号:
GP1M016A060F
仓库库存编号:
1560-1186-5-ND
别名:1560-1186-1
1560-1186-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 16A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 16A(Tc) 290W(Tc) TO-220
型号:
GP1M016A060H
仓库库存编号:
1560-1187-5-ND
别名:1560-1187-1
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产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 16A TO3PN
详细描述:通孔 N 沟道 600V 16A(Tc) 312W(Tc) TO-3PN
型号:
GP1M016A060N
仓库库存编号:
1560-1188-5-ND
别名:1560-1188-1
1560-1188-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 200V 18A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 200V 18A(Tc) 94W(Tc) TO-220
型号:
GP1M018A020HG
仓库库存编号:
1560-1189-5-ND
别名:1560-1189-1
1560-1189-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 23A TO3PN
详细描述:通孔 N 沟道 500V 23A(Tc) 347W(Tc) TO-3PN
型号:
GP1M023A050N
仓库库存编号:
1560-1192-5-ND
别名:1560-1192-1
1560-1192-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 2A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 2A(Tc) 17.3W(Tc) TO-220F
型号:
GP2M002A060FG
仓库库存编号:
1560-1193-5-ND
别名:1560-1193-1
1560-1193-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 650V 4A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 650V 4A(Tc) 32.8W(Tc) TO-220F
型号:
GP2M004A065FG
仓库库存编号:
1560-1195-5-ND
别名:1560-1195-1
1560-1195-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 650V 4A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 650V 4A(Tc) 98.4W(Tc) I-Pak
型号:
GP2M004A065PG
仓库库存编号:
1560-1196-5-ND
别名:1560-1196-1
1560-1196-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 4.5A(Tc) 98.4W(Tc) D-Pak
型号:
GP2M005A050CG
仓库库存编号:
1560-1197-1-ND
别名:1560-1197-1
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 4.5A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 500V 4.5A(Tc) 98.4W(Tc) I-Pak
型号:
GP2M005A050PG
仓库库存编号:
1560-1198-5-ND
别名:1560-1198-1
1560-1198-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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