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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 1.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 1.5A（Tc） 46W（Tc） DPAK
  
  型号：NDD01N60T4G
  仓库库存编号：NDD01N60T4G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 169A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 220A（Tc） 283W（Tc） D2PAK-3
  
  型号：NVB5860NT4G
  仓库库存编号：NVB5860NT4G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 42A（Tc） 136W（Tc） D2PAK-3
  
  型号：NVB6413ANT4G
  仓库库存编号：NVB6413ANT4G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 26A TO3P3L
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 26A（Ta） 2.5W（Ta），220W（Tc） TO-3P-3L
  
  型号：WPB4001-1E
  仓库库存编号：WPB4001-1E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 23A TO3P3L
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 23A（Ta） 2.5W（Ta），220W（Tc） TO-3P-3L
  
  型号：WPB4002-1E
  仓库库存编号：WPB4002-1E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 4A TO251A
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 4A（Tc） 83W（Tc） TO-251A
  
  型号：AOI4T60
  仓库库存编号：AOI4T60-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 20A TO262
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 20A（Tc） 463W（Tc） TO-262
  
  型号：AOW20C60
  仓库库存编号：AOW20C60-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  MOSFET N-CH 500V 38A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 38A（Tc） 500W（Tc） SOT-227
  
  型号：VS-FA38SA50LCP
  仓库库存编号：VS-FA38SA50LCP-ND
  别名：VSFA38SA50LCP
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 100V 180A（Tc） 480W（Tc） SOT-227
  
  型号：VS-FB180SA10P
  仓库库存编号：VS-FB180SA10P-ND
  别名：VSFB180SA10P
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 12A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 12A（Tc） 250W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：AOB12T60PL
  仓库库存编号：785-1700-1-ND
  别名：785-1700-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 400V 2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 2A（Tc） 30W（Tc） D-Pak
  
  型号：GP1M003A040CG
  仓库库存编号：GP1M003A040CG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 400V 2A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 2A（Tc） 30W（Tc） I-Pak
  
  型号：GP1M003A040PG
  仓库库存编号：GP1M003A040PG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 2.5A（Tc） 52W（Tc） D-Pak
  
  型号：GP1M003A050CG
  仓库库存编号：GP1M003A050CG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 2.5A（Tc） 52.1W（Tc） TO-220
  
  型号：GP1M003A050HG
  仓库库存编号：GP1M003A050HG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 500V 2.5A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 2.5A（Tc） 52W（Tc） I-Pak
  
  型号：GP1M003A050PG
  仓库库存编号：GP1M003A050PG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 800V 3A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 3A（Tc） 94W（Tc） TO-220
  
  型号：GP1M003A080H
  仓库库存编号：GP1M003A080H-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 800V 3A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 3A（Tc） 94W（Tc） I-Pak
  
  型号：GP1M003A080PH
  仓库库存编号：GP1M003A080PH-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 900V 4A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 4A（Tc） 38.7W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP1M004A090FH
  仓库库存编号：GP1M004A090FH-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 900V 4A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 4A（Tc） 123W（Tc） TO-220
  
  型号：GP1M004A090H
  仓库库存编号：GP1M004A090H-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 400V 3.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 3.4A（Tc） 50W（Tc） D-Pak
  
  型号：GP1M005A040CG
  仓库库存编号：GP1M005A040CG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 400V 3.4A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 3.4A（Tc） 50W（Tc） I-Pak
  
  型号：GP1M005A040PG
  仓库库存编号：GP1M005A040PG-ND
  
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  MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 4.5A（Tc） 92.5W（Tc） D-Pak
  
  型号：GP1M005A050CH
  仓库库存编号：GP1M005A050CH-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 4.5A（Tc） 32W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP1M005A050FH
  仓库库存编号：GP1M005A050FH-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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  MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 4.5A（Tc） 92.5W（Tc） TO-220
  
  型号：GP1M005A050H
  仓库库存编号：GP1M005A050H-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 500V 4.5A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 4.5A（Tc） 92.5W（Tc） I-Pak
  
  型号：GP1M005A050PH
  仓库库存编号：GP1M005A050PH-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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