产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(12767)
晶体管 - FET,MOSFET - 单
(12767)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(370)
Central Semiconductor Corp(12)
Diodes Incorporated(189)
Exar Corporation(1)
Fairchild/Micross Components(1)
Fairchild/ON Semiconductor(1752)
Global Power Technologies Group(133)
Infineon Technologies(2745)
IXYS(1803)
Micro Commercial Co(14)
Microchip Technology(5)
Microsemi Corporation(546)
Nexperia USA Inc.(426)
NXP USA Inc.(149)
ON Semiconductor(411)
Panasonic Electronic Components(14)
Renesas Electronics America(187)
Rohm Semiconductor(186)
Sanken(29)
STMicroelectronics(1786)
Taiwan Semiconductor Corporation(231)
Toshiba Semiconductor and Storage(323)
TT Electronics/Optek Technology(3)
Vishay Semiconductor Diodes Division(11)
Vishay Siliconix(1440)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 22A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 600V 22A(Tc) 370W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP22N60K
仓库库存编号:
IRFP22N60K-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 26A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 600V 26A(Tc) 470W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP26N60L
仓库库存编号:
IRFP26N60L-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 38A SUPER247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 38A(Tc) 540W(Tc) SUPER-247(TO-274AA)
型号:
IRFPS38N60L
仓库库存编号:
IRFPS38N60L-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 40A SUPER247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 40A(Tc) 570W(Tc) SUPER-247(TO-274AA)
型号:
IRFPS40N60K
仓库库存编号:
IRFPS40N60K-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 29A(Tc) 250W(Tc) D2PAK(TO-263)
型号:
SIHB30N60E-E3
仓库库存编号:
SIHB30N60E-E3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 23A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 600V 23A(Tc) 227W(Tc) TO-247AD
型号:
SIHW23N60E-GE3
仓库库存编号:
SIHW23N60E-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 47A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 650V 47A(Tc) 417W(Tc) TO-247AD
型号:
SIHW47N65E-GE3
仓库库存编号:
SIHW47N65E-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 80V 0.88A TO-205
详细描述:通孔 P 沟道 80V 880mA(Ta) 6.25W(Ta) TO-39
型号:
VP0808B
仓库库存编号:
VP0808B-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 80V 0.88A TO-205
详细描述:通孔 P 沟道 80V 880mA(Ta) 6.25W(Ta) TO-39
型号:
VP0808B-2
仓库库存编号:
VP0808B-2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 80V 0.88A TO-205
详细描述:通孔 P 沟道 80V 880mA(Ta) 6.25W(Ta) TO-39
型号:
VP0808B-E3
仓库库存编号:
VP0808B-E3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V .79A TO-205
详细描述:通孔 P 沟道 100V 790mA(Ta) 6.25W(Ta) TO-39
型号:
VP1008B
仓库库存编号:
VP1008B-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
含铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 6A(Tc) 89W(Tc) D-Pak
型号:
FDD6N50TM
仓库库存编号:
FDD6N50TM-5-ND
别名:FDD6N50TM-5
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 4A TO-252
详细描述:通孔 N 沟道 600V 4A(Tc) 125W(Tc) TO-251A
型号:
AOI4C60
仓库库存编号:
785-1648-5-ND
别名:785-1648-5
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 11A TO-262F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 11A(Tc) 28W(Tc) TO-262F
型号:
AOWF11C60
仓库库存编号:
785-1656-5-ND
别名:785-1656-5
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 2A
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 2A(Tc) 52W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD2C60
仓库库存编号:
785-1662-1-ND
别名:785-1662-1
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 16A
详细描述:通孔 N 沟道 500V 11A(Tc) 2W(Ta),40W(Tc) TO-220F-3FS
型号:
2SK4085LS-1E
仓库库存编号:
2SK4085LS-1E-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 14A
详细描述:通孔 N 沟道 600V 9.2A(Tc) 2W(Ta),40W(Tc) TO-220F-3FS
型号:
2SK4087LS-1E
仓库库存编号:
2SK4087LS-1E-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 650V 11A
详细描述:通孔 N 沟道 650V 7.5A(Tc) 2W(Ta),37W(Tc) TO-220F-3FS
型号:
2SK4088LS-1E
仓库库存编号:
2SK4088LS-1E-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 8.5A
详细描述:通孔 N 沟道 600V 6.9A(Tc) 2W(Ta),35W(Tc) TO-220F-3FS
型号:
2SK4099LS-1E
仓库库存编号:
2SK4099LS-1E-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 20A
详细描述:通孔 N 沟道 500V 20A(Ta) 2.5W(Ta),170W(Tc) TO-3P-3L
型号:
2SK4124-1E
仓库库存编号:
2SK4124-1E-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 17A
详细描述:通孔 N 沟道 600V 17A(Ta) 2.5W(Ta),170W(Tc) TO-3P-3L
型号:
2SK4125-1E
仓库库存编号:
2SK4125-1E-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 8.7A
详细描述:通孔 N 沟道 600V 8.7A(Tc) 2W(Ta),40W(Tc) TO-220F-3FS
型号:
BFL4007-1E
仓库库存编号:
BFL4007-1E-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 9.6A
详细描述:通孔 N 沟道 500V 9.6A(Tc) 2W(Ta),37W(Tc) TO-220F-3FS
型号:
BFL4036-1E
仓库库存编号:
BFL4036-1E-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 11A
详细描述:通孔 N 沟道 500V 11A(Tc) 2W(Ta),40W(Tc) TO-220F-3FS
型号:
BFL4037-1E
仓库库存编号:
BFL4037-1E-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 1.5A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 600V 1.5A(Tc) 46W(Tc) I-Pak
型号:
NDD01N60-1G
仓库库存编号:
NDD01N60-1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
447
448
449
450
451
452
453
454
455
456
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号