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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 200V 18LCC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 2.8A（Tc） 800mW（Tc） 18-ULCC（9.14x7.49）
  
  型号：2N6790U
  仓库库存编号：2N6790U-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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  含铅
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 100V TO-205AF TO-39
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 8A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） TO-39
  
  型号：2N6796
  仓库库存编号：2N6796-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 100V 18LCC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 8A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） 18-ULCC（9.14x7.49）
  
  型号：2N6796U
  仓库库存编号：2N6796U-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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  含铅
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 200V TO-205AF TO-39
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 5.5A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） TO-39
  
  型号：2N6798
  仓库库存编号：2N6798-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 200V 18LCC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 5.5A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） 18-ULCC（9.14x7.49）
  
  型号：2N6798U
  仓库库存编号：2N6798U-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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  含铅
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 400V TO-205AF TO-39
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 3A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） TO-39
  
  型号：2N6800
  仓库库存编号：2N6800-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 400V 18LCC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 3A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） 18-ULCC（9.14x7.49）
  
  型号：2N6800U
  仓库库存编号：2N6800U-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V TO-205AF TO-39
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 2.5A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） TO-39
  
  型号：2N6802
  仓库库存编号：2N6802-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 18LCC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 2.5A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） 18-ULCC（9.14x7.49）
  
  型号：2N6802U
  仓库库存编号：2N6802U-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET P-CH 100V TO-205AF TO-39
  详细描述：通孔 P 沟道 100V 6.5A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） TO-39
  
  型号：2N6849
  仓库库存编号：2N6849-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET P-CH 100V 18-LCC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 6.5A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） 18-ULCC（9.14x7.49）
  
  型号：2N6849U
  仓库库存编号：2N6849U-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 10A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 10A（Tc） 208W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT10T60L
  仓库库存编号：785-1635-5-ND
  别名：785-1635-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 10A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 10A（Tc） 43W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF10T60
  仓库库存编号：785-1637-5-ND
  别名：785-1637-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 60V 12A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 12A（Tc） 33W（Tc） TO-252
  
  型号：IXTY12N06TTRL
  仓库库存编号：IXTY12N06TTRLCT-ND
  别名：IXTY12N06TTRLCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1400V 12A TO268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1400V 12A（Tc） 890W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT12N140
  仓库库存编号：IXTT12N140-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 15A I4-PAC
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 15A（Tc） ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：MKE11R600DCGFC
  仓库库存编号：MKE11R600DCGFC-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 11.5A 5DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 11.5A（Ta） 104W（Tc） 5-DFN（8x8）
  
  型号：TK12V60W,LVQ
  仓库库存编号：TK12V60WLVQCT-ND
  别名：TK12V60WLVQCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 15.8A 5DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 15.8A（Ta） 139W（Tc） 5-DFN（8x8）
  
  型号：TK16V60W,LVQ
  仓库库存编号：TK16V60WLVQCT-ND
  别名：TK16V60WLVQCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 100V 38A TO-204AE
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 38A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-3
  
  型号：2N6764T1
  仓库库存编号：2N6764T1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 400V 14A TO-254AA
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 14A（Ta） 4W（Ta），150W（Tc） TO-254AA
  
  型号：2N6768T1
  仓库库存编号：2N6768T1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 12A TO-254AA
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 12A（Ta） 4W（Ta），150W（Tc） TO-254AA
  
  型号：2N6770T1
  仓库库存编号：2N6770T1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET P-CH 50V SC-75
  详细描述：表面贴装 P 沟道 50V 150mA（Ta） 250mW（Ta），770mW（Tc） SC-75
  
  型号：BSS84AKT,115
  仓库库存编号：568-10473-1-ND
  别名：568-10473-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 341W（Tc） TO-263AB
  
  型号：FDB8132_F085
  仓库库存编号：FDB8132_F085CT-ND
  别名：FDB8132_F085CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 800MA 4-DIP
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 800mA（Tc） 1W（Tc） 4-HVMDIP
  
  型号：IRFD113
  仓库库存编号：IRFD113-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 21A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 21A（Tc） 330W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFP21N60L
  仓库库存编号：IRFP21N60L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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