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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 12A（Ta） 55W（Tj） DPAK-3
  
  型号：NTD2955PT4G
  仓库库存编号：NTD2955PT4GOSCT-ND
  别名：NTD2955PT4GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 21A TP
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 21A（Ta） 1W（Ta），23W（Tc） TP
  
  型号：SFT1450-H
  仓库库存编号：SFT1450-H-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 3.3A TO-220F-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 3.3A（Tc） 2W（Ta），28W（Tc） TO-220-3
  
  型号：2SK4197FS
  仓库库存编号：2SK4197FS-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 4A TO-220F-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 4A（Tc） 2W（Ta），30W（Tc） TO-220-3
  
  型号：2SK4198FS
  仓库库存编号：2SK4198FS-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 75A（Tc） 221W（Tc） SOT-426
  
  型号：BUK7108-40AIE,118
  仓库库存编号：568-9629-1-ND
  别名：568-9629-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 75A（Tc） 211W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK7609-55A,118
  仓库库存编号：568-9646-1-ND
  别名：568-9646-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 5.5A（Tc） 8W（Tc） SOT-223
  
  型号：BUK78150-55A,115
  仓库库存编号：568-9711-1-ND
  别名：568-9711-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 7A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 7A（Tc） 8W（Tc） SOT-223
  
  型号：BUK7880-55A,115
  仓库库存编号：568-9712-1-ND
  别名：568-9712-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 60V 13A TO262F
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 13A（Ta），51A（Tc） 2.1W（Ta），33.3W（Tc） TO-262F
  
  型号：AOWF2606
  仓库库存编号：785-1448-5-ND
  别名：785-1448-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 120A（Tc） 349W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK751R8-40E,127
  仓库库存编号：1727-7234-ND
  别名：1727-7234
  568-9838-5
  568-9838-5-ND
  934066479127
  BUK751R840E127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 80V 120A（Tc） 349W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK753R8-80E,127
  仓库库存编号：1727-7237-ND
  别名：1727-7237
  568-9843-5
  568-9843-5-ND
  934066482127
  BUK753R880E127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 120A（Tc） 349W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK755R4-100E,127
  仓库库存编号：1727-7238-ND
  别名：1727-7238
  568-9845-5
  568-9845-5-ND
  934066483127
  BUK755R4100E127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 75A（Tc） 96W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK758R3-40E,127
  仓库库存编号：1727-7239-ND
  别名：1727-7239
  568-9846-5
  568-9846-5-ND
  934066425127
  BUK758R340E127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 4500V 0.2A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4500V 200mA（Tc） 113W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA02N450HV
  仓库库存编号：IXTA02N450HV-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 4000V 300MA I4PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 4000V 300mA（Tc） 70W（Tc） ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：IXTF03N400
  仓库库存编号：IXTF03N400-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2500V 200mA（Tc） 83W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA02N250
  仓库库存编号：IXTA02N250-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 120V 88A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 120V 88A（Tc） 140W（Tc） TO-220
  
  型号：TK42E12N1,S1X
  仓库库存编号：TK42E12N1S1X-ND
  别名：TK42E12N1S1X
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 15.8A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 15.8A（Ta） 40W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK16A60W5,S4VX
  仓库库存编号：TK16A60W5S4VX-ND
  别名：TK16A60W5S4VX
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 120A（Tc） 324W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK761R4-30E,118
  仓库库存编号：568-10169-1-ND
  别名：568-10169-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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  不受无铅要求限制
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 11.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 11.5A（Ta） 100W（Tc） DPAK
  
  型号：TK12P60W,RVQ
  仓库库存编号：TK12P60WRVQCT-ND
  别名：TK12P60WRVQCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 11.5A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 11.5A（Ta） 100W（Tc） I-Pak
  
  型号：TK12Q60W,S1VQ
  仓库库存编号：TK12Q60WS1VQ-ND
  别名：TK12Q60WS1VQ
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 900V 10A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 10A（Tc） 403W（Tc） TO-247
  
  型号：AOK10N90
  仓库库存编号：AOK10N90-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 900V 10A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 10A（Tc） 50W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF10N90
  仓库库存编号：AOTF10N90-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 900V 3A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 3A（Ta） 80W（Tc） TO-3P
  
  型号：2SK1339-E
  仓库库存编号：2SK1339-E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 900V 5A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 5A（Ta） 100W（Tc） TO-3P
  
  型号：2SK1340-E
  仓库库存编号：2SK1340-E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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