产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 55V 100A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 55V 100A(Tc) 150W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP3205
仓库库存编号:
FDP3205-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 6A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 900V 6A(Tc) 56W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF6N90CT
仓库库存编号:
FQPF6N90CT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 10A(Tc) 165W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB12N50UTM_WS
仓库库存编号:
FDB12N50UTM_WSCT-ND
别名:FDB12N50UTM_WSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 30A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 30A(Tc) 3W(Ta),125W(Tc) D2PAK
型号:
MTB30P06VT4G
仓库库存编号:
MTB30P06VT4GOSCT-ND
别名:MTB30P06VT4GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 6A(Tc) 1.25W(Ta),20W(Tc) DPAK-3
型号:
MTD6N15T4G
仓库库存编号:
MTD6N15T4GOSCT-ND
别名:MTD6N15T4GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 30A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 30A(Ta) 2W(Ta),214W(Tc) D2PAK
型号:
NTB30N20T4G
仓库库存编号:
NTB30N20T4GOSCT-ND
别名:NTB30N20T4GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 52A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 52A(Tc) 2W(Ta),178W(Tc) D2PAK
型号:
NTB52N10T4G
仓库库存编号:
NTB52N10T4GOSCT-ND
别名:NTB52N10T4GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 80A(Tc) 166W(Tc) D2PAK
型号:
NTB5411NT4G
仓库库存编号:
NTB5411NT4G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 60A(Tc) 125W(Tc) D2PAK
型号:
NTB5412NT4G
仓库库存编号:
NTB5412NT4G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 30A(Ta) 68W(Tc) DPAK
型号:
NTD5413NT4G
仓库库存编号:
NTD5413NT4G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 24A(Ta) 55W(Tc) DPAK
型号:
NTD5414NT4G
仓库库存编号:
NTD5414NT4G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 3.9A(Tc) 50W(Tc) D-Pak
型号:
FCD4N60TM_WS
仓库库存编号:
FCD4N60TM_WSCT-ND
别名:FCD4N60TM_WSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 32A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 32A(Tc) 5.2W(Ta),64W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7186DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7186DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7186DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 13A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 13A(Tc) 3.8W(Ta),5.2W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7620DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7620DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7620DN-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 75V 20.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 20.5A(Tc) 3.6W(Ta),7.8W(Tc) 8-SO
型号:
SI4108DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4108DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4108DY-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 17.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 17.3A(Tc) 3.6W(Ta),7.8W(Tc) 8-SO
型号:
SI4110DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4110DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4110DY-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 450V 10A TO220FL
详细描述:通孔 N 沟道 450V 10A(Ta) 65W(Tc) TO-220FL
型号:
2SK3309(Q)
仓库库存编号:
2SK3309(Q)-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 450V 10A TO220SM
详细描述:表面贴装 N 沟道 450V 10A(Ta) 65W(Tc) TO-220SM
型号:
2SK3309(TE24L,Q)
仓库库存编号:
2SK3309(TE24L,Q)-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 250V 4A SOP-8 ADV
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 4A(Ta) 1.6W(Ta),45W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)
型号:
TPCA8008-H(TE12LQM
仓库库存编号:
TPCA8008-H(TE12LQM-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 200V 5.5A SOP-8 ADV
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 5.5A(Ta) 1.6W(Ta),45W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)
型号:
TPCA8010-H(TE12LQM
仓库库存编号:
TPCA8010-H(TE12LQM-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 12A PLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 1200V 12A(Tc) 543W(Tc) PLUS220
型号:
IXFV12N120P
仓库库存编号:
IXFV12N120P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 12A PLUS220SMD
详细描述:表面贴装 N 沟道 1200V 12A(Tc) 543W(Tc) PLUS-220SMD
型号:
IXFV12N120PS
仓库库存编号:
IXFV12N120PS-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 15A PLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 15A(Tc) 543W(Tc) PLUS220
型号:
IXFV15N100P
仓库库存编号:
IXFV15N100P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 15A PLUS220SMD
详细描述:表面贴装 N 沟道 1000V 15A(Tc) 543W(Tc) PLUS-220SMD
型号:
IXFV15N100PS
仓库库存编号:
IXFV15N100PS-ND
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 5.4A TO220ABFP
详细描述:通孔 N 沟道 600V 5.4A(Tc) TO-220ABFP
型号:
IXKP10N60C5M
仓库库存编号:
IXKP10N60C5M-ND
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