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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT-223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 1.7A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
  
  型号：NTF2955PT1G
  仓库库存编号：NTF2955PT1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 200V 0.12A TO92-3
  详细描述：通孔 P 沟道 200V 120mA（Ta） 700mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：ZVP2120ASTZ
  仓库库存编号：ZVP2120ASCT-ND
  别名：ZVP2120ASCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 75V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 80A（Tc） 268W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT430
  仓库库存编号：785-1145-2-ND
  别名：785-1145-2
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 60V 85A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 85A（Tc） 268W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT460
  仓库库存编号：785-1146-2-ND
  别名：785-1146-2
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 60V 70A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 70A（Tc） 100W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT462
  仓库库存编号：785-1147-2-ND
  别名：785-1147-2
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 52A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 600V 52A（Tc） 290W（Tc） SOT-227
  
  型号：APT50N60JCU2
  仓库库存编号：APT50N60JCU2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 72A SP1
  详细描述：底座安装 N 沟道 600V 72A（Tc） 416W（Tc） SP1
  
  型号：APTC60DAM35T1G
  仓库库存编号：APTC60DAM35T1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 72A SP1
  详细描述：底座安装 N 沟道 600V 72A（Tc） 416W（Tc） SP1
  
  型号：APTC60SKM35T1G
  仓库库存编号：APTC60SKM35T1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 28A SP1
  详细描述：底座安装 N 沟道 800V 28A（Tc） 277W（Tc） SP1
  
  型号：APTC80DA15T1G
  仓库库存编号：APTC80DA15T1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 28A SP1
  详细描述：底座安装 N 沟道 800V 28A（Tc） 277W（Tc） SP1
  
  型号：APTC80SK15T1G
  仓库库存编号：APTC80SK15T1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 40A SP1
  详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 40A（Tc） 657W（Tc） SP1
  
  型号：APTM100DA18T1G
  仓库库存编号：APTM100DA18T1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 20A SP1
  详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 20A（Tc） 357W（Tc） SP1
  
  型号：APTM100DA40T1G
  仓库库存编号：APTM100DA40T1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 20A SP1
  详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 20A（Tc） 357W（Tc） SP1
  
  型号：APTM100SK40T1G
  仓库库存编号：APTM100SK40T1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 65A J3
  详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 65A（Tc） 1250W（Tc） 模块
  
  型号：APTM100U13SG
  仓库库存编号：APTM100U13SG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 60A SP6
  详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 60A（Tc） 1250W（Tc） SP6
  
  型号：APTM120DA15G
  仓库库存编号：APTM120DA15G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 34A SP4
  详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 34A（Tc） 780W（Tc） SP4
  
  型号：APTM120DA29TG
  仓库库存编号：APTM120DA29TG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 18A SP1
  详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 18A（Tc） 390W（Tc） SP1
  
  型号：APTM120DA56T1G
  仓库库存编号：APTM120DA56T1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 15A SP1
  详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 15A（Tc） 357W（Tc） SP1
  
  型号：APTM120DA68T1G
  仓库库存编号：APTM120DA68T1G-ND
  
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 60A SP6
  详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 60A（Tc） 1250W（Tc） SP6
  
  型号：APTM120SK15G
  仓库库存编号：APTM120SK15G-ND
  
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  MOSFET N-CH 1200V 34A SP4
  详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 34A（Tc） 780W（Tc） SP4
  
  型号：APTM120SK29TG
  仓库库存编号：APTM120SK29TG-ND
  
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  MOSFET N-CH 1200V 18A SP1
  详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 18A（Tc） 390W（Tc） SP1
  
  型号：APTM120SK56T1G
  仓库库存编号：APTM120SK56T1G-ND
  
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 15A SP1
  详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 15A（Tc） 357W（Tc） SP1
  
  型号：APTM120SK68T1G
  仓库库存编号：APTM120SK68T1G-ND
  
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  MOSFET N-CH 1200V 116A SP6
  详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 160A（Tc） 3290W（Tc） SP6
  
  型号：APTM120U10DAG
  仓库库存编号：APTM120U10DAG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 103A SP6
  详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 103A（Tc） 2272W（Tc） SP6
  
  型号：APTM120UM95FAG
  仓库库存编号：APTM120UM95FAG-ND
  
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 200V 175A SP4
  详细描述：底座安装 N 沟道 200V 175A（Tc） 694W（Tc） SP4
  
  型号：APTM20DAM10TG
  仓库库存编号：APTM20DAM10TG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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