产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 200A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 75V 200A(Tc) 430W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ200N075T
仓库库存编号:
IXTQ200N075T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 85V 200A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 85V 200A(Tc) 480W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ200N085T
仓库库存编号:
IXTQ200N085T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 55V 220A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 55V 220A(Tc) 430W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ220N055T
仓库库存编号:
IXTQ220N055T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 220A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 75V 220A(Tc) 480W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ220N075T
仓库库存编号:
IXTQ220N075T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 85V 230A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 85V 230A(Tc) 550W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ230N085T
仓库库存编号:
IXTQ230N085T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 55V 240A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 55V 240A(Tc) 480W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ240N055T
仓库库存编号:
IXTQ240N055T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 250A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 75V 250A(Tc) 550W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ250N075T
仓库库存编号:
IXTQ250N075T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 55V 280A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 55V 280A(Tc) 550W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ280N055T
仓库库存编号:
IXTQ280N055T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 1000V 1.5A(Tc) 60W(Tc) TO-268
型号:
IXTT1N100
仓库库存编号:
IXTT1N100-ND
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 200A PLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 100V 200A(Tc) 550W(Tc) PLUS220
型号:
IXTV200N10T
仓库库存编号:
IXTV200N10T-ND
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无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 200A PLUS220SMD
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 200A(Tc) 550W(Tc) PLUS-220SMD
型号:
IXTV200N10TS
仓库库存编号:
IXTV200N10TS-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 85V 230A PLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 85V 230A(Tc) 550W(Tc) PLUS220
型号:
IXTV230N085T
仓库库存编号:
IXTV230N085T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 85V 230A PLUS220SMD
详细描述:表面贴装 N 沟道 85V 230A(Tc) 550W(Tc) PLUS-220SMD
型号:
IXTV230N085TS
仓库库存编号:
IXTV230N085TS-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 250A PLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 75V 250A(Tc) 550W(Tc) PLUS220
型号:
IXTV250N075T
仓库库存编号:
IXTV250N075T-ND
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 250A PLUS220SMD
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 250A(Tc) 550W(Tc) PLUS-220SMD
型号:
IXTV250N075TS
仓库库存编号:
IXTV250N075TS-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 55V 280A PLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 55V 280A(Tc) 550W(Tc) PLUS220
型号:
IXTV280N055T
仓库库存编号:
IXTV280N055T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 55V 280A PLUS220SMD
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 280A(Tc) 550W(Tc) PLUS-220SMD
型号:
IXTV280N055TS
仓库库存编号:
IXTV280N055TS-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 85V 50A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 85V 50A(Tc) 130W(Tc) TO-252
型号:
IXTY50N085T
仓库库存编号:
IXTY50N085T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 55A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 55A(Tc) 130W(Tc) TO-252
型号:
IXTY55N075T
仓库库存编号:
IXTY55N075T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 4.8A TO-252AA
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 4.8A(Tc) 89W(Tc) TO-252
型号:
IXTY5N50P
仓库库存编号:
IXTY5N50P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 55V 64A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 64A(Tc) 130W(Tc) TO-252
型号:
IXTY64N055T
仓库库存编号:
IXTY64N055T-ND
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 280A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 100V 280A(Tc) 770W(Tc) SOT-227B
型号:
IXUN280N10
仓库库存编号:
IXUN280N10-ND
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 165A ECO-PAC2
详细描述:底座安装 N 沟道 100V 165A(Tc) 400W(Tc) ECO-PAC2
型号:
VMO150-01P1
仓库库存编号:
VMO150-01P1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 150V 0.42A SC70-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 150V 420mA(Ta) 1W(Ta) SC-70-6(SOT-363)
型号:
SI1411DH-T1-E3
仓库库存编号:
SI1411DH-T1-E3CT-ND
别名:SI1411DH-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 13A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 13A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7459DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7459DP-T1-E3CT-ND
别名:SI7459DP-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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