产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 600V 9.2A（Tc） 170W（Tc） I2PAK
型号：
IRFSL9N60ATRL
仓库库存编号：
IRFSL9N60ATRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 600V 9.2A（Tc） 170W（Tc） I2PAK
型号：
IRFSL9N60ATRR
仓库库存编号：
IRFSL9N60ATRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 50V 8.2A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 50V 8.2A（Tc） 25W（Tc） TO-251AA
型号：
IRFU010
仓库库存编号：
IRFU010-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 1.4A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 600V 1.4A（Tc） 36W（Tc） TO-251AA
型号：
IRFU1N60A
仓库库存编号：
IRFU1N60A-ND
别名：*IRFU1N60A
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 50V 5.3A I-PAK
详细描述：通孔 P 沟道 50V 5.3A（Tc） 25W（Tc） TO-251AA
型号：
IRFU9010
仓库库存编号：
IRFU9010-ND
别名：*IRFU9010
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 10A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 60V 10A（Tc） 43W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFZ10
仓库库存编号：
IRFZ10-ND
别名：*IRFZ10
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 10A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 60V 10A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） TO-262-3
型号：
IRFZ14L
仓库库存编号：
IRFZ14L-ND
别名：*IRFZ14L
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 10A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） D2PAK
型号：
IRFZ14STRL
仓库库存编号：
IRFZ14STRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 10A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） D2PAK
型号：
IRFZ14STRR
仓库库存编号：
IRFZ14STRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 17A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 60V 17A（Tc） 3.7W（Ta），60W（Tc） TO-262-3
型号：
IRFZ24L
仓库库存编号：
IRFZ24L-ND
别名：*IRFZ24L
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 17A（Tc） 3.7W（Ta），60W（Tc） D2PAK
型号：
IRFZ24STRL
仓库库存编号：
IRFZ24STRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 17A（Tc） 3.7W（Ta），60W（Tc） D2PAK
型号：
IRFZ24STRR
仓库库存编号：
IRFZ24STRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 30A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 60V 30A（Tc） 3.7W（Ta），88W（Tc） TO-262-3
型号：
IRFZ34L
仓库库存编号：
IRFZ34L-ND
别名：*IRFZ34L
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 30A（Tc） 3.7W（Ta），88W（Tc） D2PAK
型号：
IRFZ34S
仓库库存编号：
IRFZ34S-ND
别名：*IRFZ34S
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 30A（Tc） 3.7W（Ta），88W（Tc） D2PAK
型号：
IRFZ34STRL
仓库库存编号：
IRFZ34STRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 30A（Tc） 3.7W（Ta），88W（Tc） D2PAK
型号：
IRFZ34STRR
仓库库存编号：
IRFZ34STRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 60V 50A（Tc） 3.7W（Ta），150W（Tc） TO-262-3
型号：
IRFZ44L
仓库库存编号：
IRFZ44L-ND
别名：*IRFZ44L
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 50A（Tc） 3.7W（Ta），150W（Tc） D2PAK
型号：
IRFZ44STRL
仓库库存编号：
IRFZ44STRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 60V 50A（Tc） 3.7W（Ta），190W（Tc） TO-262-3
型号：
IRFZ48L
仓库库存编号：
IRFZ48L-ND
别名：*IRFZ48L
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 50A（Tc） 3.7W（Ta），190W（Tc） D2PAK
型号：
IRFZ48S
仓库库存编号：
IRFZ48S-ND
别名：*IRFZ48S
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 50A（Tc） 3.7W（Ta），190W（Tc） D2PAK
型号：
IRFZ48STRL
仓库库存编号：
IRFZ48STRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 50A（Tc） 3.7W（Ta），190W（Tc） D2PAK
型号：
IRFZ48STRR
仓库库存编号：
IRFZ48STRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 200mA（Ta） 625mW（Ta） E-Line（TO-92 兼容）
型号：
ZVN3310ASTOB
仓库库存编号：
ZVN3310ASTOB-ND
别名：Q1030741
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT23-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 250mA（Ta） 300mW（Ta） SOT-23-3
型号：
BS870-7
仓库库存编号：
BS870DICT-ND
别名：BS870
BS8707
BS870CT
BS870CT-ND
BS870DICT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 50V 200mA（Ta） 300mW（Ta） SOT-23-3
型号：
BSS138-7
仓库库存编号：
BSS138DICT-ND
别名：BSS1387
BSS138DICT
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