产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 1.8A(Tc) D2PAK
型号:
IRFBE20STRR
仓库库存编号:
IRFBE20STRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 800V 4.1A(Tc) 125W(Tc) I2PAK
型号:
IRFBE30L
仓库库存编号:
IRFBE30L-ND
别名:*IRFBE30L
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 4.1A(Tc) 125W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBE30S
仓库库存编号:
IRFBE30S-ND
别名:*IRFBE30S
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 4.1A(Tc) 125W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBE30STRL
仓库库存编号:
IRFBE30STRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 4.1A(Tc) 125W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBE30STRR
仓库库存编号:
IRFBE30STRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 900V 1.7A(Tc) 3.1W(Ta),54W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBF20STRL
仓库库存编号:
IRFBF20STRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 900V 1.7A(Tc) 3.1W(Ta),54W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBF20STRR
仓库库存编号:
IRFBF20STRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 3.6A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 900V 3.6A(Tc) I2PAK
型号:
IRFBF30L
仓库库存编号:
IRFBF30L-ND
别名:*IRFBF30L
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 900V 3.6A(Tc) 125W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBF30S
仓库库存编号:
IRFBF30S-ND
别名:*IRFBF30S
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 900V 3.6A(Tc) 125W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBF30STRL
仓库库存编号:
IRFBF30STRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 900V 3.6A(Tc) 125W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBF30STRR
仓库库存编号:
IRFBF30STRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 1.4A(Ta) I2PAK
型号:
IRFBG20L
仓库库存编号:
IRFBG20L-ND
别名:*IRFBG20L
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 7.2A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 100V 7.2A(Tc) 37W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI520G
仓库库存编号:
IRFI520G-ND
别名:*IRFI520G
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 5.5A TO220FP
详细描述:通孔 P 沟道 100V 5.5A(Tc) 30W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI9520N
仓库库存编号:
IRFI9520N-ND
别名:*IRFI9520N
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 2A TO220FP
详细描述:通孔 P 沟道 200V 2A(Tc) 27W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI9610G
仓库库存编号:
IRFI9610G-ND
别名:*IRFI9610G
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 5.3A TO220FP
详细描述:通孔 P 沟道 60V 5.3A(Tc) 27W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI9Z14G
仓库库存编号:
IRFI9Z14G-ND
别名:*IRFI9Z14G
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 30A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 60V 30A(Tc) 48W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFIZ44G
仓库库存编号:
IRFIZ44G-ND
别名:*IRFIZ44G
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 790MA SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 790mA(Tc) 2W(Ta),3.1W(Tc) SOT-223
型号:
IRFL214TR
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IRFL214TR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 11A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 600V 11A(Tc) 190W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFPC50LC
仓库库存编号:
IRFPC50LC-ND
别名:*IRFPC50LC
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 50V 8.2A(Tc) 25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR010
仓库库存编号:
IRFR010-ND
别名:*IRFR010
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 50V 8.2A(Tc) 25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR010TRL
仓库库存编号:
IRFR010TRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 50V 8.2A(Tc) 25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR010TR
仓库库存编号:
IRFR010TR-ND
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 50V 8.2A(Tc) 25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR010TRR
仓库库存编号:
IRFR010TRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 7.7A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR014TRL
仓库库存编号:
IRFR014TRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 7.7A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR014TRR
仓库库存编号:
IRFR014TRR-ND
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