以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 98A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 98A（Tc） 1300W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX98N50P3
  仓库库存编号：IXFX98N50P3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 80A TO264
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 1300W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK80N60P3
  仓库库存编号：IXFK80N60P3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 46A TO247-4
  详细描述：通孔 N 沟道 46A（Tc） 227W（Tc） PG-TO247
  
  型号：IPZ65R045C7XKSA1
  仓库库存编号：IPZ65R045C7XKSA1-ND
  别名：SP001024004
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 68A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 68A（Tc） 450W（Tc） TO-247
  
  型号：STW70N60M2
  仓库库存编号：497-14226-5-ND
  别名：497-14226-5
  STW70N60M2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 54.9A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 54.9A（Tc） 500W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：SPW55N80C3FKSA1
  仓库库存编号：SPW55N80C3FKSA1-ND
  别名：SP000849356
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 52A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 52A（Tc） 360W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH52N30Q
  仓库库存编号：IXFH52N30Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 46A（Tc） 330W（Tc） TO-247
  
  型号：STW62N65M5
  仓库库存编号：497-13890-5-ND
  别名：497-13890-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 60A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 431W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R045CP
  仓库库存编号：IPW60R045CPIN-ND
  别名：IPW60R045CP-ND
  IPW60R045CPFKSA1
  IPW60R045CPIN
  IPW60R045CPXK
  IPW60R045CSX
  SP000067149
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 900V 36A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 36A（Tc） 417W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW90R120C3
  仓库库存编号：IPW90R120C3-ND
  别名：IPW90R120C3FKSA1
  IPW90R120C3XK
  Q4173182
  SP000413750
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET P-CH 500V 40A PLUS247
  详细描述：通孔 P 沟道 40A（Tc） 890W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXTX40P50P
  仓库库存编号：IXTX40P50P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET P-CH 200V 90A PLUS247
  详细描述：通孔 P 沟道 90A（Tc） 890W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXTX90P20P
  仓库库存编号：IXTX90P20P-ND
  别名：620108
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET P-CH 100V 108A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 P 沟道 108A（Tc） 312W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXTR170P10P
  仓库库存编号：IXTR170P10P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 90A TO-264AA
  详细描述：通孔 N 沟道 90A（Tc） 500W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK90N20
  仓库库存编号：IXFK90N20-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 168A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 168A（Tc） 900W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN180N25T
  仓库库存编号：IXFN180N25T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 180A TO-264AA
  详细描述：通孔 N 沟道 180A（Tc） 560W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK180N10
  仓库库存编号：IXFK180N10-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 1.1KV 13A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 360W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH13N110
  仓库库存编号：IXTH13N110-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 61A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 61A（Tc） 700W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN64N50P
  仓库库存编号：IXFN64N50P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 650V 75A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 595W（Tc） TO-247 长引线
  
  型号：FCH023N65S3_F155
  仓库库存编号：FCH023N65S3_F155-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 34A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 34A（Tc） 560W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX34N80
  仓库库存编号：IXFX34N80-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 44A TO-264AA
  详细描述：通孔 N 沟道 44A（Tc） 560W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK44N60
  仓库库存编号：IXFK44N60-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 112A SOT227
  详细描述：底座安装 N 沟道 112A（Tc） 1500W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN132N50P3
  仓库库存编号：IXFN132N50P3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Semiconductor Diodes Division
  MOSFET N-CH 100V 190A SOT227
  详细描述：底座安装 N 沟道 190A 568W（Tc） SOT-227
  
  型号：VS-FB190SA10
  仓库库存编号：VS-FB190SA10-ND
  别名：FB190SA10
  FB190SA10-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 1200V 26A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 26A（Tc） 960W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK26N120P
  仓库库存编号：IXFK26N120P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 53A（Tc） 1040W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN60N80P
  仓库库存编号：IXFN60N80P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 100A TO3P(L)
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Ta） 797W（Tc） TO-3P（L）
  
  型号：TK100L60W,VQ
  仓库库存编号：TK100L60WVQ-ND
  别名：TK100L60W,VQ(O
  TK100L60WVQ
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索