产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 160A（Tc） 195W（Tc） D2PAK
型号：
IRLS3813PBF
仓库库存编号：
IRLS3813PBF-ND
别名：SP001576946
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP80N06S08AKSA1
仓库库存编号：
SPP80N06S08AKSA1-ND
别名：SP000054054
SP000084810
SPP80N06S-08
SPP80N06S-08-ND
SPP80N06S08
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 11A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 800V 11A（Tc） 34W（Tc） PG-TO220-3
型号：
SPA11N80C3XKSA2
仓库库存编号：
SPA11N80C3XKSA2-ND
别名：SP000216321
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 75A（Tc） 200W（Tc） D2PAK
型号：
IRF1503STRLPBF
仓库库存编号：
IRF1503STRLPBF-ND
别名：SP001550938
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 600V 11A（Tc） 33W（Tc） PG-TO-220-FP
型号：
IPA60R299CPXKSA1
仓库库存编号：
IPA60R299CPXKSA1-ND
别名：IPA60R299CP
IPA60R299CP-ND
SP000096438
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 650V 7A（Tc） 29W（Tc） PG-TO220-FP
型号：
IPA65R225C7XKSA1
仓库库存编号：
IPA65R225C7XKSA1-ND
别名：SP001080144
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 100A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 75V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI100N08S207AKSA1
仓库库存编号：
IPI100N08S207AKSA1-ND
别名：IPI100N08S2-07
IPI100N08S2-07-ND
SP000219041
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V BARE DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 1A（Tj） 带箔切割晶片
型号：
IPC171N04NX1SA1
仓库库存编号：
IPC171N04NX1SA1-ND
别名：SP000300150
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 75A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 40V 75A（Tc） 140W（Tc） TO-220
型号：
AUIRF4104
仓库库存编号：
AUIRF4104-ND
别名：SP001517252
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 59A（Tc） 160W（Tc） D2PAK
型号：
AUIRF3710ZSTRL
仓库库存编号：
AUIRF3710ZSTRL-ND
别名：SP001519476
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 4.5A（Tc） 50W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
SPP04N60C3XKSA1
仓库库存编号：
SPP04N60C3XKSA1-ND
别名：SP000681024
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 180A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-7-3
型号：
IPB180N04S3-02
仓库库存编号：
IPB180N04S302ATMA1CT-ND
别名：IPB180N04S3-02CT
IPB180N04S3-02CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 75A（Tc） 200W（Tc） D2PAK
型号：
IRF1503SPBF
仓库库存编号：
IRF1503SPBF-ND
别名：*IRF1503SPBF
SP001561632
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB100N10S3-05
仓库库存编号：
IPB100N10S305ATMA1CT-ND
别名：IPB100N10S3-05CT
IPB100N10S3-05CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V BARE DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 2A（Tj） 带箔切割晶片
型号：
IPC218N04N3X1SA1
仓库库存编号：
IPC218N04N3X1SA1-ND
别名：SP000448986
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 16A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 560V 16A（Tc） 34W（Tc） PG-TO220-3
型号：
SPA16N50C3
仓库库存编号：
SPA16N50C3IN-ND
别名：SP000216351
SPA16N50C3IN
SPA16N50C3X
SPA16N50C3XK
SPA16N50C3XKSA1
SPA16N50C3XTIN
SPA16N50C3XTIN-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 28A DIRECTFETL6
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 28A（Ta），148A（Tc） 3.3W（Ta），94W（Tc） DIRECTFET L6
型号：
IRF7748L1TRPBF
仓库库存编号：
IRF7748L1TRPBFCT-ND
别名：IRF7748L1TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 180A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-7-3
型号：
IPB180N06S4H1ATMA2
仓库库存编号：
IPB180N06S4H1ATMA2-ND
别名：SP001028786
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 650V 11A（Tc） 125W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI11N65C3XKSA1
仓库库存编号：
SPI11N65C3XKSA1-ND
别名：SP000680994
SPI11N65C3
SPI11N65C3-ND
SPI11N65C3IN
SPI11N65C3IN-ND
SPI11N65C3X
SPI11N65C3XK
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 100A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 120V 100A（Tc） 188W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI076N12N3GAKSA1
仓库库存编号：
IPI076N12N3GAKSA1-ND
别名：IPI076N12N3 G
IPI076N12N3 G-ND
IPI076N12N3G
SP000652738
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220-FP
详细描述：通孔 N 沟道 600V 8.1A（Tc） 29W（Tc） PG-TO-220-FP
型号：
IPA60R520C6
仓库库存编号：
IPA60R520C6-ND
别名：IPA60R520C6XKSA1
SP000645072
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 5.7A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 900V 5.7A（Tc） 89W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW90R1K0C3FKSA1
仓库库存编号：
IPW90R1K0C3FKSA1-ND
别名：IPW90R1K0C3
IPW90R1K0C3-ND
SP000413752
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 34A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 200V 34A（Tc） 136W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI320N20N3GAKSA1
仓库库存编号：
IPI320N20N3GAKSA1-ND
别名：IPI320N20N3 G
IPI320N20N3 G-ND
IPI320N20N3G
SP000714312
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 315A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 31A（Ta），156A（Tc） 3.3W（Ta），83W（Tc） DIRECTFET L6
型号：
AUIRF7737L2TR
仓库库存编号：
AUIRF7737L2TR-ND
别名：SP001519412
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 600V 9A（Tc） 29W（Tc） PG-TO220-FP
型号：
IPA60R180C7XKSA1
仓库库存编号：
IPA60R180C7XKSA1-ND
别名：SP001296216
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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