产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 4VSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 16.6A（Tc） 151W（Tc） PG-VSON-4
型号：
IPL65R210CFDAUMA1
仓库库存编号：
IPL65R210CFDAUMA1-ND
别名：SP000949256
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 160A（Tc） 208W（Tc） PG-TO263-7-3
型号：
IPB160N08S403ATMA1
仓库库存编号：
IPB160N08S403ATMA1-ND
别名：SP000989092
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 13.8A TO262
详细描述：通孔 N 沟道 650V 13.8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI65R280C6XKSA1
仓库库存编号：
IPI65R280C6XKSA1-ND
别名：IPI65R280C6
IPI65R280C6-ND
SP000785056
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
IPI80N04S204AKSA2
仓库库存编号：
IPI80N04S204AKSA2-ND
别名：SP001063634
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
IPI80N06S2L05AKSA2
仓库库存编号：
IPI80N06S2L05AKSA2-ND
别名：SP001067948
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 120A（Tc） 163W（Tc） D2PAK
型号：
AUIRFS8405TRL
仓库库存编号：
IFAUIRFS8405TRL-ND
别名：IFAUIRFS8405TRL
SP001517524
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 120A TO262
详细描述：通孔 N 沟道 40V 120A（Tc） 163W（Tc） TO-262
型号：
AUIRFSL8405
仓库库存编号：
IRAUIRFSL8405-ND
别名：IRAUIRFSL8405
SP001522846
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 40V 120A（Tc） 163W（Tc） TO-220AB
型号：
AUIRFB8405
仓库库存编号：
IRAUIRFB8405-ND
别名：IRAUIRFB8405
SP001516720
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 60V 120A（Tc） 300W（Tc） TO-262
型号：
IRFSL3206PBF
仓库库存编号：
IRFSL3206PBF-ND
别名：SP001578476
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 4VSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 12A（Tc） 75W（Tc） PG-VSON-4
型号：
IPL65R195C7AUMA1
仓库库存编号：
IPL65R195C7AUMA1-ND
别名：SP001032726
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB031NE7N3GATMA1
仓库库存编号：
IPB031NE7N3GATMA1CT-ND
别名：IPB031NE7N3 GCT
IPB031NE7N3 GCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 13A（Tc） 72W（Tc） PG-TO263
型号：
IPB65R190C7ATMA1
仓库库存编号：
IPB65R190C7ATMA1-ND
别名：SP000929424
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 4VSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-VSON-4
型号：
IPL65R190E6AUMA1
仓库库存编号：
IPL65R190E6AUMA1-ND
别名：SP001074938
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 25A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 250V 25A（Tc） 136W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI600N25N3GAKSA1
仓库库存编号：
IPI600N25N3GAKSA1-ND
别名：IPI600N25N3 G
IPI600N25N3 G-ND
IPI600N25N3G
SP000714316
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 40V 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP100N04S303AKSA1
仓库库存编号：
IPP100N04S303AKSA1-ND
别名：IPP100N04S3-03
IPP100N04S3-03-ND
IPP100N04S303
SP000261227
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO263
型号：
IPB65R190C6ATMA1
仓库库存编号：
IPB65R190C6ATMA1CT-ND
别名：IPB65R190C6CT
IPB65R190C6CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 120A TO262-3-1
详细描述：通孔 N 沟道 40V 120A（Tc） 188W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI120N04S401AKSA1
仓库库存编号：
IPI120N04S401AKSA1-ND
别名：IPI120N04S4-01
IPI120N04S4-01-ND
SP000705722
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 23.8A（Tc） 176W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB60R160P6ATMA1
仓库库存编号：
IPB60R160P6ATMA1-ND
别名：SP001313876
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 17A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 550V 17A（Tc） 139W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB50R199CPATMA1
仓库库存编号：
IPB50R199CPATMA1TR-ND
别名：IPB50R199CP
IPB50R199CP-ND
SP000236092
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 33A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 150V 33A（Tc） 144W（Tc） TO-262
型号：
IRFSL5615PBF
仓库库存编号：
IRFSL5615PBF-ND
别名：SP001567730
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 700V 6A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 700V 6A（Tc） 62.5W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW65R660CFDFKSA1
仓库库存编号：
IPW65R660CFDFKSA1-ND
别名：IPW65R660CFD
IPW65R660CFD-ND
SP000861700
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 75V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP80N08S207AKSA1
仓库库存编号：
IPP80N08S207AKSA1-ND
别名：IPP80N08S2-07
IPP80N08S2-07-ND
SP000219040
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 120A（Tc） 278W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB120N08S403ATMA1
仓库库存编号：
IPB120N08S403ATMA1-ND
别名：SP000989104
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 80V 120A（Tc） 179W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
IPI120N08S404AKSA1
仓库库存编号：
IPI120N08S404AKSA1-ND
别名：SP000989098
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 120A（Tc） 190W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
IPI120N10S405AKSA1
仓库库存编号：
IPI120N10S405AKSA1-ND
别名：SP001102622
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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