产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 7.2A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD65R1K0CEAUMA1
仓库库存编号：
IPD65R1K0CEAUMA1-ND
别名：SP001421368
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10A PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 3.2A（Ta），20A（Tc） 2.8W（Ta），29W（Tc） 8-PQFN（3x3）
型号：
IRFHM3911TRPBF
仓库库存编号：
IRFHM3911TRPBF-ND
别名：SP001575850
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 27A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 27A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD400N06NGBTMA1
仓库库存编号：
IPD400N06NGBTMA1CT-ND
别名：IPD400N06NG
IPD400N06NGINCT
IPD400N06NGINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 4.3A TO-251-3
详细描述：通孔 N 沟道 650V 4.3A（Tc） 37W（Tc） TO-251
型号：
IPS65R1K0CEAKMA1
仓库库存编号：
IPS65R1K0CEAKMA1-ND
别名：SP001276048
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 2.4A（Tc） 22.3W（Tc） TO-252-3
型号：
IPD60R2K0C6ATMA1
仓库库存编号：
IPD60R2K0C6ATMA1-ND
别名：SP001117714
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 5A（Tc） 41W（Tc） PG-TO252-3-313
型号：
IPD5N25S3430ATMA1
仓库库存编号：
IPD5N25S3430ATMA1-ND
别名：SP000876584
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 4A TO252-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 4A（Tc） 38W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD04P10PGBTMA1
仓库库存编号：
SPD04P10PGBTMA1TR-ND
别名：SP000212230
SPD04P10P G
SPD04P10P G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V TO251-3
详细描述：通孔 N 沟道 800V 1.9A（Tc） 42W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPU80R2K8CEAKMA1
仓库库存编号：
IPU80R2K8CEAKMA1-ND
别名：SP001593932
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7A（Tc） 82W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD60R650CEBTMA1
仓库库存编号：
IPD60R650CEBTMA1-ND
别名：SP001369530
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 980MA SOT223
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 980mA（Tc） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP321PH6327XTSA1
仓库库存编号：
BSP321PH6327XTSA1-ND
别名：SP001058782
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET COOLMOS 700V TO251-3
详细描述：通孔 N 沟道 700V 8.7A（Tc） 94W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPSA70R950CEAKMA1
仓库库存编号：
IPSA70R950CEAKMA1-ND
别名：SP001605396
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 7A（Tc） 86W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD65R650CEAUMA1
仓库库存编号：
IPD65R650CEAUMA1-ND
别名：SP001396908
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 10.1A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 10.1A（Tc） 86W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD65R650CEATMA1
仓库库存编号：
IPD65R650CEATMA1-ND
别名：SP001295798
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 8TSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 2.3A（Tc） 21.6W（Tc） Thin-PAK（5x6）
型号：
IPL60R2K1C6SATMA1
仓库库存编号：
IPL60R2K1C6SATMA1-ND
别名：SP001163026
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 700V 10.5A（Tc） 86W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD70R600CEAUMA1
仓库库存编号：
IPD70R600CEAUMA1-ND
别名：SP001466998
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V SAWN BARE DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 1A（Tj） 带箔切割晶片
型号：
IPC045N10N3X1SA1
仓库库存编号：
IPC045N10N3X1SA1-ND
别名：SP000900304
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET COOLMOS 650V TO251-3
详细描述：通孔 N 沟道 700V 10.1A（Tc） 86W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPS65R650CEAKMA1
仓库库存编号：
IPS65R650CEAKMA1-ND
别名：SP001422888
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO-251-3
详细描述：通孔 N 沟道 600V 3.2A（Tc） 28.4W（Tc） PG-TO251
型号：
IPU60R1K4C6AKMA1
仓库库存编号：
IPU60R1K4C6AKMA1-ND
别名：SP001292874
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 3.6A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 3.6A（Tc） 78W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR812TRPBF
仓库库存编号：
IRFR812TRPBFCT-ND
别名：IRFR812TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 7.4A 8DSO
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 7.4A（Ta） 1.56W（Ta） PG-DSO-8
型号：
BSO200P03SHXUMA1
仓库库存编号：
BSO200P03SHXUMA1TR-ND
别名：BSO200P03S H
BSO200P03S H-ND
SP000613850
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Infineon Technologies
MOSFET COOLMOS 700V TO251-3
详细描述：通孔 N 沟道 700V 10.5A（Tc） 86W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPSA70R600CEAKMA1
仓库库存编号：
IPSA70R600CEAKMA1-ND
别名：SP001605364
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 3.2A（Tc） 28W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD65R1K4C6ATMA1
仓库库存编号：
IPD65R1K4C6ATMA1-ND
别名：SP001107078
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 30A（Tc） 100W（Tc） PG-TO252-3-11
型号：
IPD30N06S223ATMA2
仓库库存编号：
IPD30N06S223ATMA2-ND
别名：SP001061722
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO-252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 9.1A（Tc） 74W（Tc） TO-252-3
型号：
IPD60R460CEATMA1
仓库库存编号：
IPD60R460CEATMA1CT-ND
别名：IPD60R460CEATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 8TSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 3A（Tc） 26.6W（Tc） Thin-PAK（5x6）
型号：
IPL60R1K5C6SATMA1
仓库库存编号：
IPL60R1K5C6SATMA1-ND
别名：SP001163010
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