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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 690A MODULE
  详细描述：底座安装 N 沟道 100V 690A（Tc） 2500W（Tc） Y3-DCB
  
  型号：VMO650-01F
  仓库库存编号：VMO650-01F-ND
  别名：Q1434129
  VM0650-01F
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 129A SP6
  详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 129A（Tc） 2272W（Tc） SP6
  
  型号：APTM100UM60FAG
  仓库库存编号：APTM100UM60FAG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 171A SP6
  详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 171A（Tc） 5000W（Tc） SP6
  
  型号：APTM120UM70DAG
  仓库库存编号：APTM120UM70DAG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 497A SP6
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 497A（Tc） 5000W（Tc） SP6
  
  型号：APTM50UM09FAG
  仓库库存编号：APTM50UM09FAG-ND
  别名：APTM50UM09FAGMI
  APTM50UM09FAGMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 116A SP6
  详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 116A（Tc） 3290W（Tc） SP6
  
  型号：APTM120U10SCAVG
  仓库库存编号：APTM120U10SCAVG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 215A SP6
  详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 215A（Tc） 5000W（Tc） SP6
  
  型号：APTM100UM45FAG
  仓库库存编号：APTM100UM45FAG-ND
  别名：APTM100UM45FAGMI
  APTM100UM45FAGMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 145A SP6
  详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 145A（Tc） 3250W（Tc） SP6
  
  型号：APTM100UM65SCAVG
  仓库库存编号：APTM100UM65SCAVG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 171A SP6
  详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 171A（Tc） 5000W（Tc） SP6
  
  型号：APTM120UM70FAG
  仓库库存编号：APTM120UM70FAG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V SAWN BARE DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 2A（Tj） 带箔切割晶片
  
  型号：IPC014N03L3X1SA1
  仓库库存编号：IPC014N03L3X1SA1-ND
  别名：SP000454346
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO-252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 2.6A（Tc） 29W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R3K4CEAUMA1
  仓库库存编号：IPD60R3K4CEAUMA1-ND
  别名：SP001422856
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET COOLMOS 700V SOT223-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 750V 4A（Tc） 5W（Tc） PG-SOT223
  
  型号：IPN70R2K1CEATMA1
  仓库库存编号：IPN70R2K1CEATMA1-ND
  别名：SP001664860
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO-252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 2.3A（Tc） 22W（Tc） TO-252-3
  
  型号：IPD60R2K1CEBTMA1
  仓库库存编号：IPD60R2K1CEBTMA1CT-ND
  别名：IPD60R2K1CEBTMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 700V 4A（Tc） 42W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD70R2K0CEAUMA1
  仓库库存编号：IPD70R2K0CEAUMA1-ND
  别名：SP001466914
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V SAWN BARE DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 1A（Tj） 带箔切割晶片
  
  型号：IPC022N03L3X1SA1
  仓库库存编号：IPC022N03L3X1SA1-ND
  别名：SP000904026
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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  MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 2.9A（Tj） 1.8W（Ta） SOT-223
  
  型号：BSP320SH6433XTMA1
  仓库库存编号：BSP320SH6433XTMA1-ND
  别名：SP001058772
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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  MOSFET N-CH TO-252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 700V 5.2A（Tc） 53W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD65R1K5CEAUMA1
  仓库库存编号：IPD65R1K5CEAUMA1-ND
  别名：SP001422862
  
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  MOSFET COOLMOS 700V TO251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 700V 4A（Tc） 42W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPSA70R2K0CEAKMA1
  仓库库存编号：IPSA70R2K0CEAKMA1-ND
  别名：SP001605400
  
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  MOSFET N-CH 600V 3.1A TO-251-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 3.1A（Tc） 49W（Tc） PG-TO251
  
  型号：IPU60R1K5CEAKMA2
  仓库库存编号：IPU60R1K5CEAKMA2-ND
  别名：SP001396898
  
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  MOSFET N-CH 30V SAWN BARE DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 2A（Tj） 带箔切割晶片
  
  型号：IPC028N03L3X1SA1
  仓库库存编号：IPC028N03L3X1SA1-ND
  别名：SP000555720
  
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  MOSFET N-CH 600V 4.3A TO-251-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 4.3A（Tc） 61W（Tc） PG-TO251
  
  型号：IPU60R1K0CEAKMA2
  仓库库存编号：IPU60R1K0CEAKMA2-ND
  别名：SP001396378
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 2A 6TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 2A（Ta） 2W（Ta） PG-TSOP-6-1
  
  型号：BSL373SNH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSL373SNH6327XTSA1-ND
  别名：SP000942916
  
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  MOSFET N-CH 55V 17A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 17A（Tc） 47W（Tc） PG-TO252-3-11
  
  型号：IPD14N06S280ATMA2
  仓库库存编号：IPD14N06S280ATMA2-ND
  别名：SP001063642
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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  MOSFET COOLMOS 700V TO251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 700V 5.4A（Tc） 53W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPSA70R1K4CEAKMA1
  仓库库存编号：IPSA70R1K4CEAKMA1-ND
  别名：SP001605398
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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  MOSFET COOLMOS 700V SOT223-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 750V 7.4A（Tc） 5W（Tc） PG-SOT223
  
  型号：IPN70R1K0CEATMA1
  仓库库存编号：IPN70R1K0CEATMA1-ND
  别名：SP001646912
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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  MOSFET N-CH 55V 29A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 29A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3-11
  
  型号：IPD25N06S240ATMA2
  仓库库存编号：IPD25N06S240ATMA2-ND
  别名：SP001063628
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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