产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 38A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 800V 38A(Tc) 735W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN38N80Q2
仓库库存编号:
IXFN38N80Q2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 1200V 20A(Tc) 595W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN20N120P
仓库库存编号:
IXFN20N120P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1500V 20A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 1500V 20A(Tc) 1250W(Tc) TO-264(IXTK)
型号:
IXTK20N150
仓库库存编号:
IXTK20N150-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 44A ISOPLUS264
详细描述:通孔 N 沟道 800V 44A(Tc) 550W(Tc) ISOPLUS264?
型号:
IXFL44N80
仓库库存编号:
IXFL44N80-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 300V 70A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 300V 70A(Tc) 450W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT30M40JVFR
仓库库存编号:
APT30M40JVFR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 235A
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 235A(Tc) 680W(Tc) 24-SMPD
型号:
MMIX1F360N15T2
仓库库存编号:
MMIX1F360N15T2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 334A SMPD
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 334A(Tc) 680W(Tc) SMPD
型号:
MMIX1F420N10T
仓库库存编号:
MMIX1F420N10T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 44A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 800V 44A(Tc) 380W(Tc) SOT-227B
型号:
IXKN45N80C
仓库库存编号:
IXKN45N80C-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 70A ISOTOP
详细描述:底座安装 N 沟道 600V 70A(Tc) 600W(Tc) ISOTOP?
型号:
STE70NM60
仓库库存编号:
497-3173-5-ND
别名:497-3173-5
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 170A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 100V 170A(Tc) 600W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN170N10
仓库库存编号:
IXFN170N10-ND
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 72A(Tc) 890W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN80N50Q2
仓库库存编号:
IXFN80N50Q2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 55V 550A SMPD
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 550A(Tc) 830W(Tc) 24-SMPD
型号:
MMIX1T550N055T2
仓库库存编号:
MMIX1T550N055T2-ND
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IXYS
MOSFET N-CH 1100V 21A ISOPLUS264
详细描述:通孔 N 沟道 1100V 21A(Tc) ISOPLUS264?
型号:
IXFL40N110P
仓库库存编号:
IXFL40N110P-ND
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 39A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 600V 39A(Tc) 460W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT6013JLL
仓库库存编号:
APT6013JLL-ND
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 30A ISOPLUS227
详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 30A(Tc) 580W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFE34N100
仓库库存编号:
IXFE34N100-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 900V 33A SOT227
详细描述:底座安装 N 沟道 900V 33A(Tc) 290W(Tc) SOT-227
型号:
APT33N90JCCU2
仓库库存编号:
APT33N90JCCU2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 60V 340A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 60V 340A(Tc) 700W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN340N06
仓库库存编号:
IXFN340N06-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 63A SMPD
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 63A(Tc) 520W(Tc) SMPD
型号:
MMIX1F132N50P3
仓库库存编号:
MMIX1F132N50P3-ND
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 38A PLUS264
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 38A(Tc) 890W(Tc) PLUS264?
型号:
IXFB38N100Q2
仓库库存编号:
IXFB38N100Q2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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IXYS
MOSFET P-CH 200V 106A SOT-227
详细描述:底座安装 P 沟道 200V 106A(Tc) 830W(Tc) SOT-227B
型号:
IXTN120P20T
仓库库存编号:
IXTN120P20T-ND
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IXYS
MOSFET P-CH 100V 210A SOT-227
详细描述:底座安装 P 沟道 100V 210A(Tc) 830W(Tc) SOT-227B
型号:
IXTN210P10T
仓库库存编号:
IXTN210P10T-ND
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 200V 100A(Tc) 735W(Tc) SOT-227B
型号:
IXTN110N20L2
仓库库存编号:
IXTN110N20L2-ND
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IXYS
MOSFET N-CH 550V 72A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 550V 72A(Tc) 890W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN72N55Q2
仓库库存编号:
IXFN72N55Q2-ND
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 158A ISOPLUS227
详细描述:底座安装 N 沟道 200V 158A(Tc) 500W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFE180N20
仓库库存编号:
IXFE180N20-ND
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MOSFET N-CH 500V 72A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 72A(Tc) 580W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFE80N50
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IXFE80N50-ND
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