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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 9A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 9A（Tc） 250W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR10N100Q
  仓库库存编号：IXFR10N100Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 60A TO-240AA
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 60A（Tc） 590W（Tc） TO-240AA
  
  型号：VMO60-05F
  仓库库存编号：VMO60-05F-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 75V 465A DE-475
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 465A（Tc） 600W（Tc） DE475
  
  型号：IXFZ520N075T2
  仓库库存编号：IXFZ520N075T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 52A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 52A（Tc） 625W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN64N50PD2
  仓库库存编号：IXFN64N50PD2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 44A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 600V 44A（Tc） 600W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN44N60
  仓库库存编号：IXFN44N60-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 37A（Tc） 890W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN44N100P
  仓库库存编号：IXFN44N100P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 59A SOT227
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 58A（Tc） 543W（Tc） SOT-227
  
  型号：APT58M50JCU2
  仓库库存编号：APT58M50JCU2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 20A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 20A（Tc） 400W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT20N50D
  仓库库存编号：IXTT20N50D-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 800V 27A（Tc） 520W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN27N80Q
  仓库库存编号：IXFN27N80Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 900V 33A SOT227
  详细描述：底座安装 N 沟道 900V 33A（Tc） 290W（Tc） SOT-227
  
  型号：APT33N90JCU2
  仓库库存编号：APT33N90JCU2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 900V 33A SOT227
  详细描述：底座安装 N 沟道 900V 33A（Tc） 290W（Tc） SOT-227
  
  型号：APT33N90JCU3
  仓库库存编号：APT33N90JCU3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 33A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 800V 33A（Tc） 543W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT32M80J
  仓库库存编号：APT32M80J-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 50A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 600V 50A（Tc） 290W（Tc） SOT-227
  
  型号：APT50N60JCCU2
  仓库库存编号：APT50N60JCCU2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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  MOSFET N-CH 1000V 30A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 30A（Tc） 735W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK30N100Q2
  仓库库存编号：IXFK30N100Q2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 30A（Tc） 735W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX30N100Q2
  仓库库存编号：IXFX30N100Q2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 23A（Tc） 600W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN23N100
  仓库库存编号：IXFN23N100-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 300V 70A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 300V 70A（Tc） 450W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT30M40JVR
  仓库库存编号：APT30M40JVR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• TT Electronics/Optek Technology
  MOSFET N-CH 60V 200MA SMD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 200mA（Ta） 300mW（Ta） 3-SMD
  
  型号：HCT7000MTXV
  仓库库存编号：HCT7000MTXV-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 34A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 800V 34A（Tc） 600W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN34N80
  仓库库存编号：IXFN34N80-ND
  
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 1200V 22A（Tc） 690W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT12057B2LLG
  仓库库存编号：APT12057B2LLG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227
  详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 26A（Tc） 543W（Tc） SOT-227
  
  型号：APT26M100JCU2
  仓库库存编号：APT26M100JCU2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227
  详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 26A（Tc） 543W（Tc） SOT-227
  
  型号：APT26M100JCU3
  仓库库存编号：APT26M100JCU3-ND
  
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 30A ISOPLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 30A（Tc） 550W（Tc） ISOPLUS264?
  
  型号：IXFL34N100
  仓库库存编号：IXFL34N100-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 58A（Tc） 540W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT58F50J
  仓库库存编号：APT58F50J-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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  MOSFET N-CH 1200V 30A PLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 1200V 30A（Tc） 1250W（Tc） PLUS264?
  
  型号：IXFB30N120P
  仓库库存编号：IXFB30N120P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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