产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 28A TO-268(D3)
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 28A(Tc) 375W(Tc) TO-268
型号:
IXFT28N50Q
仓库库存编号:
IXFT28N50Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 10A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 1000V 10A(Tc) 300W(Tc) TO-268
型号:
IXFT10N100
仓库库存编号:
IXFT10N100-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 30A(Tc) 310W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR30N50Q
仓库库存编号:
IXFR30N50Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 10A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 1000V 10A(Tc) 400W(Tc) TO-268
型号:
IXTT10N100D
仓库库存编号:
IXTT10N100D-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 30A(Tc) 360W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH30N50
仓库库存编号:
IXTH30N50-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 36A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 36A(Tc) 320W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR64N60P
仓库库存编号:
IXFR64N60P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 48A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 48A(Tc) 540W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR80N60P3
仓库库存编号:
IXFR80N60P3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 100V 140A TO-268
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 140A(Tc) 568W(Tc) TO-268
型号:
IXTT140P10T
仓库库存编号:
IXTT140P10T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 200V 68A TO-268
详细描述:表面贴装 P 沟道 200V 68A(Tc) 568W(Tc) TO-268
型号:
IXTT68P20T
仓库库存编号:
IXTT68P20T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 71A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 200V 71A(Tc) 310W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR80N20Q
仓库库存编号:
IXFR80N20Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 30A(Tc) 416W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX30N50Q
仓库库存编号:
IXFX30N50Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 420A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 100V 420A(Tc) 1670W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX420N10T
仓库库存编号:
IXFX420N10T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 10A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 10A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH10N100Q
仓库库存编号:
IXFH10N100Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 16A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 600V 16A(Tc) 280W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFPC60
仓库库存编号:
IRFPC60-ND
别名:*IRFPC60
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
含铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 420A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 100V 420A(Tc) 1670W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK420N10T
仓库库存编号:
IXFK420N10T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 90A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 600V 90A(Tc) 1100W(Tc) TO-264
型号:
IXFK90N60X
仓库库存编号:
IXFK90N60X-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 40A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 500V 40A(Tc) 500W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ40N50Q
仓库库存编号:
IXTQ40N50Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 40A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 500V 40A(Tc) 500W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH40N50Q
仓库库存编号:
IXFH40N50Q-ND
别名:Q1794352
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 70A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 300V 70A(Tc) 830W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH70N30Q3
仓库库存编号:
IXFH70N30Q3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 44A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 44A(Tc) 830W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH44N50Q3
仓库库存编号:
IXFH44N50Q3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 77A D3PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 77A(Tc) 481W(Tc) D3Pak
型号:
APT77N60SC6
仓库库存编号:
APT77N60SC6-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 80V 80A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 80A(Tc) 300W(Tc) TO-268
型号:
IXFT80N08
仓库库存编号:
IXFT80N08-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 60A TO-264AA
详细描述:通孔 N 沟道 250V 60A(Tc) 360W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK60N25Q
仓库库存编号:
IXFK60N25Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 150A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 150A(Tc) 890W(Tc) TO-268
型号:
IXFT150N20T
仓库库存编号:
IXFT150N20T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 320A TO-26
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 320A(Tc) 1000W(Tc) TO-268
型号:
IXFT320N10T2
仓库库存编号:
IXFT320N10T2-ND
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