产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(12767)
晶体管 - FET,MOSFET - 单
(12767)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(370)
Central Semiconductor Corp(12)
Diodes Incorporated(189)
Exar Corporation(1)
Fairchild/Micross Components(1)
Fairchild/ON Semiconductor(1752)
Global Power Technologies Group(133)
Infineon Technologies(2745)
IXYS(1803)
Micro Commercial Co(14)
Microchip Technology(5)
Microsemi Corporation(546)
Nexperia USA Inc.(426)
NXP USA Inc.(149)
ON Semiconductor(411)
Panasonic Electronic Components(14)
Renesas Electronics America(187)
Rohm Semiconductor(186)
Sanken(29)
STMicroelectronics(1786)
Taiwan Semiconductor Corporation(231)
Toshiba Semiconductor and Storage(323)
TT Electronics/Optek Technology(3)
Vishay Semiconductor Diodes Division(11)
Vishay Siliconix(1440)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-3P(N)
详细描述:通孔 N 沟道 600V 30.8A(Ta) 230W(Tc) TO-3P(N)
型号:
TK31J60W5,S1VQ
仓库库存编号:
TK31J60W5S1VQ-ND
别名:TK31J60W5,S1VQ(O
TK31J60W5S1VQ
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 150V 75A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 150V 75A(Tc) 330W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH75N15
仓库库存编号:
IXTH75N15-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 21A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 21A(Tc) 280W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH21N50Q
仓库库存编号:
IXFH21N50Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET P-CH 200V 24A TO-268
详细描述:表面贴装 P 沟道 200V 24A(Tc) 300W(Tc) TO-268
型号:
IXTT24P20
仓库库存编号:
IXTT24P20-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 14A(Tc) 500W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT14F100B
仓库库存编号:
APT14F100B-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 35A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 600V 35A(Tc) TO-220AB
型号:
IXKP35N60C5
仓库库存编号:
IXKP35N60C5-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1500V 6A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 1500V 6A(Tc) 540W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH6N150
仓库库存编号:
IXTH6N150-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 40V 420A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 40V 420A(Tc) 935W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH420N04T2
仓库库存编号:
IXTH420N04T2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1500V 2.5A ISOTO-247
详细描述:通孔 N 沟道 1500V 2.5A(Tc) 110W(Tc) TO-247
型号:
IXTJ4N150
仓库库存编号:
IXTJ4N150-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 36A TO-268 D3
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 36A(Tc) 540W(Tc) TO-268
型号:
IXTT36N50P
仓库库存编号:
IXTT36N50P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 30A TO-268 D3
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 30A(Tc) 540W(Tc) TO-268
型号:
IXTT30N60P
仓库库存编号:
IXTT30N60P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 1200V 6A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH6N120
仓库库存编号:
IXFH6N120-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 21A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 21A(Tc) 280W(Tc) TO-268
型号:
IXFT21N50Q
仓库库存编号:
IXFT21N50Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 250V 100A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 250V 100A(Tc) 600W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ100N25P
仓库库存编号:
IXTQ100N25P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 200V 120A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 200V 120A(Tc) 714W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ120N20P
仓库库存编号:
IXTQ120N20P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 150V 150A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 150V 150A(Tc) 714W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ150N15P
仓库库存编号:
IXTQ150N15P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 900V 6A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 900V 6A(Tc) 180W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH6N90
仓库库存编号:
IXTH6N90-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 100V 170A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 100V 170A(Tc) 715W(Tc) TO-264(IXTK)
型号:
IXTK170N10P
仓库库存编号:
IXTK170N10P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 55V 360A TO268
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 360A(Tc) 935W(Tc) TO-268
型号:
IXTT360N055T2
仓库库存编号:
IXTT360N055T2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 800V 24A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 800V 24A(Tc) 650W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK24N80P
仓库库存编号:
IXFK24N80P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 900V 7A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 900V 7A(Tc) 180W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH7N90Q
仓库库存编号:
IXFH7N90Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 100V 170A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 170A(Tc) 715W(Tc) TO-268
型号:
IXTT170N10P
仓库库存编号:
IXTT170N10P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 800V 9A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 800V 9A(Tc) 180W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH9N80Q
仓库库存编号:
IXFH9N80Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET P-CH 500V 11A TO-268
详细描述:表面贴装 P 沟道 500V 11A(Tc) 300W(Tc) TO-268
型号:
IXTT11P50
仓库库存编号:
IXTT11P50-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 900V 18A TO268
详细描述:表面贴装 N 沟道 900V 18A(Tc) 540W(Tc) TO-268
型号:
IXFT18N90P
仓库库存编号:
IXFT18N90P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
269
270
271
272
273
274
275
276
277
278
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号