产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 48A TO247-3
详细描述：通孔 N 沟道 48A（Tc） 164W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW60R060P7XKSA1
仓库库存编号：
IPW60R060P7XKSA1-ND
别名：SP001647042
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 250W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH6N120P
仓库库存编号：
IXFH6N120P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 86A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 86A（Tc） 860W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH86N30T
仓库库存编号：
IXFH86N30T-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 8A D3PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 335W（Tc） D3Pak
型号：
APT7M120S
仓库库存编号：
APT7M120S-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 55V 360A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 360A（Tc） 935W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH360N055T2
仓库库存编号：
IXTH360N055T2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 50A TO268
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 1040W（Tc） TO-268
型号：
IXFT50N60P3
仓库库存编号：
IXFT50N60P3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 50A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 960W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH50N50P3
仓库库存编号：
IXFH50N50P3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 15A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 543W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH15N100P
仓库库存编号：
IXFH15N100P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 20A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 500W（Tc） TO-268
型号：
IXFT20N80P
仓库库存编号：
IXFT20N80P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 170A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 170A（Tc） 715W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ170N10P
仓库库存编号：
IXTQ170N10P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 60V 200A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 200A（Tc） 714W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ200N06P
仓库库存编号：
IXTQ200N06P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 90A I4-PAC-5
详细描述：通孔 N 沟道 90A（Tc） 156W（Tc） ISOPLUS i4-PAC?
型号：
IXTF200N10T
仓库库存编号：
IXTF200N10T-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 23A ISOPLUS220
详细描述：通孔 N 沟道 23A（Tc） ISOPLUS220?
型号：
IXKC23N60C5
仓库库存编号：
IXKC23N60C5-ND
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 50A TO3P
详细描述：通孔 N 沟道 600V 50A（Tc） 660W（Tc） TO-3P
型号：
IXFQ50N60X
仓库库存编号：
IXFQ50N60X-ND
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IXYS
MOSFET N-CH 1500V 3A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 1500V 3A（Tc） 250W（Tc） TO-263
型号：
IXTA3N150HV
仓库库存编号：
IXTA3N150HV-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 500V 11A TO-247AD
详细描述：通孔 P 沟道 500V 11A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH11P50
仓库库存编号：
IXTH11P50-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 15A I4-PAC-5
详细描述：通孔 N 沟道 600V 15A（Tc） ISOPLUS i4-PAC?
型号：
FDM15-06KC5
仓库库存编号：
FDM15-06KC5-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 15A I4-PAC-5
详细描述：通孔 N 沟道 600V 15A（Tc） ISOPLUS i4-PAC?
型号：
FMD15-06KC5
仓库库存编号：
FMD15-06KC5-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 340A TO268
详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 340A（Tc） 935W（Tc） TO-268
型号：
IXFT340N075T2
仓库库存编号：
IXFT340N075T2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 14A（Tc） 500W（Tc） TO-247 [B]
型号：
APT14M100B
仓库库存编号：
APT14M100B-ND
别名：APT14M100BMP
APT14M100BMP-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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IXYS
MOSFET P-CH 100V 50A TO-268
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 50A（Tc） 300W（Tc） TO-268
型号：
IXTT50P10
仓库库存编号：
IXTT50P10-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 11A ISOPLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 800V 11A（Tc） 166W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXFR20N80P
仓库库存编号：
IXFR20N80P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 35A TO247AD
详细描述：通孔 N 沟道 600V 35A（Tc） TO-247AD（IXKH）
型号：
IXKH35N60C5
仓库库存编号：
IXKH35N60C5-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 69A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 300V 69A（Tc） 500W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH69N30P
仓库库存编号：
IXFH69N30P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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MOSFET N-CH 500V 44A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 500V 44A（Tc） 658W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ44N50P
仓库库存编号：
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