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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 30.8A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 30.8A（Ta） 230W（Tc） TO-220
  
  型号：TK31E60W,S1VX
  仓库库存编号：TK31E60WS1VX-ND
  别名：TK31E60W,S1VX(S
  TK31E60WS1VX
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 30.8A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK31A60W,S4VX
  仓库库存编号：TK31A60WS4VX-ND
  别名：TK31A60W,S4VX(M
  TK31A60WS4VX
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 4A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 150W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT4N100Q
  仓库库存编号：IXFT4N100Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 200V 32A TO-247
  详细描述：通孔 P 沟道 32A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH32P20T
  仓库库存编号：IXTH32P20T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 47A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 47A（Tc） 379W（Tc） TO-247AD
  
  型号：SIHW47N60EF-GE3
  仓库库存编号：SIHW47N60EF-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 150V 120A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 600W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT120N15P
  仓库库存编号：IXFT120N15P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 140A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 140A（Tc） 600W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT140N10P
  仓库库存编号：IXFT140N10P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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  MOSFET N-CH 200V 96A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 96A（Tc） 600W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT96N20P
  仓库库存编号：IXFT96N20P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 41A TO-247A
  详细描述：通孔 N 沟道 41A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH41N25
  仓库库存编号：IXTH41N25-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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  MOSFET N-CH 800V 20A PLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 500W（Tc） PLUS220
  
  型号：IXFV20N80P
  仓库库存编号：IXFV20N80P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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  MOSFET P-CH 150V 22A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 P 沟道 22A（Tc） 150W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXTR36P15P
  仓库库存编号：IXTR36P15P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 175V 150A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 150A（Tc） 880W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH150N17T2
  仓库库存编号：IXFH150N17T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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  MOSFET N-CH 500V 14A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 180W（Tc） TO-247
  
  型号：IXFJ26N50P3
  仓库库存编号：IXFJ26N50P3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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  MOSFET N-CH 600V 30A TO-268 D3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 500W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT30N60P
  仓库库存编号：IXFT30N60P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 69A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 69A（Tc） 500W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ69N30P
  仓库库存编号：IXTQ69N30P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 73A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 73A（Tc） 520W（Tc） TO-247AD
  
  型号：SIHW73N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHW73N60E-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 33A（Tc） 278W（Tc） TO-247AD
  
  型号：SIHW33N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHW33N60E-GE3-ND
  别名：SIHW33N60E-GE3CT
  SIHW33N60E-GE3CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 37A（Tc） 357W（Tc） TO-247
  
  型号：FCH099N60E
  仓库库存编号：FCH099N60E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 150V 160A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 160A（Tc） 830W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH160N15T
  仓库库存编号：IXTH160N15T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 150V 88A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 88A（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ88N15
  仓库库存编号：IXTQ88N15-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 48A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 48A（Tc） 29W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA60R060P7XKSA1
  仓库库存编号：IPA60R060P7XKSA1-ND
  别名：SP001658404
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 48A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 48A（Tc） 164W（Tc） PG-TO220-3
  
  型号：IPP60R060P7XKSA1
  仓库库存编号：IPP60R060P7XKSA1-ND
  别名：SP001658410
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 337W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT9F100B
  仓库库存编号：APT9F100B-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 D3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 460W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT30N50P
  仓库库存编号：IXTT30N50P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 26A TO-268 D3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 26A（Tc） 460W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT26N60P
  仓库库存编号：IXTT26N60P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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