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• IXYS
  MOSFET P-CH 150V 36A TO-247
  详细描述：通孔 P 沟道 36A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH36P15P
  仓库库存编号：IXTH36P15P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 8A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 180W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH8N80
  仓库库存编号：IXFH8N80-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3
  详细描述：通孔 N 沟道 37A（Tc） 129W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R080P7XKSA1
  仓库库存编号：IPW60R080P7XKSA1-ND
  别名：SP001647040
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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  MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 150W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH4N100Q
  仓库库存编号：IXFH4N100Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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  MOSFET N-CH 800V 20A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 500W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH20N80P
  仓库库存编号：IXFH20N80P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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  MOSFET N-CH 250V 82A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 82A（Tc） 500W（Tc） TO-264（IXTK）
  
  型号：IXTK82N25P
  仓库库存编号：IXTK82N25P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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  MOSFET N-CH 800V 16A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 460W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT16N80P
  仓库库存编号：IXFT16N80P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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  MOSFET N-CH 200V 74A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 74A（Tc） 480W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH74N20P
  仓库库存编号：IXFH74N20P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 19A ISOPLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 19A（Tc） ISOPLUS220?
  
  型号：IXKC19N60C5
  仓库库存编号：IXKC19N60C5-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 18A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 320W（Tc） TO-247
  
  型号：IXFH18N60X
  仓库库存编号：IXFH18N60X-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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  MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.6A（Tc） 100W（Tc） TO-263（IXFA）
  
  型号：IXFA3N80
  仓库库存编号：IXFA3N80-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 650V 44A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 44A（Tc） 312W（Tc） TO-220
  
  型号：FCP067N65S3
  仓库库存编号：FCP067N65S3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 36A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 36A（Tc） 540W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH36N50P
  仓库库存编号：IXTH36N50P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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  MOSFET P-CH 500V 8A TO-268
  详细描述：表面贴装 P 沟道 8A（Tc） 180W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT8P50
  仓库库存编号：IXTT8P50-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 30A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 500W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH30N60P
  仓库库存编号：IXFH30N60P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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  MOSFET N-CH 300V 88A TO268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 88A（Tc） 600W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT88N30P
  仓库库存编号：IXFT88N30P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 86A TO268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 86A（Tc） 860W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT86N30T
  仓库库存编号：IXFT86N30T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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  MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） ISOPLUS220?
  
  型号：IXKC20N60C
  仓库库存编号：IXKC20N60C-ND
  
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 30A D3PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 415W（Tc） D3Pak
  
  型号：APT30F50S
  仓库库存编号：APT30F50S-ND
  
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  MOSFET N-CH 150V 120A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 600W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT120N15P
  仓库库存编号：IXTT120N15P-ND
  
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  MOSFET N-CH 200V 96A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 96A（Tc） 600W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT96N20P
  仓库库存编号：IXTT96N20P-ND
  
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  MOSFET N-CH 600V 30A TO247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） TO-247AD（IXKH）
  
  型号：IXKH30N60C5
  仓库库存编号：IXKH30N60C5-ND
  
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  MOSFET N-CH 1KV 10A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 380W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH10N100P
  仓库库存编号：IXFH10N100P-ND
  别名：Q4374359
  
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  MOSFET P-CH 150V 44A TO-247
  详细描述：通孔 P 沟道 44A（Tc） 298W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH44P15T
  仓库库存编号：IXTH44P15T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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  MOSFET N-CH 500V 52A TO3P
  详细描述：通孔 N 沟道 52A（Tc） 960W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ480P2
  仓库库存编号：IXTQ480P2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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