产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 230A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 230A（Tc） 650W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH230N10T
仓库库存编号：
IXFH230N10T-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 700V 31.2A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 31.2A（Tc） 277.8W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP65R110CFDXKSA1
仓库库存编号：
IPP65R110CFDXKSA1-ND
别名：IPP65R110CFD
IPP65R110CFD-ND
SP000895226
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 3A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 3A（Tc） 200W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH3N120
仓库库存编号：
IXTH3N120-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 42A TO3P
详细描述：通孔 N 沟道 42A（Tc） 830W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ470P2
仓库库存编号：
IXTQ470P2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 60A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 275W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH60N15
仓库库存编号：
IXTH60N15-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 15A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 290W（Tc） TO-247 [B]
型号：
APT15F60B
仓库库存编号：
APT15F60B-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 160A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 160A（Tc） 880W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH160N15T2
仓库库存编号：
IXFH160N15T2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 D3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 460W（Tc） TO-268
型号：
IXFT30N50P
仓库库存编号：
IXFT30N50P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 26A TO-268 D3
详细描述：表面贴装 N 沟道 26A（Tc） 460W（Tc） TO-268
型号：
IXFT26N60P
仓库库存编号：
IXFT26N60P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 110A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 694W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH110N25T
仓库库存编号：
IXFH110N25T-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 37A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 37A（Tc） 29W（Tc） PG-TO220 整包
型号：
IPA60R080P7XKSA1
仓库库存编号：
IPA60R080P7XKSA1-ND
别名：SP001658398
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 37A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 37A（Tc） 129W（Tc） PG-TO220-3
型号：
IPP60R080P7XKSA1
仓库库存编号：
IPP60R080P7XKSA1-ND
别名：SP001647034
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 96A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 96A（Tc） 600W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH96N20P
仓库库存编号：
IXTH96N20P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 1500V 4A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 280W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH4N150
仓库库存编号：
IXTH4N150-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 120A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 600W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH120N15P
仓库库存编号：
IXFH120N15P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 140A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 140A（Tc） 600W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH140N10P
仓库库存编号：
IXFH140N10P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 96A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 96A（Tc） 600W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH96N20P
仓库库存编号：
IXFH96N20P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 64A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 64A（Tc） 357W（Tc） TO-247
型号：
IXTH64N10L2
仓库库存编号：
IXTH64N10L2-ND
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 80A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 357W（Tc） TO-247
型号：
IXTH80N075L2
仓库库存编号：
IXTH80N075L2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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IXYS
MOSFET P-CH 50V 140A TO-247
详细描述：通孔 P 沟道 140A（Tc） 298W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH140P05T
仓库库存编号：
IXTH140P05T-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 12A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 380W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH12N90P
仓库库存编号：
IXFH12N90P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 30A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 540W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ30N60P
仓库库存编号：
IXTQ30N60P-ND
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IXYS
MOSFET N-CH ISOPLUS-247
详细描述：通孔 N 沟道 36A（Tc） 150W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXTR62N15P
仓库库存编号：
IXTR62N15P-ND
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 500V 25A TO3PFM
详细描述：通孔 N 沟道 25A（Ta） 60W（Tc） TO-3PFM
型号：
RJK5015DPM-00#T1
仓库库存编号：
RJK5015DPM-00#T1-ND
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IXYS
MOSFET N-CH 1100V 3A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 3A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP3N110
仓库库存编号：
IXTP3N110-ND
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