产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 16A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 347W(Tc) TO-247
型号:
IXFH16N60P3
仓库库存编号:
IXFH16N60P3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) TO-220AB
型号:
IXKP20N60C5
仓库库存编号:
IXKP20N60C5-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 6A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 250W(Tc) TO-263(IXFA)
型号:
IXFA6N120P TRL
仓库库存编号:
IXFA6N120P TRL-ND
别名:Q10805674
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 2.4A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP2R4N120P
仓库库存编号:
IXTP2R4N120P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 50A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 400W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH50N25T
仓库库存编号:
IXTH50N25T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 102A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 102A(Tc) 455W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH102N15T
仓库库存编号:
IXFH102N15T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 250V 50A TO3P
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Ta) 150W(Tc) TO-3P
型号:
RJK2508DPK-00#T0
仓库库存编号:
RJK2508DPK-00#T0-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 12A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 360W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH12N80P
仓库库存编号:
IXFH12N80P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 96A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 96A(Tc) 625W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ96N25T
仓库库存编号:
IXTQ96N25T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 200V 26A TO-3P
详细描述:通孔 P 沟道 26A(Tc) 300W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ26P20P
仓库库存编号:
IXTQ26P20P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) TO-247AD(IXKH)
型号:
IXKH20N60C5
仓库库存编号:
IXKH20N60C5-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 24A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) 400W(Tc) TO-3P
型号:
IXFQ24N60X
仓库库存编号:
IXFQ24N60X-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 37A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 37A(Tc) 357W(Tc) TO-247
型号:
FCH104N60F_F085
仓库库存编号:
FCH104N60F_F085-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 64A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 64A(Tc) 400W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ64N25P
仓库库存编号:
IXTQ64N25P-ND
别名:Q2310188
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 74A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 74A(Tc) 480W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ74N20P
仓库库存编号:
IXTQ74N20P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 96A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 96A(Tc) 480W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ96N15P
仓库库存编号:
IXTQ96N15P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.4A(Tc) 125W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA2R4N120P
仓库库存编号:
IXTA2R4N120P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 30A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 500W(Tc) TO-220
型号:
IXFP30N60X
仓库库存编号:
IXFP30N60X-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 30.8A 5DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30.8A(Ta) 240W(Tc) 5-DFN(8x8)
型号:
TK31V60W,LVQ
仓库库存编号:
TK31V60WLVQCT-ND
别名:TK31V60WLVQCT
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 3.6A(Tc) 100W(Tc) TO-220AB
型号:
IXFP3N80
仓库库存编号:
IXFP3N80-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 14A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 14A(Tc) 400W(Tc) TO-3P
型号:
IXFQ14N80P
仓库库存编号:
IXFQ14N80P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 96A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 96A(Tc) 625W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH96N25T
仓库库存编号:
IXTH96N25T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 230A
详细描述:通孔 N 沟道 230A(Tc) 480W(Tc) TO-220AB
型号:
IXFP230N075T2
仓库库存编号:
IXFP230N075T2-ND
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 30A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 500W(Tc) TO-263
型号:
IXFA30N60X
仓库库存编号:
IXFA30N60X-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 40V 300A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 300A(Tc) 480W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH300N04T2
仓库库存编号:
IXTH300N04T2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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