产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 84W（Tc） PG-TO220-3
型号：
IPP80R360P7XKSA1
仓库库存编号：
IPP80R360P7XKSA1-ND
别名：SP001633518
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 90A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 90A（Tc） 455W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP90N15T
仓库库存编号：
IXTP90N15T-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 16A TO-263AA
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 330W（Tc） TO-263（IXFA）
型号：
IXFA16N50P3
仓库库存编号：
IXFA16N50P3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 2.1A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 2.1A（Tc） 30W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFI820G
仓库库存编号：
IRFI820G-ND
别名：*IRFI820G
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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IXYS
MOSFET N-CH 55V 110A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 390W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ110N055P
仓库库存编号：
IXTQ110N055P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 42A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 42A（Tc） 300W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ42N25P
仓库库存编号：
IXTQ42N25P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 50A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 360W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ50N20P
仓库库存编号：
IXTQ50N20P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 62A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 62A（Tc） 350W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ62N15P
仓库库存编号：
IXTQ62N15P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 75A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 360W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ75N10P
仓库库存编号：
IXTQ75N10P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 11.4A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 11.4A（Tc） 300W（Tc） TO-3PN
型号：
FQA11N90_F109
仓库库存编号：
FQA11N90_F109-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 70A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 70A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFP048RPBF
仓库库存编号：
IRFP048RPBF-ND
别名：*IRFP048RPBF
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 5A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 5A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
型号：
IXFP5N100P
仓库库存编号：
IXFP5N100P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 1.4A（Tc） 86W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP1R4N120P
仓库库存编号：
IXTP1R4N120P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 90A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 455W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA90N15T
仓库库存编号：
IXTA90N15T-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 50A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 400W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA50N25T
仓库库存编号：
IXTA50N25T-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 500V
详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 280W（Tc） TO-220AB
型号：
SIHFB20N50K-E3
仓库库存编号：
SIHFB20N50K-E3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 2A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 2A（Tc） 100W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP2N100
仓库库存编号：
IXTP2N100-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 40V 340A
详细描述：通孔 N 沟道 340A（Tc） 480W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP340N04T4
仓库库存编号：
IXTP340N04T4-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 20A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 380W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH20N50P3
仓库库存编号：
IXFH20N50P3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 60A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 500W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP60N20T
仓库库存编号：
IXTP60N20T-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 2A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Tc） 54W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA2N80
仓库库存编号：
IXTA2N80-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
SUPERFET2 150 MOHM 650V FRFET TO
详细描述：通孔 N 沟道 14.9A（Tc） 39W（Tc） TO-220F
型号：
FCPF150N65F
仓库库存编号：
FCPF150N65F-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 30A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 390W（Tc） TO-247AC
型号：
SIHG32N50D-E3
仓库库存编号：
SIHG32N50D-E3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 3.1A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 3.1A（Tc） 35W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFI830G
仓库库存编号：
IRFI830G-ND
别名：*IRFI830G
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产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 2A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Tc） 100W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA2N100
仓库库存编号：
IXTA2N100-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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