以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 3A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 3A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP3N100P
  仓库库存编号：IXTP3N100P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 550V 14A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Ta） 50W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK14A55D(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK14A55D(STA4QM)-ND
  别名：TK14A55D(STA4QM)
  TK14A55DSTA4QM
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 650V 13.7A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 13.7A（Ta） 130W（Tc） I2PAK
  
  型号：TK14C65W5,S1Q
  仓库库存编号：TK14C65W5S1Q-ND
  别名：TK14C65W5,S1Q(S
  TK14C65W5,S1Q(S2
  TK14C65W5,S1Q-ND
  TK14C65W5S1Q
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 75V 70A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 70A（Ta） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：RJK0703DPN-E0#T2
  仓库库存编号：RJK0703DPN-E0#T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 100V 50A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Ta） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：RJK1003DPN-E0#T2
  仓库库存编号：RJK1003DPN-E0#T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Ta） 35W（Tc） TO-220FN
  
  型号：RDN100N20FU6
  仓库库存编号：RDN100N20FU6-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 14A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP14N60P
  仓库库存编号：IXTP14N60P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 40V 270A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 270A（Tc） 375W（Tc） TO-263AA
  
  型号：IXTA270N04T4
  仓库库存编号：IXTA270N04T4-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 20.6A（Tc） 208W（Tc） TO-220
  
  型号：FCP190N60E
  仓库库存编号：FCP190N60E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 70A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 70A（Tc） 417W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FDA70N20
  仓库库存编号：FDA70N20-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 150V 110A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 480W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXFP110N15T2
  仓库库存编号：IXFP110N15T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 76A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 76A（Tc） 188W（Tc） D2PAK
  
  型号：NVB6410ANT4G
  仓库库存编号：NVB6410ANT4G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 208W（Tc） D2PAK（TO-263）
  
  型号：SIHB12N50C-E3
  仓库库存编号：SIHB12N50C-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 12A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 36W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：SIHF12N50C-E3
  仓库库存编号：SIHF12N50C-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 650V 18A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 417W（Tc） TO-247
  
  型号：AOK18N65L
  仓库库存编号：785-1589-5-ND
  别名：785-1456-5
  785-1456-5-ND
  785-1589-5
  AOK18N65
  AOK18N65L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.2A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFBC40ASTRLPBF
  仓库库存编号：IRFBC40ASTRLPBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.2A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFBC40ASTRRPBF
  仓库库存编号：IRFBC40ASTRRPBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 3A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Tc） 125W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA3N100P
  仓库库存编号：IXTA3N100P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 150V 56A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 56A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP56N15T
  仓库库存编号：IXTP56N15T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 48A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 48A（Tc） 250W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ48N20T
  仓库库存编号：IXTQ48N20T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 130A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 130A（Tc） 360W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXFP130N10T2
  仓库库存编号：IXFP130N10T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 16A D2-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 300W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA16N50P
  仓库库存编号：IXTA16N50P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 14A D2-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Tc） 300W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA14N60P
  仓库库存编号：IXTA14N60P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 22A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 280W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FDA20N50_F109
  仓库库存编号：FDA20N50_F109-ND
  别名：FDA20N50
  FDA20N50-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 650V
  详细描述：通孔 N 沟道 29A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP28N65E-GE3
  仓库库存编号：SIHP28N65E-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
• 
  
• 搜索