产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(12767)
晶体管 - FET,MOSFET - 单
(12767)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(370)
Central Semiconductor Corp(12)
Diodes Incorporated(189)
Exar Corporation(1)
Fairchild/Micross Components(1)
Fairchild/ON Semiconductor(1752)
Global Power Technologies Group(133)
Infineon Technologies(2745)
IXYS(1803)
Micro Commercial Co(14)
Microchip Technology(5)
Microsemi Corporation(546)
Nexperia USA Inc.(426)
NXP USA Inc.(149)
ON Semiconductor(411)
Panasonic Electronic Components(14)
Renesas Electronics America(187)
Rohm Semiconductor(186)
Sanken(29)
STMicroelectronics(1786)
Taiwan Semiconductor Corporation(231)
Toshiba Semiconductor and Storage(323)
TT Electronics/Optek Technology(3)
Vishay Semiconductor Diodes Division(11)
Vishay Siliconix(1440)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
IXYS
MOSFET N-CH 600V 10A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Tc) 200W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP10N60P
仓库库存编号:
IXTP10N60P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 9A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 29.8W(Tc) TO-220F-3(Y 型)
型号:
FCPF9N60NTYDTU
仓库库存编号:
FCPF9N60NTYDTU-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET P-CH 100V 18A TO-252
详细描述:表面贴装 P 沟道 18A(Tc) 83W(Tc) TO-252
型号:
IXTY18P10T
仓库库存编号:
IXTY18P10T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 65V 130A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 130A(Tc) 250W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP130N065T2
仓库库存编号:
IXTP130N065T2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 900V 9A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 368W(Tc) TO-247
型号:
AOK9N90
仓库库存编号:
AOK9N90-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 500V 13A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 13A(Ta) 45W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK13A50D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK13A50D(STA4QM)-ND
别名:TK13A50D(STA4QM)
TK13A50DSTA4QM
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 75V 170A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 170A(Tc) 360W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP170N075T2
仓库库存编号:
IXTP170N075T2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 40V 220A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 220A(Tc) 360W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP220N04T2
仓库库存编号:
IXTP220N04T2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 100V 130A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 130A(Tc) 360W(Tc) TO-220AB
型号:
IXFP130N10T
仓库库存编号:
IXFP130N10T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 75V 120A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 250W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP120N075T2
仓库库存编号:
IXTP120N075T2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 40V 160A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 160A(Tc) 250W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP160N04T2
仓库库存编号:
IXTP160N04T2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
UNIFET N-CHANNEL 500V MOSFET LDT
详细描述:通孔 N 沟道 16.5A(Tc) 205W(Tc) TO-3
型号:
FDA16N50LDTU
仓库库存编号:
FDA16N50LDTU-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
N-CHANNEL 600V
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Tc) 227W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SIHB22N60ET5-GE3
仓库库存编号:
SIHB22N60ET5-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 20A TO-263AA
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Tc) 380W(Tc) TO-263(IXFA)
型号:
IXFA20N50P3
仓库库存编号:
IXFA20N50P3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 150V 110A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 110A(Tc) 480W(Tc) TO-263(IXFA)
型号:
IXFA110N15T2
仓库库存编号:
IXFA110N15T2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Tc) TO-220AB
型号:
IXKP10N60C5
仓库库存编号:
IXKP10N60C5-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 11.5A(Ta) 110W(Tc) TO-220
型号:
TK12E60W,S1VX
仓库库存编号:
TK12E60WS1VX-ND
别名:TK12E60W,S1VX(S
TK12E60WS1VX
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 800V 750MA TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 750mA(Tc) 40W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP1N80
仓库库存编号:
IXTP1N80-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 800V 750MA TO-252AA
详细描述:表面贴装 N 沟道 750mA(Tc) 40W(Tc) TO-252AA
型号:
IXTY1N80
仓库库存编号:
IXTY1N80-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 110A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 75A(Tc) 200W(Tc) TO-220AB
型号:
AUIRF3205
仓库库存编号:
AUIRF3205-ND
别名:SP001519502
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 800V TO-3PN
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Ta) 250W(Tc) TO-3P(N)
型号:
TK10J80E,S1E
仓库库存编号:
TK10J80ES1E-ND
别名:TK10J80E,S1E(S
TK10J80ES1E
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 110A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 110A(Tc) 3.75W(Ta),375W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM110N04-03P-E3
仓库库存编号:
SUM110N04-03P-E3TR-ND
别名:SUM110N04-03P-E3-ND
SUM110N04-03P-E3TR
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 150V 76A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 76A(Tc) 350W(Tc) TO-220AB
型号:
IXFP76N15T2
仓库库存编号:
IXFP76N15T2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 13A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 13A(Tc) 116W(Tc) TO-220
型号:
FCP13N60N
仓库库存编号:
FCP13N60NFS-ND
别名:FCP13N60N-ND
FCP13N60NFS
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 800V 10A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Tc) 300W(Tc) TO-263(IXFA)
型号:
IXFA10N80P
仓库库存编号:
IXFA10N80P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
252
253
254
255
256
257
258
259
260
261
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号