产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 500V 6A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 6A（Ta） 27.4W（Tc） TO-220FL
型号：
RJK5033DPP-M0#T2
仓库库存编号：
RJK5033DPP-M0#T2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.4A（Tc） 63W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA1R4N100P
仓库库存编号：
IXTA1R4N100P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 61V 100V TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 140A（Tc） 187W（Tc） TO-220AB
型号：
DMTH10H005LCT
仓库库存编号：
DMTH10H005LCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 12A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 24W（Tc） PG-TO220 整包
型号：
IPA60R280P7XKSA1
仓库库存编号：
IPA60R280P7XKSA1-ND
别名：SP001658302
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 12A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 53W（Tc） PG-TO220-3
型号：
IPP60R280P7XKSA1
仓库库存编号：
IPP60R280P7XKSA1-ND
别名：SP001647026
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Sanken
MOSFET N-CH 200V 45A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 45A（Ta） 95W（Tc） TO-263-3
型号：
SKP202VR
仓库库存编号：
SKP202VR-ND
别名：SKP202VR DK
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK7
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 246W（Tc） D2PAK（TO-263）
型号：
FDB024N08BL7
仓库库存编号：
FDB024N08BL7CT-ND
别名：FDB024N08BL7CT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 9.6A TO-3PF
详细描述：通孔 N 沟道 9.6A（Tc） 96W（Tc） TO-3PF
型号：
IRFS450B
仓库库存编号：
IRFS450B-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 104A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.8W（Ta）, 165W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS6B05NWFT1G
仓库库存编号：
NVMFS6B05NWFT1G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
PT3 MV 75V 3.2MOHM FOR DELTA
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） TO-220
型号：
FDP032N08_F102
仓库库存编号：
FDP032N08_F102-ND
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无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 49A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 53A（Ta），378A（Tc） 3.9W（Ta），200W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C404NWFT3G
仓库库存编号：
NVMFS5C404NWFT3G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 53A（Ta），378A（Tc） 3.9W（Ta），200W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C404NWFAFT3G
仓库库存编号：
NVMFS5C404NWFAFT3G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Sanken
MOSFET N-CH 60V TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 70A（Ta） 130W（Tc） TO-3P
型号：
2SK3711
仓库库存编号：
2SK3711-ND
别名：2SK3711 DK
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无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 2A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Tc） 86W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
IXTY2N100P
仓库库存编号：
IXTY2N100P-ND
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 600V
详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 227W（Tc） TO-220AB
型号：
SIHP22N60EL-GE3
仓库库存编号：
SIHP22N60EL-GE3-ND
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 525V 12A TO-220SIS
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
型号：
TK12A53D(STA4,Q,M)
仓库库存编号：
TK12A53D(STA4QM)-ND
别名：TK12A53D(STA4QM)
TK12A53DSTA4QM
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 550V 11A TO-220SIS
详细描述：通孔 N 沟道 11A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
型号：
TK11A55D(STA4,Q,M)
仓库库存编号：
TK11A55D(STA4QM)-ND
别名：TK11A55D(STA4QM)
TK11A55DSTA4QM
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
UNIFET 250V
详细描述：通孔 N 沟道 51A（Tc） 38W（Tc） TO-220F
型号：
FDPF51N25RDTU
仓库库存编号：
FDPF51N25RDTU-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 53A（Ta），378A（Tc） 3.9W（Ta），200W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C404NAFT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C404NAFT1G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 600V
详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 35W（Tc） TO-220 整包
型号：
SIHA22N60EL-E3
仓库库存编号：
SIHA22N60EL-E3-ND
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IXYS
MOSFET P-CH 150V 15A TO-220
详细描述：通孔 P 沟道 15A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP15P15T
仓库库存编号：
IXTP15P15T-ND
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IXYS
MOSFET P-CH 100V 26A TO-220
详细描述：通孔 P 沟道 26A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP26P10T
仓库库存编号：
IXTP26P10T-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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IXYS
MOSFET P-CH 50V 48A TO-220
详细描述：通孔 P 沟道 48A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP48P05T
仓库库存编号：
IXTP48P05T-ND
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 600V
详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Tc） 227W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SIHB22N60ET1-GE3
仓库库存编号：
SIHB22N60ET1-GE3-ND
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 800mA（Tc） 42W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
IXTY08N100P
仓库库存编号：
IXTY08N100P-ND
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