产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 110A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 110A（Tc） 3.75W（Ta），250W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SUM110N04-04-E3
仓库库存编号：
SUM110N04-04-E3TR-ND
别名：SUM110N04-04-E3-ND
SUM110N04-04-E3TR
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 55V 90A TO-220
详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 1.2W（Ta），147W（Tc） TO-252-3
型号：
NP90N055VUK-E1-AY
仓库库存编号：
NP90N055VUK-E1-AY-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 12A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 24W（Tc） PG-TO220 整包
型号：
IPAW60R280P7SXKSA1
仓库库存编号：
IPAW60R280P7SXKSA1-ND
别名：SP001658180
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） D2PAK
型号：
IRF740STRRPBF
仓库库存编号：
IRF740STRRPBF-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 7A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP7N60P
仓库库存编号：
IXTP7N60P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 31V 40V TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 150A（Tc） 165W（Tc） TO-220AB
型号：
DMNH4005SCTQ
仓库库存编号：
DMNH4005SCTQ-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO251-3
详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 51W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPU80R750P7AKMA1
仓库库存编号：
IPU80R750P7AKMA1-ND
别名：SP001644620
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO251-3
详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 51W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPS80R750P7AKMA1
仓库库存编号：
IPS80R750P7AKMA1-ND
别名：SP001644628
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 170W（Tc） TO-263AB
型号：
IRFS11N50ATRLP
仓库库存编号：
IRFS11N50ATRLP-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 170W（Tc） D2PAK
型号：
IRFS11N50ATRRP
仓库库存编号：
IRFS11N50ATRRP-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） TO-263AB
型号：
IRF840LCSTRRPBF
仓库库存编号：
IRF840LCSTRRPBF-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 33A TO-220FM
详细描述：通孔 N 沟道 33A（Ta） 2.23W（Ta），40W（Tc） TO-220FM
型号：
RCX330N25
仓库库存编号：
RCX330N25-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Sanken
MOSFET N-CH 200V 45A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 45A（Ta） 40W（Tc） TO-220
型号：
FKP202
仓库库存编号：
FKP202-ND
别名：FKP202 DK
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET NCH 60V 130A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 130A（Tc） 210W（Tc） TO-220AB
型号：
DMNH6008SCTQ
仓库库存编号：
DMNH6008SCTQDI-ND
别名：DMNH6008SCTQ-ND
DMNH6008SCTQDI
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 60V 100A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Ta） 1.5W（Ta），156W（Tc） TO-220-3
型号：
N0602N-S19-AY
仓库库存编号：
N0602N-S19-AY-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 750mA（Tc） 40W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP05N100
仓库库存编号：
IXTP05N100-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 77A（Tc） 217W（Tc） D2PAK-3
型号：
NVB6411ANT4G
仓库库存编号：
NVB6411ANT4G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 7A TO-220SIS
详细描述：通孔 N 沟道 7A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
型号：
TK7A65D(STA4,Q,M)
仓库库存编号：
TK7A65D(STA4QM)-ND
别名：TK7A65D(STA4QM)
TK7A65DSTA4QM
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 104A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.8W（Ta）, 165W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS6B05NT3G
仓库库存编号：
NVMFS6B05NT3G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 85A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 85A（Tc） 375W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SQM85N15-19_GE3
仓库库存编号：
SQM85N15-19_GE3-ND
别名：SQM85N15-19-GE3
SQM85N15-19-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 200-V (D-S) 175C MOSFE
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 375W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SQM60N20-35_GE3
仓库库存编号：
SQM60N20-35_GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 8A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP8N50P
仓库库存编号：
IXTP8N50P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 40V 120A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 200W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA120N04T2
仓库库存编号：
IXTA120N04T2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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IXYS
MOSFET P-CH 150V 10A TO-220
详细描述：通孔 P 沟道 10A（Tc） 83W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP10P15T
仓库库存编号：
IXTP10P15T-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 450V 12A TO-220SIS
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
型号：
TK12A45D(STA4,Q,M)
仓库库存编号：
TK12A45D(STA4QM)-ND
别名：TK12A45D(STA4QM)
TK12A45DSTA4QM
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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