产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Sanken
MOSFET N-CH 250V 20A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta) 40W(Tc) TO-263-3
型号:
SKP253VR
仓库库存编号:
SKP253VR-ND
别名:SKP253VR DK
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Sanken
MOSFET N-CH 250V 20A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta) 40W(Tc) TO-263-3
型号:
SKP253
仓库库存编号:
SKP253-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 5A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Tc) 114W(Tc) TO-252
型号:
IXFY5N50P3
仓库库存编号:
IXFY5N50P3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 23A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 23A(Tc) 227W(Tc) TO-220AB
型号:
SIHP23N60E-GE3
仓库库存编号:
SIHP23N60E-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 550V 8.5A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 8.5A(Ta) 40W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK9A55DA(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK9A55DA(STA4QM)-ND
别名:TK9A55DA(STA4QM)
TK9A55DASTA4QM
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 9A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Ta) 45W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK9A60D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK9A60D(STA4QM)-ND
别名:TK9A60D(STA4QM)
TK9A60DSTA4QM
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.2A(Tc) 3.1W(Ta),50W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBC20STRLPBF
仓库库存编号:
IRFBC20STRLPBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 12A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 24W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA60R280P7SXKSA1
仓库库存编号:
IPA60R280P7SXKSA1-ND
别名:SP001658160
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 100mA(Tc) 25W(Tc) TO-251
型号:
IXTU01N80
仓库库存编号:
IXTU01N80-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 40V 100A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 150W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA100N04T2
仓库库存编号:
IXTA100N04T2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 70A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 70A(Tc) 150W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA70N075T2
仓库库存编号:
IXTA70N075T2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 55V 90A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 150W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA90N055T2
仓库库存编号:
IXTA90N055T2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 40V 120A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 200W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP120N04T2
仓库库存编号:
IXTP120N04T2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 220A TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 220A(Tc) 283W(Tc) TO-220AB
型号:
NTP5860NG
仓库库存编号:
NTP5860NG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 600V
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 179W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SIHB18N60E-GE3
仓库库存编号:
SIHB18N60E-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 120A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 300W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SQM120N04-1M9_GE3
仓库库存编号:
SQM120N04-1M9_GE3-ND
别名:SQM120N04-1M9-GE3
SQM120N04-1M9-GE3-ND
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 17A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 17A(Tc) 277.8W(Tc) TO-220AB
型号:
SIHP17N60D-E3
仓库库存编号:
SIHP17N60D-E3-ND
别名:SIHP17N60DE3
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 17A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 17A(Tc) 277.8W(Tc) TO-220AB
型号:
SIHP17N60D-GE3
仓库库存编号:
SIHP17N60D-GE3-ND
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 338W(Tc) I2PAK
型号:
PSMN3R3-80ES,127
仓库库存编号:
1727-6502-ND
别名:1727-6502
568-8598-5
568-8598-5-ND
934066133127
PSMN3R380ES127
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 120V 72A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 72A(Ta) 255W(Tc) TO-220-3
型号:
TK72E12N1,S1X
仓库库存编号:
TK72E12N1S1X-ND
别名:TK72E12N1,S1X(S
TK72E12N1S1X
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 20.6A(Tc) 39W(Tc) TO-220F
型号:
FCPF190N65FL1
仓库库存编号:
FCPF190N65FL1-ND
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 18A(Tc) 3.7W(Ta),88W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9Z34STRRPBF
仓库库存编号:
IRF9Z34STRRPBF-ND
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 230W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SQM120N06-06_GE3
仓库库存编号:
SQM120N06-06_GE3-ND
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:通孔 N 沟道 175W(Tc) TO-220AB
型号:
SQP120N06-06_GE3
仓库库存编号:
SQP120N06-06_GE3-ND
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 375W(Tc) TO-220AB
型号:
SQP120N10-09_GE3
仓库库存编号:
SQP120N10-09_GE3-ND
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