产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 190W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFZ48RPBF
仓库库存编号:
IRFZ48RPBF-ND
别名:*IRFZ48RPBF
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 11.5A(Tc) 165W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB12N50FTM_WS
仓库库存编号:
FDB12N50FTM_WSCT-ND
别名:FDB12N50FTM_WSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 113W(Tc) TO-251
型号:
DMJ70H600SH3
仓库库存编号:
DMJ70H600SH3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 120V 42A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 42A(Tc) 35W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK42A12N1,S4X
仓库库存编号:
TK42A12N1S4X-ND
别名:TK42A12N1,S4X(S
TK42A12N1,S4X-ND
TK42A12N1S4X
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 100A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Ta) 1.5W(Ta),119W(Tc) TO-220
型号:
N0412N-S19-AY
仓库库存编号:
N0412N-S19-AY-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 9A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 22W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA60R360P7SXKSA1
仓库库存编号:
IPA60R360P7SXKSA1-ND
别名:SP001606068
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 7.5A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 7.5A(Ta) 45W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK8A60DA(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK8A60DA(STA4QM)-ND
别名:TK8A60DA(STA4QM)
TK8A60DASTA4QM
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 338W(Tc) I2PAK
型号:
PSMN3R5-80ES,127
仓库库存编号:
1727-5283-ND
别名:1727-5283
568-6711
568-6711-5
568-6711-5-ND
568-6711-ND
934065163127
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.9W(Ta), 166W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5C410NWFT3G
仓库库存编号:
NVMFS5C410NWFT3G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 46A(Ta), 300A(Tc) 3.9W(Ta), 166W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5C410NWFAFT3G
仓库库存编号:
NVMFS5C410NWFAFT3G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 6.2A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 6.2A(Ta) 60W(Tc) I-Pak
型号:
TK6Q60W,S1VQ
仓库库存编号:
TK6Q60WS1VQ-ND
别名:TK6Q60W,S1VQ(S
TK6Q60WS1VQ
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 9.7A 5DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.7A(Ta) 88.3W(Tc) 5-DFN(8x8)
型号:
TK10V60W,LVQ
仓库库存编号:
TK10V60WLVQCT-ND
别名:TK10V60WLVQCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 4.5A(Tc) 37W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU80R1K2P7AKMA1
仓库库存编号:
IPU80R1K2P7AKMA1-ND
别名:SP001644614
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 4.5A(Tc) 37W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS80R1K2P7AKMA1
仓库库存编号:
IPS80R1K2P7AKMA1-ND
别名:SP001644626
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 41V 60V,TO220-3,TU
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Tc) 2.8W(Ta),125W(Tc) TO-220-3
型号:
DMTH6010SCT
仓库库存编号:
DMTH6010SCTDI-5-ND
别名:DMTH6010SCTDI-5
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 3.1W(Ta),125W(Tc) I2PAK
型号:
IRF840LCLPBF
仓库库存编号:
IRF840LCLPBF-ND
别名:*IRF840LCLPBF
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Tc) 3.1W(Ta),125W(Tc) D2PAK
型号:
IRF840LCSPBF
仓库库存编号:
IRF840LCSPBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 45W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU80R900P7AKMA1
仓库库存编号:
IPU80R900P7AKMA1-ND
别名:SP001633512
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 45W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS80R900P7AKMA1
仓库库存编号:
IPS80R900P7AKMA1-ND
别名:SP001633526
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 10.8A(Tc) 94W(Tc) TO-220-3
型号:
FCP11N60N
仓库库存编号:
FCP11N60N-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 40A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 3W(Ta),136W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD40N10-25-T4-E3
仓库库存编号:
SUD40N10-25-T4-E3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 450V 11A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Ta) 40W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK11A45D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK11A45D(STA4QM)-ND
别名:TK11A45D(STA4QM)
TK11A45DSTA4QM
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 13A TO220FM
详细描述:通孔 N 沟道 13A(Tc) 40W(Tc) TO-220FM
型号:
ZDX130N50
仓库库存编号:
ZDX130N50-ND
别名:ZDX130N50CT-ND
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 1A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 1A(Tc) 50W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
IXTY1N100P
仓库库存编号:
IXTY1N100P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 55V 90A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 90A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP90N055T2
仓库库存编号:
IXTP90N055T2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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