产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 20A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 165W（Tc） D2PAK
型号：
TK20G60W,RVQ
仓库库存编号：
TK20G60WRVQCT-ND
别名：TK20G60WRVQCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 21W（Tc） PG-TO220 整包
型号：
IPAW60R600P7SXKSA1
仓库库存编号：
IPAW60R600P7SXKSA1-ND
别名：SP001618082
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 150V WPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Ta） 65W（Tc） WPAK（3F）（5x6）
型号：
RJK1575DPA-00#J5A
仓库库存编号：
RJK1575DPA-00#J5A-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 150V WPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Ta） 65W（Tc） WPAK（3F）（5x6）
型号：
RJK1576DPA-00#J5A
仓库库存编号：
RJK1576DPA-00#J5A-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 3A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 3A（Tc） 70W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP3N60P
仓库库存编号：
IXTP3N60P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 2.5A TO-220SIS
详细描述：通孔 N 沟道 2.5A（Ta） 35W（Tc） TO-220SIS
型号：
TK3A65DA(STA4,QM)
仓库库存编号：
TK3A65DA(STA4QM)-ND
别名：TK3A65DA(STA4QM)
TK3A65DASTA4QM
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 11A（Tc） 3.7W（Ta），60W（Tc） D2PAK
型号：
IRF9Z24STRLPBF
仓库库存编号：
IRF9Z24STRLPBF-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 11A（Tc） 3.7W（Ta），60W（Tc） D2PAK
型号：
IRF9Z24STRRPBF
仓库库存编号：
IRF9Z24STRRPBF-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.6A（Tc） 100W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA4N80P
仓库库存编号：
IXTA4N80P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET NCH 60V 130A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 130A（Tc） 210W（Tc） TO-220AB
型号：
DMNH6008SCT
仓库库存编号：
DMNH6008SCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET NCH 40V 100A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 2.8W（Ta），125W（Tc） TO-220AB
型号：
DMTH4005SCT
仓库库存编号：
DMTH4005SCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 20.2A（Tc） 39W（Tc） TO-220F-3
型号：
FCPF190N60_F152
仓库库存编号：
FCPF190N60_F152-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 5A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 5A（Tc） 100W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP5N60P
仓库库存编号：
IXTP5N60P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 3.2A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 3.2A（Tc） 38W（Tc） TO-220AB
型号：
IXFP5N50PM
仓库库存编号：
IXFP5N50PM-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 651V 800V ITO-220A
详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 41W（Tc） ITO-220AB
型号：
DMN80H2D0SCTI
仓库库存编号：
DMN80H2D0SCTI-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 147W（Tc） TO-220AB
型号：
SIHP12N60E-E3
仓库库存编号：
SIHP12N60E-E3-ND
别名：SIHP12N60EE3
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 70A（Tc） 349W（Tc） I2PAK
型号：
PSMN7R8-120ESQ
仓库库存编号：
1727-1509-ND
别名：1727-1509
568-10989-5
568-10989-5-ND
934067449127
PSMN7R8-120ESQ-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 5A TO-220SIS
详细描述：通孔 N 沟道 5A（Ta） 35W（Tc） TO-220SIS
型号：
TK5A60D(STA4,Q,M)
仓库库存编号：
TK5A60D(STA4QM)-ND
别名：TK5A60D(STA4QM)
TK5A60DSTA4QM
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 250V 20A LDPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 75W（Tc） 4-LDPAK
型号：
H5N2522LSTL-E
仓库库存编号：
H5N2522LSTL-E-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 4.8A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 4.8A（Tc） 89W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP5N50P
仓库库存编号：
IXTP5N50P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 1.7A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 1.7A（Tc） 30W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFIBC20GPBF
仓库库存编号：
IRFIBC20GPBF-ND
别名：*IRFIBC20GPBF
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 450MA 4-DIP
详细描述：通孔 N 沟道 450mA（Ta） 1W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD214
仓库库存编号：
IRFD214-ND
别名：*IRFD214
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 50V 1.1A 4-DIP
详细描述：通孔 P 沟道 1.1A（Tc） 1W（Tc） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD9010
仓库库存编号：
IRFD9010-ND
别名：*IRFD9010
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7846DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7846DP-T1-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Sanken
MOSFET N-CH 200V TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 18A（Ta） 35W（Tc） TO-220F
型号：
2SK3003
仓库库存编号：
2SK3003-ND
别名：2SK3003 DK
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无铅
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