产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 4.6A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 600V 4.6A(Tc) 54W(Tc) I-Pak
型号:
FCU5N60TU
仓库库存编号:
FCU5N60TU-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 650V 7A TO262F
详细描述:通孔 N 沟道 650V 7A(Tc) 104W(Tc) TO-262
型号:
AOW7S65
仓库库存编号:
785-1527-5-ND
别名:AOW7S65-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 58A(Tc) 167W(Tc) D2PAK-3
型号:
NVB6412ANT4G
仓库库存编号:
NVB6412ANT4G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 11A(Tc) 50W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF11C60
仓库库存编号:
AOTF11C60-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 8.2A IPAK-4
详细描述:通孔 N 沟道 600V 8.2A(Tc) 94W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
NDD60N550U1-1G
仓库库存编号:
NDD60N550U1-1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 8.2A IPAK-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 8.2A(Tc) 94W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
NDD60N550U1-35G
仓库库存编号:
NDD60N550U1-35G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 20.3A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 20.3A(Tc) 62W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK7575-55A,127
仓库库存编号:
568-9767-5-ND
别名:568-9767-5
934056259127
BUK7575-55A
BUK7575-55A,127-ND
BUK7575-55A-ND
BUK757555A127
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 800V 1.9A(Tc) 18W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU80R3K3P7AKMA1
仓库库存编号:
IPU80R3K3P7AKMA1-ND
别名:SP001636448
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 120A(Tc) 293W(Tc) D2PAK
型号:
BUK762R0-40E,118
仓库库存编号:
1727-1089-1-ND
别名:1727-1089-1
568-10242-1
568-10242-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 11A(Tc) 36W(Tc) TO-220F
型号:
FCPF11N60
仓库库存编号:
FCPF11N60-ND
别名:FCPF11N60_NL
FCPF11N60_NL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP
详细描述:通孔 N 沟道 250V 630mA(Ta) 1W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD224
仓库库存编号:
IRFD224-ND
别名:*IRFD224
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
含铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 11A(Tc) 38W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF11S60
仓库库存编号:
AOTF11S60-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 11A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 600V 11A(Tc) 178W(Tc) TO-262
型号:
AOW11S60
仓库库存编号:
AOW11S60-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 11A TO262F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 11A(Tc) 28W(Tc)
型号:
AOWF11S60
仓库库存编号:
AOWF11S60-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 11A(Tc) 38W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF11S60L
仓库库存编号:
AOTF11S60L-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 11A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 11A(Tc) 278W(Tc) TO-220
型号:
AOT11C60L
仓库库存编号:
AOT11C60L-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 2A(Tc) 3.1W(Ta),36W(Tc) D2PAK
型号:
IRF710STRLPBF
仓库库存编号:
IRF710STRLPBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 800MA 4-DIP
详细描述:通孔 N 沟道 60V 800mA(Tc) 1W(Tc) 4-HVMDIP
型号:
IRFD113PBF
仓库库存编号:
IRFD113PBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 7.5A(Tc) 3.13W(Ta),147W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB8N60CTM
仓库库存编号:
FQB8N60CTMFSCT-ND
别名:FQB8N60CTMFSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 600V 10A(Ta) 45W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK10A60D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK10A60DSTA4QM-ND
别名:TK10A60DSTA4QM
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 1.6A(Tc) 43W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
IXTY1R6N50P
仓库库存编号:
IXTY1R6N50P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: >800V TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 900V 2.5A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
DMN90H8D5HCT
仓库库存编号:
DMN90H8D5HCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Sanken
MOSFET N-CH 500V TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 500V 5A(Ta) 30W(Tc) TO-220F
型号:
2SK3199
仓库库存编号:
2SK3199-ND
别名:2SK3199 DK
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 3.8W(Ta), 128W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5C426NWFT3G
仓库库存编号:
NVMFS5C426NWFT3G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 41A(Ta), 235A(Tc) 3.8W(Ta), 128W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5C426NWFAFT3G
仓库库存编号:
NVMFS5C426NWFAFT3G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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