产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(12767)
晶体管 - FET,MOSFET - 单
(12767)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(370)
Central Semiconductor Corp(12)
Diodes Incorporated(189)
Exar Corporation(1)
Fairchild/Micross Components(1)
Fairchild/ON Semiconductor(1752)
Global Power Technologies Group(133)
Infineon Technologies(2745)
IXYS(1803)
Micro Commercial Co(14)
Microchip Technology(5)
Microsemi Corporation(546)
Nexperia USA Inc.(426)
NXP USA Inc.(149)
ON Semiconductor(411)
Panasonic Electronic Components(14)
Renesas Electronics America(187)
Rohm Semiconductor(186)
Sanken(29)
STMicroelectronics(1786)
Taiwan Semiconductor Corporation(231)
Toshiba Semiconductor and Storage(323)
TT Electronics/Optek Technology(3)
Vishay Semiconductor Diodes Division(11)
Vishay Siliconix(1440)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 12A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 90W(Tc) I-Pak
型号:
STU16N65M5
仓库库存编号:
497-11402-5-ND
别名:497-11402-5
STU16N65M5-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 11A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 160W(Tc) TO-220AB
型号:
STP11NM60FD
仓库库存编号:
497-3180-5-ND
别名:497-3180-5
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 550V 20A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 192W(Tc) I2PAK
型号:
STB20NM50-1
仓库库存编号:
497-5382-5-ND
别名:497-5382-5
STB20NM50-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 13A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 13A(Tc) 190W(Tc) TO-220AB
型号:
STP16NK65Z
仓库库存编号:
497-4119-5-ND
别名:497-4119-5
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 21A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 21A(Tc) 192W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW60R165CP
仓库库存编号:
IPW60R165CP-ND
别名:IPW60R165CPFKSA1
IPW60R165CPX
IPW60R165CPXK
SP000095483
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 30A TO247-4
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 190W(Tc)
型号:
STW38N65M5-4
仓库库存编号:
STW38N65M5-4-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 25A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 25A(Tc) 39W(Tc) TO-220 整包
型号:
SIHA25N60EFL-E3
仓库库存编号:
SIHA25N60EFL-E3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CHAN 850V TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 15A(Tc) 208W(Tc) TO-220AB
型号:
SIHP17N80E-GE3
仓库库存编号:
SIHP17N80E-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 850V TO-220 FULLPAK
详细描述:通孔 N 沟道 15A(Tc) 35W(Tc) TO-220 整包
型号:
SIHA17N80E-E3
仓库库存编号:
SIHA17N80E-E3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 24A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) 170W(Tc) TO-247
型号:
STW28N60M2
仓库库存编号:
497-14292-5-ND
别名:497-14292-5
STW28N60M2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1200V 3.8A TO-3PF
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 63W(Tc) TO-3PF
型号:
STFW6N120K3
仓库库存编号:
497-12122-ND
别名:497-12122
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CHAN 850V TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 15A(Tc) 208W(Tc) TO-247AC
型号:
SIHG17N80E-GE3
仓库库存编号:
SIHG17N80E-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 29A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 29A(Tc) 40W(Tc) TO-220FP
型号:
STF34NM60ND
仓库库存编号:
497-12248-ND
别名:497-12248
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 29A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 29A(Tc) 190W(Tc) TO-247
型号:
STW36NM60ND
仓库库存编号:
497-13888-5-ND
别名:497-13888-5
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 650V 34A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 34A(Tc) 540W(Tc) TO-263AA
型号:
IXFA34N65X2
仓库库存编号:
IXFA34N65X2-ND
别名:IXFA34N65X2X
IXFA34N65X2X-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 650V 34A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 34A(Tc) 540W(Tc) TO-247
型号:
IXTH34N65X2
仓库库存编号:
IXTH34N65X2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 21A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 21A(Tc) 160W(Tc) TO-247-3
型号:
STW27NM60ND
仓库库存编号:
497-10086-5-ND
别名:497-10086-5
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 29A 8-PWRTDFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 29A(Tc) 202W(Tc) PowerPAK? 8 x 8
型号:
SIHH28N60E-T1-GE3
仓库库存编号:
SIHH28N60E-T1-GE3-ND
别名:SIHH28N60E-T1-GE3CT
SIHH28N60E-T1-GE3CT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 33A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 33A(Tc) 190W(Tc) I2PAK
型号:
STI42N65M5
仓库库存编号:
497-8899-5-ND
别名:497-8899-5
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 22A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 22A(Tc) 160W(Tc) I2PAK
型号:
STB25NM50N-1
仓库库存编号:
497-5729-ND
别名:497-5729
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 250V 80A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 390W(Tc) TO-220AB(IXFP)
型号:
IXFP80N25X3
仓库库存编号:
IXFP80N25X3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 45A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 45A(Tc) 417W(Tc) TO-247-3
型号:
STW45NM50
仓库库存编号:
497-2760-5-ND
别名:497-2760-5
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 250V 80A TO263AA
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 390W(Tc) TO-263AA
型号:
IXFA80N25X3
仓库库存编号:
IXFA80N25X3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 66A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 66A(Tc) 446W(Tc) TO-247 长引线
型号:
STWA70N60DM2
仓库库存编号:
STWA70N60DM2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1200V 12A TO-3PF
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 63W(Tc) TO-3PF
型号:
STFW12N120K5
仓库库存编号:
STFW12N120K5-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
209
210
211
212
213
214
215
216
217
218
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号