产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(12767)
晶体管 - FET,MOSFET - 单
(12767)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(370)
Central Semiconductor Corp(12)
Diodes Incorporated(189)
Exar Corporation(1)
Fairchild/Micross Components(1)
Fairchild/ON Semiconductor(1752)
Global Power Technologies Group(133)
Infineon Technologies(2745)
IXYS(1803)
Micro Commercial Co(14)
Microchip Technology(5)
Microsemi Corporation(546)
Nexperia USA Inc.(426)
NXP USA Inc.(149)
ON Semiconductor(411)
Panasonic Electronic Components(14)
Renesas Electronics America(187)
Rohm Semiconductor(186)
Sanken(29)
STMicroelectronics(1786)
Taiwan Semiconductor Corporation(231)
Toshiba Semiconductor and Storage(323)
TT Electronics/Optek Technology(3)
Vishay Semiconductor Diodes Division(11)
Vishay Siliconix(1440)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 620V 8.4A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 8.4A(Tc) 30W(Tc) TO-220FP
型号:
STF10N62K3
仓库库存编号:
STF10N62K3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
STP80NF55-08
仓库库存编号:
497-3202-5-ND
别名:497-3202-5
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V POWERPAK SO-8L
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Tc) 89W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIHJ8N60E-T1-GE3
仓库库存编号:
SIHJ8N60E-T1-GE3CT-ND
别名:SIHJ8N60E-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 86.2W(Tc) TO-251(IPAK)
型号:
TSM4N60ECH C5G
仓库库存编号:
TSM4N60ECH C5G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V D2PAK
详细描述:MOSFET N-CH 100V D2PAK
型号:
STB120N10F4
仓库库存编号:
STB120N10F4-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 11A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 90W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
STU13NM60N
仓库库存编号:
STU13NM60N-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N CH 650V 9A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Tc) 85W(Tc) DPAK
型号:
STD11N65M5
仓库库存编号:
497-12935-1-ND
别名:497-12935-1
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 525V 6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 90W(Tc) D-Pak
型号:
STD7N52DK3
仓库库存编号:
497-10707-1-ND
别名:497-10707-1
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 211W(Tc) D2PAK
型号:
PSMN2R8-40BS,118
仓库库存编号:
1727-7119-1-ND
别名:1727-7119-1
568-9489-1
568-9489-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 6A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 110W(Tc) I2PAK
型号:
STB6NK60Z-1
仓库库存编号:
497-5955-5-ND
别名:497-5955-5
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 90A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 90A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
STP90N55F4
仓库库存编号:
497-10399-5-ND
别名:497-10399-5
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 5A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 5A(Tc) 96W(Tc) I-Pak
型号:
STD5NM60-1
仓库库存编号:
497-12786-5-ND
别名:497-12786-5
STD5NM60-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 7.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Tc) 45W(Tc) D-Pak
型号:
STD9NM50N
仓库库存编号:
497-7980-1-ND
别名:497-7980-1
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 36.8W(Tc) TO-251(IPAK)
型号:
TSM60NB900CH C5G
仓库库存编号:
TSM60NB900CH C5G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 120V 100A POWERFLAT
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 136W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL100N12F7
仓库库存编号:
STL100N12F7-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 620V 7A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 90W(Tc) TO-220
型号:
STPLED627
仓库库存编号:
STPLED627-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
T6 40V MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Ta),185A(Tc) 3.8W(Ta), 106W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS5C430NT1G
仓库库存编号:
NTMFS5C430NT1GOSCT-ND
别名:NTMFS5C430NT1GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 4.5A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 4.5A(Tc) 37W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS65R950C6AKMA1
仓库库存编号:
IPS65R950C6AKMA1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 70A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 70A(Tc) 85W(Tc) DPAK
型号:
STD80N10F7
仓库库存编号:
497-14812-1-ND
别名:497-14812-1
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251
详细描述:通孔 N 沟道 4.6A(Tc) 41W(Tc) TO-251
型号:
DMJ70H1D3SI3
仓库库存编号:
DMJ70H1D3SI3DI-ND
别名:DMJ70H1D3SI3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251
详细描述:通孔 N 沟道 4.6A(Tc) 41W(Tc) TO-251
型号:
DMJ70H1D3SH3
仓库库存编号:
DMJ70H1D3SH3DI-ND
别名:DMJ70H1D3SH3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 44.6W(Tc) ITO-220S
型号:
TSM7NC60CF C0G
仓库库存编号:
TSM7NC60CF C0G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 30A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 30W(Tc) TO-220FP
型号:
STP60NF06FP
仓库库存编号:
497-3197-5-ND
别名:497-3197-5
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 6A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 110W(Tc) D2PAK
型号:
STB6NK60ZT4
仓库库存编号:
497-12537-1-ND
别名:497-12537-1
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 4.5A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 4.5A(Tc) 85W(Tc) I2PAK
型号:
STI6N80K5
仓库库存编号:
497-15017-5-ND
别名:497-15017-5
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
199
200
201
202
203
204
205
206
207
208
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号