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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 25A（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXKR25N80C
  仓库库存编号：IXKR25N80C-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 110A PLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 1890W（Tc） PLUS264?
  
  型号：IXFB110N60P3
  仓库库存编号：IXFB110N60P3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 24A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 1000W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK24N100Q3
  仓库库存编号：IXFK24N100Q3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 44A PLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 44A（Tc） 1560W（Tc） PLUS264?
  
  型号：IXFB44N100Q3
  仓库库存编号：IXFB44N100Q3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 44A SOT227
  详细描述：底座安装 N 沟道 44A（Tc） 450W（Tc） SOT-227
  
  型号：APT5010JVRU2
  仓库库存编号：APT5010JVRU2-ND
  别名：APT5010JVRU2MI
  APT5010JVRU2MI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 70A PLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 70A（Tc） 890W（Tc） PLUS264?
  
  型号：IXFB70N60Q2
  仓库库存编号：IXFB70N60Q2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 103A（Tc） 960W（Tc） SOT-227
  
  型号：APT100M50J
  仓库库存编号：APT100M50J-ND
  别名：APT100M50JMI
  APT100M50JMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 34A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 35A（Tc） 960W（Tc） SOT-227
  
  型号：APT34M120J
  仓库库存编号：APT34M120J-ND
  别名：APT34M120JMI
  APT34M120JMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 37A（Tc） 694W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT10021JFLL
  仓库库存编号：APT10021JFLL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 60 V, 0.019 OHM TYP.,
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 2.4W（Ta） PowerFlat?（2x2）
  
  型号：STL7N6F7
  仓库库存编号：497-16934-1-ND
  别名：497-16934-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 11A POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta） 2.9W（Ta）, 48W（Tc） PowerFlat?（3.3x3.3）
  
  型号：STL11N6F7
  仓库库存编号：497-16501-1-ND
  别名：497-16501-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 3A PWRFLAT 5X6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Tc） 38W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL4LN80K5
  仓库库存编号：497-17146-1-ND
  别名：497-17146-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V KPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Tc） 60W（Tc） DPAK
  
  型号：STD4LN80K5
  仓库库存编号：497-17290-1-ND
  别名：497-17290-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP.,
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 85W（Tc） DPAK
  
  型号：STD8N60DM2
  仓库库存编号：497-16930-1-ND
  别名：497-16930-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 60 V 4.2 MOHM TYP. 80
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 134W（Tc） DPAK
  
  型号：STD130N6F7
  仓库库存编号：497-17305-1-ND
  别名：497-17305-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• STMicroelectronics
  AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 40 V
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 134W（Tc） DPAK
  
  型号：STD134N4F7AG
  仓库库存编号：497-17306-1-ND
  别名：497-17306-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• STMicroelectronics
  AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 40 V
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 172W（Tc） DPAK
  
  型号：STD170N4F7AG
  仓库库存编号：497-17307-1-ND
  别名：497-17307-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.5A（Tc） 85W（Tc） DPAK
  
  型号：STD10N60M2
  仓库库存编号：497-13937-1-ND
  别名：497-13937-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 900 V, 0.25 OHM TYP.,
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Tc） 60W（Tc） DPAK
  
  型号：STD4N90K5
  仓库库存编号：497-17069-1-ND
  别名：497-17069-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• STMicroelectronics
  POWER TRANSISTORS
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 111W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL140N4F7AG
  仓库库存编号：497-16679-1-ND
  别名：497-16679-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• STMicroelectronics
  POWER TRANSISTORS
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 127W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL190N4F7AG
  仓库库存编号：497-16678-1-ND
  别名：497-16678-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 500 V, 0.35 OHM TYP.,
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 110W（Tc） DPAK
  
  型号：STD12N50DM2
  仓库库存编号：497-16347-1-ND
  别名：497-16347-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 650V 4A ITO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 8.35W（Ta） ITO-220AB
  
  型号：DMG4N65CTI
  仓库库存编号：DMG4N65CTIDI-ND
  别名：DMG4N65CTIDI
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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  含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 28W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：IPA65R650CEXKSA1
  仓库库存编号：IPA65R650CEXKSA1-ND
  别名：SP001295804
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 78W（Tc） D2PAK（TO-263）
  
  型号：SIHB6N65E-GE3
  仓库库存编号：SIHB6N65E-GE3CT-ND
  别名：SIHB6N65E-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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