产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 293W(Tc) D2PAK
型号:
BUK763R1-60E,118
仓库库存编号:
1727-7252-1-ND
别名:1727-7252-1
568-9881-1
568-9881-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 10A VSON-4
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Tc) 46W(Tc) PG-VSON-4
型号:
IPL60R365P7AUMA1
仓库库存编号:
IPL60R365P7AUMA1CT-ND
别名:IPL60R365P7AUMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
BUK7610-55AL,118
仓库库存编号:
1727-7164-1-ND
别名:1727-7164-1
568-9648-1
568-9648-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 188W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB120N04S401ATMA1
仓库库存编号:
IPB120N04S401ATMA1CT-ND
别名:IPB120N04S401ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 140A TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 140A(Tc) 167W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB020N04N G
仓库库存编号:
IPB020N04N GCT-ND
别名:IPB020N04N GCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 306W(Tc) D2PAK
型号:
BUK662R7-55C,118
仓库库存编号:
1727-5433-1-ND
别名:1727-5433-1
568-6900-1
568-6900-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
含铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 269W(Tc) D2PAK
型号:
PSMN7R0-100BS,118
仓库库存编号:
1727-7214-1-ND
别名:1727-7214-1
568-9705-1
568-9705-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 13A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 13A(Tc) 114W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI50R250CPXKSA1
仓库库存编号:
IPI50R250CPXKSA1-ND
别名:IPI50R250CP
IPI50R250CP-ND
SP000523750
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 18A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 72W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R180P7ATMA1
仓库库存编号:
IPD60R180P7ATMA1CT-ND
别名:IPD60R180P7ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 188W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB180N04S401ATMA1
仓库库存编号:
IPB180N04S401ATMA1CT-ND
别名:IPB180N04S401ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 63W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R225C7ATMA1
仓库库存编号:
IPD65R225C7ATMA1CT-ND
别名:IPD65R225C7ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 230W(Tc) D2PAK
型号:
IRF1405ZSTRLPBF
仓库库存编号:
IRF1405ZSTRLPBFCT-ND
别名:IRF1405ZSTRLPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO247-3
详细描述:通孔 N 沟道 13.8A(Tc) 104W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW60R280P6FKSA1
仓库库存编号:
IPW60R280P6FKSA1-ND
别名:SP001017086
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Tc) 3.8W(Ta),170W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS23N20DTRLP
仓库库存编号:
IRFS23N20DTRLPCT-ND
别名:IRFS23N20DTRLPCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 230W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS3307ZTRLPBF
仓库库存编号:
IRFS3307ZTRLPBFCT-ND
别名:IRFS3307ZTRLPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 25A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Tc) 136W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB600N25N3 G
仓库库存编号:
IPB600N25N3 GCT-ND
别名:IPB600N25N3 GCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 13A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Tc) 72W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R190C7ATMA1
仓库库存编号:
IPD65R190C7ATMA1CT-ND
别名:IPD65R190C7ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 85A(Tc) 350W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS4321TRLPBF
仓库库存编号:
IRFS4321TRLPBFCT-ND
别名:IRFS4321TRLPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 306W(Tc) D2PAK
型号:
PSMN2R2-40BS,118
仓库库存编号:
1727-7118-1-ND
别名:1727-7118-1
568-9488-1
568-9488-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB011N04NGATMA1
仓库库存编号:
IPB011N04NGATMA1CT-ND
别名:IPB011N04NGATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB180N04S4H0ATMA1
仓库库存编号:
IPB180N04S4H0ATMA1CT-ND
别名:IPB180N04S4H0ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO247-3
详细描述:通孔 N 沟道 16.8A(Tc) 126W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW60R230P6FKSA1
仓库库存编号:
IPW60R230P6FKSA1-ND
别名:SP001017088
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 228A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 228A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
BUK6C2R1-55C,118
仓库库存编号:
1727-7126-1-ND
别名:1727-7126-1
568-9502-1
568-9502-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 160A(Tc) 200W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
AUIRF1404ZSTRL
仓库库存编号:
AUIRF1404ZSTRLCT-ND
别名:AUIRF1404ZSTRLCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 272W(Tc) D2PAK
型号:
BUK7C06-40AITE,118
仓库库存编号:
1727-7175-1-ND
别名:1727-7175-1
568-9660-1
568-9660-1-ND
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