产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 90A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 170W(Tc) D2PAK
型号:
PSMN8R7-80BS,118
仓库库存编号:
1727-7217-1-ND
别名:1727-7217-1
568-9708-1
568-9708-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 9A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Tc) 41W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R360P7ATMA1
仓库库存编号:
IPD60R360P7ATMA1CT-ND
别名:IPD60R360P7ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 150V 45.1A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 45.1A(Tc) 230W(Tc) D2PAK
型号:
PHB45NQ15T,118
仓库库存编号:
1727-3057-1-ND
别名:1727-3057-1
568-2192-1
568-2192-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO
详细描述:表面贴装 P 沟道 12.6A(Ta) 1.79W(Ta) P-DSO-8
型号:
BSO080P03S H
仓库库存编号:
BSO080P03S HCT-ND
别名:BSO080P03S HCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 6A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 7W(Tc) PG-SOT223
型号:
IPN80R900P7ATMA1
仓库库存编号:
IPN80R900P7ATMA1CT-ND
别名:IPN80R900P7ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 182W(Tc) D2PAK
型号:
BUK764R0-40E,118
仓库库存编号:
1727-7253-1-ND
别名:1727-7253-1
568-9882-1
568-9882-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 115W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB100N04S4H2ATMA1
仓库库存编号:
IPB100N04S4H2ATMA1CT-ND
别名:IPB100N04S4H2ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 9A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 83W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
IPA50R399CPXKSA1
仓库库存编号:
IPA50R399CPXKSA1-ND
别名:IPA50R399CP
IPA50R399CP-ND
SP000234987
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 9A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Ta) 83W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP50R399CPXKSA1
仓库库存编号:
IPP50R399CPXKSA1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 9A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 83W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI50R399CPXKSA1
仓库库存编号:
IPI50R399CPXKSA1-ND
别名:SP000680738
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB60R380C6
仓库库存编号:
IPB60R380C6CT-ND
别名:IPB60R380C6CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 100W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS4020TRLPBF
仓库库存编号:
IRFS4020TRLPBFCT-ND
别名:IRFS4020TRLPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 12A TO220FP-3
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 32W(Tc) PG-TO-220-FP
型号:
IPA60R330P6XKSA1
仓库库存编号:
IPA60R330P6XKSA1-ND
别名:SP001017074
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 10A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Tc) 32W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
IPA50R350CPXKSA1
仓库库存编号:
IPA50R350CPXKSA1-ND
别名:IPA50R350CP
IPA50R350CP-ND
SP000236078
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 30A TDSON-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 16A(Ta),30A(Tc) 2.5W(Ta),89W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC080P03LS G
仓库库存编号:
BSC080P03LS GCT-ND
别名:BSC080P03LS GCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 51A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 51A(Tc) 3.8W(Ta),230W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS52N15DTRLP
仓库库存编号:
IRFS52N15DTRLPCT-ND
别名:IRFS52N15DTRLPCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 31A(Tc) 3.1W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS31N20DTRLP
仓库库存编号:
IRFS31N20DTRLPCT-ND
别名:IRFS31N20DTRLPCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 263W(Tc) D2PAK
型号:
BUK763R9-60E,118
仓库库存编号:
1727-1066-1-ND
别名:1727-1066-1
568-10176-1
568-10176-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 158W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB120N04S402ATMA1
仓库库存编号:
IPB120N04S402ATMA1CT-ND
别名:IPB120N04S402ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 12A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 104W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI50R299CPXKSA1
仓库库存编号:
IPI50R299CPXKSA1-ND
别名:IPI50R299CP
IPI50R299CP-ND
SP000523748
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
BUK7610-100B,118
仓库库存编号:
1727-5249-1-ND
别名:1727-5249-1
568-6573-1
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
BUK764R0-55B,118
仓库库存编号:
1727-5254-1-ND
别名:1727-5254-1
568-6578-1
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 214W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB080N06N G
仓库库存编号:
IPB080N06NGINCT-ND
别名:IPB080N06NG
IPB080N06NGINCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 23A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 23A(Tc) 3.8W(Ta),136W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS23N15DTRLP
仓库库存编号:
IRFS23N15DTRLPCT-ND
别名:IRFS23N15DTRLPCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 9A 4VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Tc) 83W(Tc) PG-VSON-4
型号:
IPL60R385CP
仓库库存编号:
IPL60R385CPCT-ND
别名:IPL60R385CPCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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