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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 30W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R600P7ATMA1
  仓库库存编号：IPD60R600P7ATMA1CT-ND
  别名：IPD60R600P7ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Tc） 130W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF540NSTRLPBF
  仓库库存编号：IRF540NSTRLPBFCT-ND
  别名：IRF540NSTRLPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 700V 12.5A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12.5A（Tc） 7.2W（Tc） PG-SOT223
  
  型号：IPN70R360P7SATMA1
  仓库库存编号：IPN70R360P7SATMA1CT-ND
  别名：IPN70R360P7SATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 47A（Tc） 166W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK7628-100A,118
  仓库库存编号：1727-7168-1-ND
  别名：1727-7168-1
  568-9653-1
  568-9653-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB100N04S3-03
  仓库库存编号：IPB100N04S303ATMA1CT-ND
  别名：IPB100N04S3-03CT
  IPB100N04S3-03CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 204W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK662R5-30C,118
  仓库库存编号：1727-5520-1-ND
  别名：1727-5520-1
  568-6999-1
  568-6999-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 700V 34A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12.5A（Tc） 59.4W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD70R360P7SAUMA1
  仓库库存编号：IPD70R360P7SAUMA1CT-ND
  别名：IPD70R360P7SAUMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 560V 4.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Tc） 50W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD04N50C3
  仓库库存编号：SPD04N50C3INCT-ND
  别名：SPD04N50C3INCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 140W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFS3607TRLPBF
  仓库库存编号：IRFS3607TRLPBFCT-ND
  别名：IRFS3607TRLPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 13A（Tc） 3.8W（Ta），110W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF6215STRLPBF
  仓库库存编号：IRF6215STRLPBFCT-ND
  别名：IRF6215STRLPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 53A（Tc） 3.8W（Ta），107W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFZ46NSTRLPBF
  仓库库存编号：IRFZ46NSTRLPBFCT-ND
  别名：IRFZ46NSTRLPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 4A 3TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD04N80C3ATMA1
  仓库库存编号：SPD04N80C3ATMA1CT-ND
  别名：SPD04N80C3ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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  MOSFET N-CH 150V 24A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 140W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR24N15DTRPBF
  仓库库存编号：IRFR24N15DTRPBFCT-ND
  别名：IRFR24N15DTRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.7A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD80R1K0CEATMA1
  仓库库存编号：IPD80R1K0CEATMA1CT-ND
  别名：IPD80R1K0CEATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 53A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 53A（Tc） 100W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP16CN10NGXKSA1
  仓库库存编号：IPP16CN10NGXKSA1-ND
  别名：IPP16CN10N G
  IPP16CN10N G-ND
  IPP16CN10NG
  IPP16CN10NGIN
  IPP16CN10NGIN-ND
  IPP16CN10NGX
  IPP16CN10NGXK
  SP000680880
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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  MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 48A（Tc） 110W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFZ44ESTRLPBF
  仓库库存编号：IRFZ44ESTRLPBFCT-ND
  别名：IRFZ44ESTRLPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 24A PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），114W（Tc） PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH5104TR2PBF
  仓库库存编号：IRFH5104TR2PBFCT-ND
  别名：IRFH5104TR2PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 63A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 63A（Tc） 200W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK7620-100A,118
  仓库库存编号：1727-7166-1-ND
  别名：1727-7166-1
  568-9651-1
  568-9651-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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  MOSFET N-CH 500V 7.1A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 7.1A（Tc） 66W（Tc） PG-TO220FP
  
  型号：IPA50R520CPXKSA1
  仓库库存编号：IPA50R520CPXKSA1-ND
  别名：IPA50R520CP
  IPA50R520CP-ND
  SP000236076
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 9.2A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.2A（Tc） 74W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R450E6
  仓库库存编号：IPD60R450E6CT-ND
  别名：IPD60R450E6CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 190W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB80N06S209ATMA2
  仓库库存编号：IPB80N06S209ATMA2CT-ND
  别名：IPB80N06S209ATMA2CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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  MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 9.5A（Tc） 75W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：BUZ32 H
  仓库库存编号：BUZ32 H-ND
  别名：BUZ32H
  BUZ32HXKSA1
  SP000682998
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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  MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 90A（Tc） 125W（Tc） PG-TO252-3-313
  
  型号：IPD90P04P405ATMA1
  仓库库存编号：IPD90P04P405ATMA1CT-ND
  别名：IPD90P04P405ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 255W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK763R4-30B,118
  仓库库存编号：1727-5253-1-ND
  别名：1727-5253-1
  568-6577-1
  568-6577-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 57A（Tc） 200W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF3710STRLPBF
  仓库库存编号：IRF3710STRLPBFCT-ND
  别名：IRF3710STRLPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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