产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(12767)
晶体管 - FET，MOSFET - 单
(12767)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(370)
Central Semiconductor Corp(12)
Diodes Incorporated(189)
Exar Corporation(1)
Fairchild/Micross Components(1)
Fairchild/ON Semiconductor(1752)
Global Power Technologies Group(133)
Infineon Technologies(2745)
IXYS(1803)
Micro Commercial Co(14)
Microchip Technology(5)
Microsemi Corporation(546)
Nexperia USA Inc.(426)
NXP USA Inc.(149)
ON Semiconductor(411)
Panasonic Electronic Components(14)
Renesas Electronics America(187)
Rohm Semiconductor(186)
Sanken(29)
STMicroelectronics(1786)
Taiwan Semiconductor Corporation(231)
Toshiba Semiconductor and Storage(323)
TT Electronics/Optek Technology(3)
Vishay Semiconductor Diodes Division(11)
Vishay Siliconix(1440)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
IXYS
MOSFET N-CH 500V 34A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 34A（Tc） 695W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH34N50P3
仓库库存编号：
IXFH34N50P3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N CH 75V 180A H2PAK-2
详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 300W（Tc） H2PAK
型号：
STH240N75F3-2
仓库库存编号：
497-13271-1-ND
别名：497-13271-1
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 34A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 34A（Tc） 695W（Tc） TO-3P
型号：
IXFQ34N50P3
仓库库存编号：
IXFQ34N50P3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CHAN 600V 24A POWERPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 202W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
型号：
SIHH26N60EF-T1-GE3
仓库库存编号：
SIHH26N60EF-T1-GE3CT-ND
别名：SIHH26N60EF-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 50A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 960W（Tc） TO-3P
型号：
IXFQ50N50P3
仓库库存编号：
IXFQ50N50P3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CHAN 650V 23A POWERPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Tc） 202W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
型号：
SIHH24N65EF-T1-GE3
仓库库存编号：
SIHH24N65EF-T1-GE3CT-ND
别名：SIHH24N65EF-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 250V 80A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 390W（Tc） TO-247（IXFH）
型号：
IXFH80N25X3
仓库库存编号：
IXFH80N25X3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 60A TO268
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 1040W（Tc） TO-268
型号：
IXFT60N50P3
仓库库存编号：
IXFT60N50P3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 300V 94A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 94A（Tc） 1040W（Tc） TO-3P
型号：
IXFQ94N30P3
仓库库存编号：
IXFQ94N30P3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1KV 750MA TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 750mA（Tc） 40W（Tc） TO-263
型号：
IXTA05N100HV
仓库库存编号：
IXTA05N100HV-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
不受无铅要求限制
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 50A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 960W（Tc） TO-268
型号：
IXFT50N50P3
仓库库存编号：
IXFT50N50P3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 690W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH30N50Q3
仓库库存编号：
IXFH30N50Q3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 30A TO-3PSG
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 227.2W（Tc） TO-3PSG
型号：
RJK60S7DPK-M0#T0
仓库库存编号：
RJK60S7DPK-M0#T0-ND
别名：RJK60S7DPKM0T0
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 300V 94A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 94A（Tc） 1040W（Tc） TO-268
型号：
IXFT94N30P3
仓库库存编号：
IXFT94N30P3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 30A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 34.7W（Tc） TO-220FP
型号：
RJK60S7DPP-E0#T2
仓库库存编号：
RJK60S7DPP-E0#T2-ND
别名：RJK60S7DPPE0T2
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 690W（Tc） TO-268
型号：
IXFT30N50Q3
仓库库存编号：
IXFT30N50Q3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 200V 70A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 70A（Tc） 690W（Tc） TO-268
型号：
IXFT70N20Q3
仓库库存编号：
IXFT70N20Q3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 300V 50A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 690W（Tc） TO-268
型号：
IXFT50N30Q3
仓库库存编号：
IXFT50N30Q3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 100V 80A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 360W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH80N10Q
仓库库存编号：
IXFH80N10Q-ND
别名：IXFH80N10
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 100V 75A TO268
详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 400W（Tc） TO-268
型号：
IXTT75N10L2
仓库库存编号：
IXTT75N10L2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 300V 120A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 1130W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX120N30P3
仓库库存编号：
IXFX120N30P3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 64A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 64A（Tc） 830W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX64N50P
仓库库存编号：
IXFX64N50P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 300V 120A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 1130W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK120N30P3
仓库库存编号：
IXFK120N30P3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 45A T-MAX
详细描述：通孔 N 沟道 45A（Tc） 780W（Tc） T-MAX? [B2]
型号：
APT43M60B2
仓库库存编号：
APT43M60B2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 200V 60A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 540W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ60N20L2
仓库库存编号：
IXTQ60N20L2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
不受无铅要求限制
搜索
169
170
171
172
173
174
175
176
177
178
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
