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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CHAN 650V 12A POWERPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 130W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
  
  型号：SIHH11N65E-T1-GE3
  仓库库存编号：SIHH11N65E-T1-GE3CT-ND
  别名：SIHH11N65E-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 16A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH450P2
  仓库库存编号：IXTH450P2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CHAN 600V 24A POWERPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 130W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
  
  型号：SIHH11N65EF-T1-GE3
  仓库库存编号：SIHH11N65EF-T1-GE3CT-ND
  别名：SIHH11N65EF-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 22A POLARPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Tc） 5.2W（Tc） PolarPak?
  
  型号：STK22N6F3
  仓库库存编号：497-10009-1-ND
  别名：497-10009-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 22A TO3P
  详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 500W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXFQ22N60P3
  仓库库存编号：IXFQ22N60P3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 15.8A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 15.8A（Ta） 130W（Tc） I2PAK
  
  型号：TK16C60W,S1VQ
  仓库库存编号：TK16C60WS1VQ-ND
  别名：TK16C60W,S1VQ(S
  TK16C60WS1VQ
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Tc） 227W（Tc） D2PAK
  
  型号：SIHB22N65E-GE3
  仓库库存编号：SIHB22N65E-GE3CT-ND
  别名：SIHB22N65E-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 231W（Tc） I2PAK（TO-262）
  
  型号：FDI030N06
  仓库库存编号：FDI030N06-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 15.8A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 15.8A（Ta） 130W（Tc） TO-247
  
  型号：TK16N60W,S1VF
  仓库库存编号：TK16N60WS1VF-ND
  别名：TK16N60W,S1VF(S
  TK16N60WS1VF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 15.8A TO-3P(N)
  详细描述：通孔 N 沟道 15.8A（Ta） 130W（Tc） TO-3P（N）
  
  型号：TK16J60W,S1VQ
  仓库库存编号：TK16J60WS1VQ-ND
  别名：TK16J60W,S1VQ(O
  TK16J60WS1VQ
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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  MOSFET N-CH 40V 300A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 300A（Tc） 480W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP300N04T2
  仓库库存编号：IXTP300N04T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 315W（Tc） H2PAK
  
  型号：STH185N10F3-2
  仓库库存编号：497-15311-1-ND
  别名：497-15311-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 315W（Tc） H2PAK-6
  
  型号：STH185N10F3-6
  仓库库存编号：497-15469-1-ND
  别名：497-15469-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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  MOSFET N-CH 400V 38A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 38A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB45N40DM2AG
  仓库库存编号：497-16133-1-ND
  别名：497-16133-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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  MOSFET N-CH 600V 28A TO3P
  详细描述：通孔 N 沟道 28A（Tc） 695W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXFQ28N60P3
  仓库库存编号：IXFQ28N60P3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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  MOSFET N-CH 600V 21A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Tc） 170W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB28N60DM2
  仓库库存编号：497-16349-1-ND
  别名：497-16349-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Ta） 165W（Tc） I2PAK
  
  型号：TK20C60W,S1VQ
  仓库库存编号：TK20C60WS1VQ-ND
  别名：TK20C60W,S1VQ(S
  TK20C60WS1VQ
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CHAN 650V 15A POWERPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Tc） 156W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
  
  型号：SIHH14N65EF-T1-GE3
  仓库库存编号：SIHH14N65EF-T1-GE3CT-ND
  别名：SIHH14N65EF-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 90A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 90A（Tc） 375W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA90N15_F109
  仓库库存编号：FQA90N15_F109-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Panasonic Electronic Components
  MOSFET N-CH 200V 22A TO-220D
  详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 2W（Ta），40W（Tc） TO-220D-A1
  
  型号：2SK3892
  仓库库存编号：2SK3892-ND
  
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CHAN 600V 19A POWERPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Tc） 174W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
  
  型号：SIHH21N60EF-T1-GE3
  仓库库存编号：SIHH21N60EF-T1-GE3CT-ND
  别名：SIHH21N60EF-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 75V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 357W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP80N075L2
  仓库库存编号：IXTP80N075L2-ND
  
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 30A TO3P
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 500W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXFQ30N60X
  仓库库存编号：IXFQ30N60X-ND
  
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 29A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 29A（Tc） 250W（Tc） TO-247AD
  
  型号：SIHW30N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHW30N60E-GE3-ND
  别名：SIHW30N60E-GE3CT
  SIHW30N60E-GE3CT-ND
  
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 36A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 36A（Tc） 312W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FCB36N60NTM
  仓库库存编号：FCB36N60NTMCT-ND
  别名：FCB36N60NTMCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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