产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 27A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 27A(Tc) 1135W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APT26F120L
仓库库存编号:
APT26F120L-ND
别名:APT26F120LMI
APT26F120LMI-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 31A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 31A(Tc) 355W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT30F60J
仓库库存编号:
APT30F60J-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 64A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 64A(Tc) 1250W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK64N60Q3
仓库库存编号:
IXFK64N60Q3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 47A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 47A(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXKR47N60C5
仓库库存编号:
IXKR47N60C5-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 25A(Tc) 545W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT25M100J
仓库库存编号:
APT25M100J-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 18A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 18A(Tc) 545W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT17F120J
仓库库存编号:
APT17F120J-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 41A(Tc) 378W(Tc) SOT-227
型号:
APT5010JLLU2
仓库库存编号:
APT5010JLLU2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 49A(Tc) 540W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT47M60J
仓库库存编号:
APT47M60J-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 142A SOT227
详细描述:底座安装 N 沟道 142A(Tc) 450W(Tc) SOT-227
型号:
APT10M11JVRU3
仓库库存编号:
APT10M11JVRU3-ND
别名:APT10M11JVRU3MI
APT10M11JVRU3MI-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 19A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 19A(Tc) 545W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT19M120J
仓库库存编号:
APT19M120J-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 58A SOT227
详细描述:底座安装 N 沟道 58A(Tc) 543W(Tc) SOT-227
型号:
APT58M50JU2
仓库库存编号:
APT58M50JU2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 51A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 51A(Tc) 290W(Tc) SOT-227
型号:
APT50M75JLLU3
仓库库存编号:
APT50M75JLLU3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 103A SOT227
详细描述:底座安装 N 沟道 103A(Tc) 960W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT100F50J
仓库库存编号:
APT100F50J-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 95A SP1
详细描述:底座安装 N 沟道 95A(Tc) 462W(Tc) SP1
型号:
APTC60SKM24T1G
仓库库存编号:
APTC60SKM24T1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 215A SP6
详细描述:底座安装 N 沟道 215A(Tc) 5000W(Tc) SP6
型号:
APTM100UM45DAG
仓库库存编号:
APTM100UM45DAG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 40W(Tc) ITO-220
型号:
TSM6NB60CI C0G
仓库库存编号:
TSM6NB60CI C0G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 7A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Tc) 78W(Tc) TO-263
型号:
R6007KNJTL
仓库库存编号:
R6007KNJTLCT-ND
别名:R6007KNJTLCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 9A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Tc) 94W(Tc) TO-263
型号:
R6009KNJTL
仓库库存编号:
R6009KNJTLCT-ND
别名:R6009KNJTLCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 450V 1.8A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 1.8A(Tc) 27W(Tc) I-Pak
型号:
STU3N45K3
仓库库存编号:
497-12362-ND
别名:497-12362
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 70W(Tc) ITO-220
型号:
TSM4NB65CI C0G
仓库库存编号:
TSM4NB65CI C0G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 58A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 58A(Tc) 96W(Tc) I2PAK
型号:
BUK7E13-60E,127
仓库库存编号:
1727-7240-ND
别名:1727-7240
568-9847-5
568-9847-5-ND
934066633127
BUK7E1360E127
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 525V 4.4A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 4.4A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STF5N52K3
仓库库存编号:
497-12581-5-ND
别名:497-12581-5
STF5N52K3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 40V 100A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 4.7W(Ta), 136W(Tc) TO-263AB(D2PAK)
型号:
DMTH4004SCTBQ-13
仓库库存编号:
DMTH4004SCTBQ-13DICT-ND
别名:DMTH4004SCTBQ-13DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 50W(Tc) ITO-220
型号:
TSM4NB60CI C0G
仓库库存编号:
TSM4NB60CI C0G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 4.5A(Tc) 33W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF5N60C
仓库库存编号:
FQPF5N60CFS-ND
别名:FQPF5N60C-ND
FQPF5N60CFS
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