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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 32A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 32A（Tc） 1250W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK32N100Q3
  仓库库存编号：IXFK32N100Q3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 50A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 50A（Tc） 700W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN64N60P
  仓库库存编号：IXFN64N60P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 50A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 570W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR80N50Q3
  仓库库存编号：IXFR80N50Q3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 94A TO264
  详细描述：通孔 N 沟道 94A（Tc） 833W（Tc） 264 MAX? [L2]
  
  型号：APT94N60L2C3G
  仓库库存编号：APT94N60L2C3G-ND
  别名：APT94N60L2C3GMI
  APT94N60L2C3GMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 110A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 960W（Tc） TO-264（IXTK）
  
  型号：IXTK110N20L2
  仓库库存编号：IXTK110N20L2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 42A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 42A（Tc） 480W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT39F60J
  仓库库存编号：APT39F60J-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 36A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 36A（Tc） 520W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN36N60
  仓库库存编号：IXFN36N60-ND
  别名：460869
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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  MOSFET N-CH 500V 55A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 55A（Tc） 625W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN55N50
  仓库库存编号：IXFN55N50-ND
  别名：470724
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 88A ISOTOP
  详细描述：底座安装 N 沟道 88A（Tc） 494W（Tc） ISOTOP
  
  型号：STE88N65M5
  仓库库存编号：497-15265-5-ND
  别名：497-15265-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 33A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 33A（Tc） 520W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT8020JLL
  仓库库存编号：APT8020JLL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 58A（Tc） 520W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT50M65JLL
  仓库库存编号：APT50M65JLL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 66A（Tc） 960W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN82N60Q3
  仓库库存编号：IXFN82N60Q3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 60A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 60A（Tc） 700W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN60N60
  仓库库存编号：IXFN60N60-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 58A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 58A（Tc） 595W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT60M75JFLL
  仓库库存编号：APT60M75JFLL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 58A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 60W（Tc） 960W（Tc） SOT-227
  
  型号：APT58M80J
  仓库库存编号：APT58M80J-ND
  别名：APT58M80JMI
  APT58M80JMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 57A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 57A（Tc） 960W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT53F80J
  仓库库存编号：APT53F80J-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 88A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 88A（Tc） 694W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT50M38JLL
  仓库库存编号：APT50M38JLL-ND
  
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 70A（Tc） 694W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT60M60JFLL
  仓库库存编号：APT60M60JFLL-ND
  
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 37A（Tc） 694W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT10021JLL
  仓库库存编号：APT10021JLL-ND
  
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 5A LPT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 1.56W（Ta），30W（Tc） LPTS（SC-83）
  
  型号：RCJ050N25TL
  仓库库存编号：RCJ050N25TLCT-ND
  别名：RCJ050N25TLCT
  
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 12A LPT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 1.56W（Ta），40W（Tc） LPTS（SC-83）
  
  型号：RCJ120N20TL
  仓库库存编号：RCJ120N20TLCT-ND
  别名：RCJ120N20TLCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 4A LPT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 40W（Tc） LPTS（D2PAK）
  
  型号：R6004ENJTL
  仓库库存编号：R6004ENJTLCT-ND
  别名：R6004ENJTLCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 12A LPT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 1.56W（Ta），40W（Tc） LPTS（SC-83）
  
  型号：RCJ120N25TL
  仓库库存编号：RCJ120N25TLCT-ND
  别名：RCJ120N25TLCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 5.6A（Tc） 27W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R800CEXKSA1
  仓库库存编号：IPA60R800CEXKSA1-ND
  别名：SP001276046
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 28W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R650CEXKSA1
  仓库库存编号：IPA60R650CEXKSA1-ND
  别名：SP001276044
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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