产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 120A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 700W（Tc） TO-264（IXTK）
型号：
IXTK120N25P
仓库库存编号：
IXTK120N25P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 80A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 1300W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX80N60P3
仓库库存编号：
IXFX80N60P3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 98A TO264
详细描述：通孔 N 沟道 98A（Tc） 1300W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK98N50P3
仓库库存编号：
IXFK98N50P3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 160A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 160A（Tc） 1390W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX160N30T
仓库库存编号：
IXFX160N30T-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 102A X2 PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 102A（Tc） 1040W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXTX102N65X2
仓库库存编号：
IXTX102N65X2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 102A X2 TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 102A（Tc） 1040W（Tc） TO-264（IXTK）
型号：
IXTK102N65X2
仓库库存编号：
IXTK102N65X2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 47A D3PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 47A（Tc） 417W（Tc） D3 [S]
型号：
APT47N60SC3G
仓库库存编号：
APT47N60SC3G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 16A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 660W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH16N120P
仓库库存编号：
IXFH16N120P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 94A TO264
详细描述：通孔 N 沟道 94A（Tc） 1300W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK94N50P2
仓库库存编号：
IXFK94N50P2-ND
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 61.8A TO-3P(N)
详细描述：通孔 N 沟道 61.8A（Ta） 400W（Tc） TO-3P（N）
型号：
TK62J60W,S1VQ
仓库库存编号：
TK62J60WS1VQ-ND
别名：TK62J60W,S1VQ(O
TK62J60WS1VQ
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无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 64A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 64A（Tc） 1040W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK64N60P
仓库库存编号：
IXFK64N60P-ND
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 94A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 94A（Tc） 1300W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX94N50P2
仓库库存编号：
IXFX94N50P2-ND
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 32A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 32A（Tc） 960W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX32N100P
仓库库存编号：
IXFX32N100P-ND
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 90A TO-264AA
详细描述：通孔 N 沟道 90A（Tc） 500W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK90N20Q
仓库库存编号：
IXFK90N20Q-ND
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 120A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 560W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX120N20
仓库库存编号：
IXFX120N20-ND
别名：IFX120N20
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 46A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 46A（Tc） 520W（Tc） TO-264 [L]
型号：
APT5010LFLLG
仓库库存编号：
APT5010LFLLG-ND
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 65A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 65A（Tc） 450W（Tc） TO-247
型号：
STW62NM60N
仓库库存编号：
497-13288-5-ND
别名：497-13288-5
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 30A T-MAX
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 1040W（Tc） T-MAX? [B2]
型号：
APT29F100B2
仓库库存编号：
APT29F100B2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 24A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 1040W（Tc） TO-264 [L]
型号：
APT24M120L
仓库库存编号：
APT24M120L-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 40A（Tc） 625W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN48N60P
仓库库存编号：
IXFN48N60P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 44A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 44A（Tc） 560W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX44N60
仓库库存编号：
IXFX44N60-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 73A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 73A（Tc） 500W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN73N30
仓库库存编号：
IXFN73N30-ND
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 34A TO-264AA
详细描述：通孔 N 沟道 34A（Tc） 560W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK34N80
仓库库存编号：
IXFK34N80-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 900V 36A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 36A（Tc） 390W（Tc） TO-247 [B]
型号：
APT36N90BC3G
仓库库存编号：
APT36N90BC3G-ND
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IXYS
MOSFET N-CH 2000V 1A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 1A（Tc） 125W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH1N200P3
仓库库存编号：
IXTH1N200P3-ND
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